公开(公告)号：US06869862B2

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：US10637288

申请日：2003-08-08

申请人： Brian K. Kirkpatrick ,  Mercer Brugler ,  Eddie Breashears ,  Jon Holt ,  Corbett Zabierek ,  Rajesh Khamankar

发明人： Brian K. Kirkpatrick ,  Mercer Brugler ,  Eddie Breashears ,  Jon Holt ,  Corbett Zabierek ,  Rajesh Khamankar

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/51 ,  H01I21/46 ,  H01L21/479 ,  H01I21/326 ,  H01I21/78

CPC分类号： H01L21/28176 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/518

摘要： The present invention provides a method for improving a physical property of a substrate, a method for manufacturing an integrated circuit, and an integrated circuit manufactured using the aforementioned method. In one aspect of the invention, the method for improving a physical property of a substrate includes subjecting the substrate to effects of a plasma process 830, wherein the substrate has a physical property defect value associated therewith subsequent to the plasma process. The method further includes exposing the substrate to an ultraviolet (UV) energy source 840 to improve the physical property defect value.

摘要翻译： 本发明提供一种提高基板的物理性能的方法，集成电路的制造方法以及使用上述方法制造的集成电路。 在本发明的一个方面，用于改善基板的物理性能的方法包括使基板受到等离子体工艺830的影响，其中基板在等离子体处理之后具有与其相关联的物理性能缺陷值。 该方法还包括将衬底暴露于紫外（UV）能量源840以改善物理性能缺陷值。

公开(公告)号：US20050156286A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：US11038545

申请日：2005-01-18

申请人： Brian Kirkpatrick ,  Mercer Brugler ,  Eddie Breashears ,  Jon Holt ,  Corbett Zabierek ,  Rajesh Khamankar

发明人： Brian Kirkpatrick ,  Mercer Brugler ,  Eddie Breashears ,  Jon Holt ,  Corbett Zabierek ,  Rajesh Khamankar

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/51 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/42 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/477 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L21/28176 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/518

摘要： The present invention provides a method for improving a physical property of a substrate, a method for manufacturing an integrated circuit, and an integrated circuit manufactured using the aforementioned method. In one aspect of the invention, the method for improving a physical property of a substrate includes subjecting the substrate to effects of a plasma process 830, wherein the substrate has a physical property defect value associated therewith subsequent to the plasma process. The method further includes exposing the substrate to an ultraviolet (UV) energy source 840 to improve the physical property defect value.

摘要翻译： 本发明提供一种提高基板的物理性能的方法，集成电路的制造方法以及使用上述方法制造的集成电路。 在本发明的一个方面，用于改善基板的物理性能的方法包括使基板受到等离子体工艺830的影响，其中基板在等离子体处理之后具有与其相关联的物理性能缺陷值。 该方法还包括将衬底暴露于紫外（UV）能量源840以改善物理性能缺陷值。

公开(公告)号：US20050019963A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：US10623757

申请日：2003-07-21

申请人： Jin Zhao ,  Nathan Kruse ,  Ignacio Blanco ,  Mercer Brugler

发明人： Jin Zhao ,  Nathan Kruse ,  Ignacio Blanco ,  Mercer Brugler

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/00 ,  C25F1/00 ,  C25F5/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/66

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/52

摘要： Maintaining a reactor chamber of a chemical vapor deposition system includes depositing layers on an inner surface of the reactor chamber, where the layers form an accumulation layer. When the accumulation layer reaches a specified thickness, a plasma clean cycle is performed by introducing cleaning gas into the reactor chamber. The volume of the cleaning gas used during one or more plasma clean cycles is calculated, where the volume indicates the volume of cleaning gas introduced into the reactor chamber. A notification is provided when the volume of the cleaning gas used during the plasma clean cycles has reached a predetermined volume.

摘要翻译： 维持化学气相沉积系统的反应室包括在反应室的内表面上沉积层，其中层形成堆积层。 当累积层达到规定厚度时，通过将清洁气体引入反应室来执行等离子体清洁循环。 计算在一个或多个等离子体清洁循环期间使用的清洁气体的体积，其中体积表示引入反应器室的清洁气体的体积。 当在等离子体清洁循环期间使用的清洁气体的体积达到预定体积时，提供通知。