公开(公告)号：US08940336B2

公开(公告)日：2015-01-27

申请号：US13123737

申请日：2009-10-13

申请人： Cameron Alexander ,  Kevin Shakesheff ,  Liang He ,  Martyn Davies ,  Wenxin Wang ,  Brian Saunders

发明人： Cameron Alexander ,  Kevin Shakesheff ,  Liang He ,  Martyn Davies ,  Wenxin Wang ,  Brian Saunders

IPC分类号： A61K9/50 ,  A61K9/14 ,  C12N5/00 ,  C12M1/12 ,  C08F220/28

CPC分类号： C12N5/0068 ,  C08F2220/286 ,  C08F2220/287 ,  C12M25/14 ,  C12N2533/40 ,  C12N2539/10

摘要： The invention provides polymer particles that are obtainable by a method selected from emulsion methods, diffusion methods and evaporation methods carried out in the presence of surface-engineering surfactant which is one or more polymer that displays a lower critical solution temperature, in aqueous media, that is between 10 to 90° C., this polymer being the polymerization product of one or more monomer selected from polymerisable alkyleneglycol acrylate monomers and polymerisable alkyleneglycol methacrylate monomers. The polymer particles can be used in controlled release applications, such as flavour release applications, fragrance release applications and biomedical applications. The invention also provides a cell support matrix comprising the polymer particles.

摘要翻译： 本发明提供聚合物颗粒，其可通过选自乳液法，扩散方法和蒸发方法获得的方法，所述方法是在表面工程表面活性剂存在下进行的，所述表面工程表面活性剂是在水介质中显示较低临界溶解温度的一种或多种聚合物， 在10至90℃之间，该聚合物是一种或多种选自可聚合的亚烷基二醇丙烯酸酯单体和可聚合的亚烷基二醇甲基丙烯酸酯单体的单体的聚合产物。 聚合物颗粒可用于控制释放应用，例如香料释放应用，香料释放应用和生物医学应用。 本发明还提供了包含聚合物颗粒的细胞支持基质。

公开(公告)号：US20110305767A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US13123737

申请日：2009-10-13

申请人： Cameron Alexander ,  Kevin Shakesheff ,  Liang He ,  Martyn Davies ,  Wenxin Wang ,  Brian Saunders

发明人： Cameron Alexander ,  Kevin Shakesheff ,  Liang He ,  Martyn Davies ,  Wenxin Wang ,  Brian Saunders

IPC分类号： A61K9/14 ,  A61K35/12 ,  A61P43/00 ,  A23L1/22 ,  A61K38/18 ,  A61K8/81 ,  A61Q13/00 ,  C08F216/04 ,  A61K47/32

CPC分类号： C12N5/0068 ,  C08F2220/286 ,  C08F2220/287 ,  C12M25/14 ,  C12N2533/40 ,  C12N2539/10

摘要： The invention provides polymer particles that are obtainable by a method selected from emulsion methods, diffusion methods and evaporation methods carried out in the presence of surface-engineering surfactant which is one or more polymer that displays a lower critical solution temperature, in aqueous media, that is between 10 to 90° C., this polymer being the polymerisation product of one or more monomer selected from polymerisable alkyleneglycol acrylate monomers and polymerisable alkyleneglycol methacrylate monomers. The polymer particles can be used in controlled release applications, such as flavour release applications, fragrance release applications and biomedical applications. The invention also provides a cell support matrix comprising the polymer particles.

摘要翻译： 本发明提供聚合物颗粒，其可通过选自乳液法，扩散方法和蒸发方法获得的方法，所述方法是在表面工程表面活性剂存在下进行的，所述表面工程表面活性剂是在水介质中显示较低临界溶解温度的一种或多种聚合物， 在10至90℃之间，该聚合物是一种或多种选自可聚合的亚烷基二醇丙烯酸酯单体和可聚合的亚烷基二醇甲基丙烯酸酯单体的单体的聚合产物。 聚合物颗粒可用于控制释放应用，例如香料释放应用，香料释放应用和生物医学应用。 本发明还提供了包含聚合物颗粒的细胞支持基质。

公开(公告)号：US08043872B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12377196

申请日：2007-08-15

申请人： Hong Chen ,  Haiqiang Jia ,  Liwei Guo ,  Wenxin Wang ,  Junming Zhou

发明人： Hong Chen ,  Haiqiang Jia ,  Liwei Guo ,  Wenxin Wang ,  Junming Zhou

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/36 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  Y10S438/956

摘要： A method of manufacturing epitaxial material used for GaN based LED with low polarization effect, which includes steps of growing n-type InGaAlN layer composed of GaN buffer layer (2) and n-type GaN layer (3), low polarizing active layer composed of InGaAlN multi-quantum well structure polarized regulating and controlling layer (4) and InGaAlN multi-quantum well structure light emitting layer (5) and p-type InGaAlN layer (6) on sapphire or SiC substrate (1) in turn. The method adds InGaAlN multi-quantum well structure polarized regulating and controlling layer, thus reduces polarization effect of quantum well active region.

摘要翻译： 一种制造用于具有低偏振效应的GaN基LED的外延材料的方法，其包括生长由GaN缓冲层（2）和n型GaN层（3）组成的n型InGaAlN层的步骤，由 InGaAlN多量子阱结构的偏振调节和控制层（4）和InGaAlN多量子阱结构发光层（5）和p型InGaAlN层（6）依次在蓝宝石或SiC衬底（1）上。 该方法增加了InGaAlN多量子阱结构的极化调控层，从而降低了量子阱活性区域的极化效应。

公开(公告)号：US06907993B2

公开(公告)日：2005-06-21

申请号：US10308636

申请日：2002-12-02

申请人： Wenxin Wang

发明人： Wenxin Wang

IPC分类号： H05K7/10 ,  H05K13/00 ,  B65D73/02

CPC分类号： H05K7/10 ,  H05K13/0084

摘要： A package (1) for receiving a plurality of electrical socket connectors (4) comprises an elongate housing (2). The housing includes a set of first supporting portions (21) in each of opposite ends thereof, and an intermediate set of second supporting portions (22) between the two sets of first portions. Each first portion includes a rectangular bottom wall (210). A pair of through slots (211) is defined in the bottom wall at opposite longitudinal sides respectively of the first portion. The set of second portions comprises a single bottom wall (220) that spans an entire area of all the second portions. The socket connectors are fittingly received in the first portions and the second portions so that they abut the respective bottom walls. The bottom walls of the first portions and the bottom wall of the second portions cooperatively render the package strong enough to resist deformation.

摘要翻译： 用于容纳多个电插座连接器（4）的包装（1）包括细长壳体（2）。 壳体的每个相对端部包括一组第一支撑部分（21），以及在两组第一部分之间的中间组的第二支撑部分（22）。 每个第一部分包括矩形底壁（210）。 在第一部分的相对的纵向侧面的底壁中限定有一对通孔（211）。 该组第二部分包括横跨所有第二部分的整个区域的单个底壁（220）。 插座连接器被适当地容纳在第一部分和第二部分中，使得它们抵靠相应的底壁。 第一部分的底壁和第二部分的底壁协同地使包装强度足以抵抗变形。

公开(公告)号：US08904137B1

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US13106097

申请日：2011-05-12

申请人： Xianbo Zhang ,  Wenxin Wang

发明人： Xianbo Zhang ,  Wenxin Wang

IPC分类号： G06F17/30

CPC分类号： G06F17/30135 ,  G06F3/0608 ,  G06F3/0641 ,  G06F3/067 ,  G06F17/30156

摘要： A system and method for improving performance within a storage system employing deduplication techniques using address manipulation are disclosed. A data segment within a storage object is identified from among a number of data segments within a storage object. The data segment represents data stored in a storage device. Some or all of the data represented by the data segment is stored in a data block that is associated with the data segment. The storage object is then compacted. Compaction includes reordering data segments, including the identified data segment, by performing address manipulation on a data block address of the data block (e.g., an address of the data block within the storage device). The reordering of the data segments changes the order of the data segments within the storage object.

摘要翻译： 公开了一种使用地址操纵使用重复数据删除技术改善存储系统内性能的系统和方法。 从存储对象内的多个数据段中识别存储对象内的数据段。 数据段表示存储在存储设备中的数据。 由数据段表示的数据中的一些或全部存储在与数据段相关联的数据块中。 然后将存储对象压缩。 压缩包括通过对数据块的数据块地址（例如，存储设备内的数据块的地址）执行地址操作来重新排序包括所识别的数据段的数据段。 数据段的重新排序更改了存储对象内的数据段的顺序。

公开(公告)号：US20090236586A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12377196

申请日：2007-08-15

申请人： Hong Chen ,  Haiqiang Jia ,  Liwei Guo ,  Wenxin Wang ,  Junming Zhou

发明人： Hong Chen ,  Haiqiang Jia ,  Liwei Guo ,  Wenxin Wang ,  Junming Zhou

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  Y10S438/956

摘要： A method of manufacturing epitaxial material used for GaN based LED with low polarization effect, which includes steps of growing n-type InGaAlN layer composed of GaN buffer layer (2) and n-type GaN layer (3), low polarizing active layer composed of InGaAlN multi-quantum well structure polarized regulating and controlling layer (4) and InGaAlN multi-quantum well structure light emitting layer (5) and p-type InGaAlN layer (6) on sapphire or SiC substrate (1) in turn. The method adds InGaAlN multi-quantum well structure polarized regulating and controlling layer, thus reduces polarization effect of quantum well active region.

摘要翻译： 一种制造用于具有低偏振效应的GaN基LED的外延材料的方法，其包括生长由GaN缓冲层（2）和n型GaN层（3）组成的n型InGaAlN层的步骤，由 InGaAlN多量子阱结构的偏振调节和控制层（4）和InGaAlN多量子阱结构发光层（5）和p型InGaAlN层（6）依次在蓝宝石或SiC衬底（1）上。 该方法增加了InGaAlN多量子阱结构极化调控层，从而降低了量子阱活性区域的极化效应。