公开(公告)号：US08288263B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12850903

申请日：2010-08-05

申请人： Gyu-Hyun Kim ,  Kwon Hong ,  Cha-Deok Dong

发明人： Gyu-Hyun Kim ,  Kwon Hong ,  Cha-Deok Dong

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/02057 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a multilayer, forming a plurality of patterns by etching the multilayer and a portion of the substrate, forming a supporter to support the plurality of patterns, and removing residues formed during the etching.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：通过蚀刻多层和一部分衬底形成多个图案，形成多个图案，形成支撑体以支撑多个图案，以及去除蚀刻期间形成的残留物。

公开(公告)号：US08470673B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US12841845

申请日：2010-07-22

申请人： Cha-Deok Dong ,  Gyu-Hyun Kim

发明人： Cha-Deok Dong ,  Gyu-Hyun Kim

IPC分类号： H01L21/8239

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/743 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885

摘要： A semiconductor device includes an active region having a sidewall, which has a sidewall step, a junction formed under a surface of the sidewall step, and a buried bit line configured to contact the junction.

摘要翻译： 半导体器件包括具有侧壁的有源区，其具有侧壁台阶，形成在侧壁台阶的表面下方的结以及被配置为接触接合部的掩埋位线。

公开(公告)号：US20110269304A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US12850903

申请日：2010-08-05

申请人： Gyu-Hyun Kim ,  Kwon Hong ,  Cha-Deok Dong

发明人： Gyu-Hyun Kim ,  Kwon Hong ,  Cha-Deok Dong

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/02057 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a multilayer, forming a plurality of patterns by etching the multilayer and a portion of the substrate, forming a supporter to support the plurality of patterns, and removing residues formed during the etching.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括形成多层，通过蚀刻多层和一部分衬底形成多个图案，形成支撑体以支撑多个图案，以及去除蚀刻期间形成的残留物。

公开(公告)号：US08426280B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US13448046

申请日：2012-04-16

申请人： Cha-Deok Dong

发明人： Cha-Deok Dong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/401 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： There is provided a charge trap type non-volatile memory device and a method for fabricating the same, the charge trap type non-volatile memory device including: a tunnel insulation layer formed over a substrate; a charge trap layer formed over the tunnel insulation layer, the charge trap layer including a charge trap polysilicon thin layer and a charge trap nitride-based layer; a charge barrier layer formed over the charge trap layer; a gate electrode formed over the charge barrier layer; and an oxide-based spacer formed over sidewalls of the charge trap layer and provided to isolate the charge trap layer.

摘要翻译： 提供了一种电荷阱型非易失性存储器件及其制造方法，该电荷阱型非易失性存储器件包括：在衬底上形成的隧道绝缘层; 形成在隧道绝缘层上的电荷陷阱层，电荷陷阱层包括电荷陷阱多晶硅薄层和电荷陷阱氮化物基层; 形成在电荷陷阱层上的电荷阻挡层; 形成在电荷阻挡层上的栅电极; 以及形成在电荷陷阱层的侧壁上的氧化物基间隔物，并且被提供以隔离电荷陷阱层。

公开(公告)号：US08178918B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US12432060

申请日：2009-04-29

申请人： Cha-Deok Dong

发明人： Cha-Deok Dong

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/401 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： There is provided a charge trap type non-volatile memory device and a method for fabricating the same, the charge trap type non-volatile memory device including: a tunnel insulation layer formed over a substrate; a charge trap layer formed over the tunnel insulation layer, the charge trap layer including a charge trap polysilicon thin layer and a charge trap nitride-based layer; a charge barrier layer formed over the charge trap layer; a gate electrode formed over the charge barrier layer; and an oxide-based spacer formed over sidewalls of the charge trap layer and provided to isolate the charge trap layer.

摘要翻译： 提供了一种电荷阱型非易失性存储器件及其制造方法，该电荷阱型非易失性存储器件包括：在衬底上形成的隧道绝缘层; 形成在隧道绝缘层上的电荷陷阱层，电荷陷阱层包括电荷陷阱多晶硅薄层和电荷陷阱氮化物基层; 形成在电荷陷阱层上的电荷阻挡层; 形成在电荷阻挡层上的栅电极; 以及形成在电荷陷阱层的侧壁上的氧化物基间隔物，并且被提供以隔离电荷陷阱层。

公开(公告)号：US20100025752A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12432060

申请日：2009-04-29

申请人： Cha-Deok Dong

发明人： Cha-Deok Dong

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/401 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： There is provided a charge trap type non-volatile memory device and a method for fabricating the same, the charge trap type non-volatile memory device including: a tunnel insulation layer formed over a substrate; a charge trap layer formed over the tunnel insulation layer, the charge trap layer including a charge trap polysilicon thin layer and a charge trap nitride-based layer; a charge barrier layer formed over the charge trap layer; a gate electrode formed over the charge barrier layer; and an oxide-based spacer formed over sidewalls of the charge trap layer and provided to isolate the charge trap layer.

摘要翻译： 提供了一种电荷阱型非易失性存储器件及其制造方法，该电荷阱型非易失性存储器件包括：在衬底上形成的隧道绝缘层; 形成在隧道绝缘层上的电荷陷阱层，电荷陷阱层包括电荷陷阱多晶硅薄层和电荷陷阱氮化物基层; 形成在电荷陷阱层上的电荷阻挡层; 形成在电荷阻挡层上的栅电极; 以及形成在电荷陷阱层的侧壁上的氧化物基间隔物，并且被提供以隔离电荷陷阱层。