公开(公告)号：US20060027922A1

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：US10909980

申请日：2004-08-03

申请人： Hsien-Ming Lee ,  Jing-Cheng Lin ,  Shing-Chyang Pan ,  Ching-Hua Hsieh ,  Chao-Hsien Peng ,  Cheng-Lin Huang ,  Li-Lin Su ,  Shau-Lin Shue

发明人： Hsien-Ming Lee ,  Jing-Cheng Lin ,  Shing-Chyang Pan ,  Ching-Hua Hsieh ,  Chao-Hsien Peng ,  Cheng-Lin Huang ,  Li-Lin Su ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device having a nonconductive cap layer comprising a first metal element. The nonconductive cap layer comprises a first metal nitride, a first metal oxide, or a first metal oxynitride over conductive lines and an insulating material between the conductive lines. An interface region may be formed over the top surface of the conductive lines, the interface region including the metal element of the cap layer. The cap layer prevents the conductive material in the conductive lines from migrating or diffusing into adjacent subsequently formed insulating material layers. The cap layer may also function as an etch stop layer.

摘要翻译： 一种具有包括第一金属元件的非导电盖层的半导体器件。 非导电盖层包括导电线上的第一金属氮化物，第一金属氧化物或第一金属氧氮化物，以及导电线之间的绝缘材料。 界面区域可以形成在导电线的顶表面上，界面区域包括盖层的金属元件。 盖层防止导电线中的导电材料迁移或扩散到相邻的随后形成的绝缘材料层中。 盖层也可以用作蚀刻停止层。

公开(公告)号：US07338903B2

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：US10910182

申请日：2004-08-02

申请人： Chao-Hsien Peng ,  Jing-Cheng Lin ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue

发明人： Chao-Hsien Peng ,  Jing-Cheng Lin ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

摘要： A method for forming a barrier layer upon a copper containing conductor layer employs a hydrogen containing plasma treatment of the copper containing conductor layer followed by an argon plasma treatment of the copper containing conductor layer. The barrier layer may be formed employing a chemical vapor deposition method, such as an atomic layer deposition method. When the deposition method employs a metal and carbon containing source material, the two-step plasma pretreatment provides the barrier layer with enhanced electrical properties.

摘要翻译： 在含铜导体层上形成阻挡层的方法采用含铜导体层的含氢等离子体处理，然后进行含铜导体层的氩等离子体处理。 可以使用诸如原子层沉积方法的化学气相沉积方法形成阻挡层。 当沉积方法采用含金属和碳的源材料时，两步等离子体预处理为阻挡层提供了增强的电性能。

公开(公告)号：US20050239288A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：US10910182

申请日：2004-08-02

申请人： Chao-Hsien Peng ,  Jing-Cheng Lin ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue

发明人： Chao-Hsien Peng ,  Jing-Cheng Lin ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/44 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

摘要： A method for forming a barrier layer upon a copper containing conductor layer employs a hydrogen containing plasma treatment of the copper containing conductor layer followed by an argon plasma treatment of the copper containing conductor layer. The barrier layer may be formed employing a chemical vapor deposition method, such as an atomic layer deposition method. When the deposition method employs a metal and carbon containing source material, the two-step plasma pretreatment provides the barrier layer with enhanced electrical properties.

摘要翻译： 在含铜导体层上形成阻挡层的方法采用含铜导体层的含氢等离子体处理，然后进行含铜导体层的氩等离子体处理。 可以使用诸如原子层沉积方法的化学气相沉积方法形成阻挡层。 当沉积方法采用含金属和碳的源材料时，两步等离子体预处理为阻挡层提供了增强的电性能。

公开(公告)号：US20050277292A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US10856899

申请日：2004-05-28

申请人： Chao-Hsien Peng ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue

发明人： Chao-Hsien Peng ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/44 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862

摘要： A method of reducing the sheet resistivity of an ALD-TaN layer in an interconnect structure. The ALD-TaN layer is treated with a plasma treatment, such as Argon or Tantalum plasma treatment, to increase the Ta/N ratio of the ALD-TaN barrier layer, thereby reducing the sheet resistivity of the ALD-TaN layer.

摘要翻译： 降低互连结构中的ALD-TaN层的电阻率的方法。 ALD-TaN层用氩等离子体处理等离子体处理，以提高ALD-TaN阻挡层的Ta / N比，从而降低ALD-TaN层的电阻率。

公开(公告)号：US20050189075A1

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：US10789660

申请日：2004-02-27

申请人： Shing-Chyang Pan ,  Jing-Cheng Lin ,  Hsien-Ming Lee ,  Cheng-Lin Huang ,  Ching-Hua Hsieh ,  Chao-Hsien Peng ,  Li-Lin Su ,  Shau-Lin Shue

发明人： Shing-Chyang Pan ,  Jing-Cheng Lin ,  Hsien-Ming Lee ,  Cheng-Lin Huang ,  Ching-Hua Hsieh ,  Chao-Hsien Peng ,  Li-Lin Su ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： B08B7/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/67109 ,  B08B7/0071 ,  H01J37/32862

摘要： A reactive pre-clean chamber that contains a wafer heating apparatus, such as a high-temperature electrostatic chuck (HTESC), for directly heating a wafer supported on the apparatus during a pre-cleaning process. The wafer heating apparatus is capable of heating the wafer to the optimum temperatures required for a hydrogen plasma reactive pre-clean (RPC) process. Furthermore, degassing and pre-cleaning can be carried out in the same pre-clean chamber. The invention further includes a method of pre-cleaning a wafer using a pre-clean chamber that contains a wafer heating apparatus.

摘要翻译： 一种反应性预清洁室，其包含诸如高温静电卡盘（HTESC）的晶片加热装置，用于在预清洁过程期间直接加热支撑在装置上的晶片。 晶片加热装置能够将晶片加热到氢等离子体反应性预清洁（RPC）工艺所需的最佳温度。 此外，脱气和预清洁可以在相同的预清洁室中进行。 本发明还包括使用包含晶片加热装置的预清洁室预清洁晶片的方法。

公开(公告)号：US07253501B2

公开(公告)日：2007-08-07

申请号：US10909980

申请日：2004-08-03

申请人： Hsien-Ming Lee ,  Jing-Cheng Lin ,  Shing-Chyang Pan ,  Ching-Hua Hsieh ,  Chao-Hsien Peng ,  Cheng-Lin Huang ,  Li-Lin Su ,  Shau-Lin Shue

发明人： Hsien-Ming Lee ,  Jing-Cheng Lin ,  Shing-Chyang Pan ,  Ching-Hua Hsieh ,  Chao-Hsien Peng ,  Cheng-Lin Huang ,  Li-Lin Su ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device having a nonconductive cap layer comprising a first metal element. The nonconductive cap layer comprises a first metal nitride, a first metal oxide, or a first metal oxynitride over conductive lines and an insulating material between the conductive lines. An interface region may be formed over the top surface of the conductive lines, the interface region including the metal element of the cap layer. The cap layer prevents the conductive material in the conductive lines from migrating or diffusing into adjacent subsequently formed insulating material layers. The cap layer may also function as an etch stop layer.

摘要翻译： 一种具有包括第一金属元件的非导电盖层的半导体器件。 非导电盖层包括导电线上的第一金属氮化物，第一金属氧化物或第一金属氧氮化物，以及导电线之间的绝缘材料。 界面区域可以形成在导电线的顶表面上，界面区域包括盖层的金属元件。 盖层防止导电线中的导电材料迁移或扩散到相邻的随后形成的绝缘材料层中。 盖层也可以用作蚀刻停止层。

公开(公告)号：US08236579B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US11686142

申请日：2007-03-14

申请人： Hsiao-Tzu Lu ,  Hung Chang Hsieh ,  Kuei Shun Chen ,  Hsueh-Hung Fu ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue

发明人： Hsiao-Tzu Lu ,  Hung Chang Hsieh ,  Kuei Shun Chen ,  Hsueh-Hung Fu ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G03F7/70725 ,  G03F7/70358 ,  G03F7/70783 ,  H01L21/67288

摘要： Methods and systems for lithographically exposing a substrate based on a curvature profile of the substrate.

摘要翻译： 基于基板的曲率轮廓光刻曝光基板的方法和系统。

公开(公告)号：US07443029B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11201845

申请日：2005-08-11

申请人： Jing Cheng Lin ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue ,  Mong-Song Liang

发明人： Jing Cheng Lin ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue ,  Mong-Song Liang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A new method and structure is provided for the creation of a copper dual damascene interconnect. A dual damascene structure is created in the layer of dielectric, optionally a metal barrier layer is deposited over exposed surfaces of the dual damascene structure. A copper seed layer is deposited, the dual damascene structure is filled with copper. An anneal is applied to the created copper interconnect after which excess copper is removed from the dielectric. Of critical importance to the invention, a thin layer of oxide is then deposited as a cap layer over the copper dual damascene interconnect, an etch stop layer is then deposited over the thin layer of oxide for continued upper-level metallization.

摘要翻译： 提供了一种新的方法和结构，用于创建铜双镶嵌互连。 在电介质层中产生双镶嵌结构，任选地，金属阻挡层沉积在双镶嵌结构的暴露表面上。 沉积铜籽晶层，双镶嵌结构填充铜。 对所制造的铜互连进行退火，之后从电介质去除多余的铜。 对本发明至关重要的是，然后在铜双镶嵌互连件上沉积薄层的氧化物作为覆盖层，然后将蚀刻停止层沉积在氧化物薄层上用于持续的上层金属化。

公开(公告)号：US20050260851A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US10850763

申请日：2004-05-20

申请人： Cheng-Lin Huang ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue

发明人： Cheng-Lin Huang ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76865 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862

摘要： A novel process for re-distributing a barrier layer deposited on a single damascene, dual damascene or other contact opening structure. The process includes providing a substrate having a contact opening structure and a metal barrier layer deposited in the contact opening structure, re-sputtering the barrier layer by bombarding the barrier layer with argon ions and metal ions, and re-sputtering the barrier layer by bombarding the barrier layer with argon ions.

摘要翻译： 一种用于重新分布沉积在单个镶嵌，双镶嵌或其他接触开口结构上的阻挡层的新方法。 该方法包括提供具有接触开口结构的衬底和沉积在接触开口结构中的金属阻挡层，通过用氩离子和金属离子轰击阻挡层来重新溅射阻挡层，并通过轰击来重新溅射阻挡层 阻挡层具有氩离子。

公开(公告)号：US20050054202A1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：US10655972

申请日：2003-09-04

申请人： Shing-Chyang Pan ,  Ching-Hua Hsieh ,  Jing-Cheng Lin ,  Hsien-Ming Lee ,  Cheng-Lin Huang ,  Shau-Lin Shue

发明人： Shing-Chyang Pan ,  Ching-Hua Hsieh ,  Jing-Cheng Lin ,  Hsien-Ming Lee ,  Cheng-Lin Huang ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873

摘要： A method for forming a copper damascene feature including providing a semiconductor process wafer including at least one via opening formed to extend through a thickness of at least one dielectric insulating layer and an overlying trench line opening encompassing the at least one via opening to form a dual damascene opening; etching through an etch stop layer at the at least one via opening bottom portion to expose an underlying copper area; carrying out a sub-atmospheric DEGAS process with simultaneous heating of the process wafer in a hydrogen containing ambient; carrying out an in-situ sputter-clean process; and, forming a barrier layer in-situ to line the dual damascene opening.

摘要翻译： 一种用于形成铜镶嵌特征的方法，包括提供半导体工艺晶片，其包括形成为延伸穿过至少一个介电绝缘层的厚度的至少一个通孔开口，以及覆盖所述至少一个通孔开口的上覆沟槽开口，以形成双重 大马士革开幕 在所述至少一个通孔开口底部处蚀刻通过蚀刻停止层以暴露下面的铜区域; 在含氢环境中同时加热工艺晶片，进行亚低温DEGAS工艺; 进行原位溅射清洗过程; 并且原位形成阻挡层以使双镶嵌开口成线。