公开(公告)号：US07390438B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US10802704

申请日：2004-03-17

申请人： Che-Hsiung Hsu ,  Yong Cao ,  Sunghan Kim ,  Daniel David Lecloux ,  Huawen Li ,  Charles Douglas MacPherson ,  Chi Zhang ,  Hjalti Skulason

发明人： Che-Hsiung Hsu ,  Yong Cao ,  Sunghan Kim ,  Daniel David Lecloux ,  Huawen Li ,  Charles Douglas MacPherson ,  Chi Zhang ,  Hjalti Skulason

IPC分类号： H01B1/12

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C08G61/126 ,  C08L65/00 ,  C08L81/08 ,  H01G11/48 ,  H01G11/56 ,  H01L51/0037 ,  Y02E10/549 ,  Y02E60/13 ,  Y10T428/31533 ,  C08L81/00 ,  C08L2666/02

摘要： Compositions are provided comprising aqueous dispersions of polythiophenes having homopolymers or co-polymers of Formula I(a) or Formula I(b) and at least one colloid-forming polymeric acid. Methods of making such compositions and using them in organic electronic devices are further provided.

摘要翻译： 提供了包含具有式I（a）或式I（b）的均聚物或共聚物和至少一种胶体形成聚合酸的聚噻吩的水分散体的组合物。 进一步提供制备这些组合物并将其用于有机电子器件中的方法。

公开(公告)号：US08641926B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12119771

申请日：2008-05-13

申请人： Che Hsiung Hsu ,  Yong Cao ,  Sunghan Kim ,  Daniel David Lecloux ,  Huawen Li ,  Charles Douglas Macpherson ,  Chi Zhang ,  Hjalti Skulason

发明人： Che Hsiung Hsu ,  Yong Cao ,  Sunghan Kim ,  Daniel David Lecloux ,  Huawen Li ,  Charles Douglas Macpherson ,  Chi Zhang ,  Hjalti Skulason

IPC分类号： H01B1/08 ,  C08L65/00 ,  C08G61/00 ,  H01L51/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C08G61/126 ,  C08L65/00 ,  C08L81/08 ,  H01G11/48 ,  H01G11/56 ,  H01L51/0037 ,  Y02E10/549 ,  Y02E60/13 ,  Y10T428/31533 ,  C08L81/00 ,  C08L2666/02

摘要： Devices are provided comprising conductive or semiconductive layers comprising compositions comprising aqueous dispersions of polythiophenes having homopolymers or co-polymers of Formula I(a) or Formula I(b) and at least one colloid-forming polymeric acid. Methods of making such compositions and using them in organic electronic devices are further provided.

摘要翻译： 提供了包括导电或半导电层的装置，其包含具有式I（a）或式I（b）的均聚物或共聚物的聚噻吩的水分散体和至少一种胶体形成聚合酸的组合物。 进一步提供制备这些组合物并将其用于有机电子器件中的方法。

公开(公告)号：US08585931B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US12181609

申请日：2008-07-29

申请人： Che-Hsiung Hsu ,  Yong Cao ,  Sunghan Kim ,  Daniel David Lecloux ,  Chi Zhang

发明人： Che-Hsiung Hsu ,  Yong Cao ,  Sunghan Kim ,  Daniel David Lecloux ,  Chi Zhang

IPC分类号： H01B1/12 ,  H01B1/20

CPC分类号： H01L51/0037 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C08G61/126 ,  C08L27/12 ,  C08L65/00 ,  C08L81/08 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/5088 ,  Y02E10/549 ,  C08L2666/02 ,  C08L81/00

摘要： Compositions are provided comprising a continuous liquid aqueous medium having dispersed therein a polydioxythiophene and at least one colloid-forming fluorinated polymeric acid. Films from invention compositions are useful as buffer layers in organic electronic devices, including electroluminescent devices, such as, for example, organic light emitting diodes (OLED) displays.

摘要翻译： 提供了包含其中分散有聚二氧噻吩和至少一种形成胶体的氟化聚合酸的连续液体水性介质的组合物。 来自本发明组合物的膜可用作有机电子器件中的缓冲层，包括电致发光器件，例如有机发光二极管（OLED）显示器。

公开(公告)号：US20080248314A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US12119771

申请日：2008-05-13

申请人： Che-Hsiung Hsu ,  Yong Cao ,  SungHan Kim ,  Daniel David Lecloux ,  Huawen Li ,  Charles Douglas Macpherson ,  Chi Zhang ,  Hjalti Skulason

发明人： Che-Hsiung Hsu ,  Yong Cao ,  SungHan Kim ,  Daniel David Lecloux ,  Huawen Li ,  Charles Douglas Macpherson ,  Chi Zhang ,  Hjalti Skulason

IPC分类号： B32B27/28 ,  H01B1/12

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C08G61/126 ,  C08L65/00 ,  C08L81/08 ,  H01G11/48 ,  H01G11/56 ,  H01L51/0037 ,  Y02E10/549 ,  Y02E60/13 ,  Y10T428/31533 ,  C08L81/00 ,  C08L2666/02

摘要： Devices are provided comprising conductive or semiconductive layers comprising compositions comprising aqueous dispersions of polythiophenes having homopolymers or co-polymers of Formula I(a) or Formula I(b) and at least one colloid-forming polymeric acid. Methods of making such compositions and using them in organic electronic devices are further provided.

摘要翻译： 提供了包括导电或半导电层的装置，其包含具有式I（a）或式I（b）的均聚物或共聚物的聚噻吩的水分散体和至少一种胶体形成聚合酸的组合物。 进一步提供制备这些组合物并将其用于有机电子器件中的方法。

公开(公告)号：US07431866B2

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US10669494

申请日：2003-09-24

申请人： Che-Hsiung Hsu ,  Yong Cao ,  Sunghan Kim ,  Daniel David Lecloux ,  Chi Zhang

发明人： Che-Hsiung Hsu ,  Yong Cao ,  Sunghan Kim ,  Daniel David Lecloux ,  Chi Zhang

IPC分类号： H01B1/12

CPC分类号： H01L51/0037 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C08G61/126 ,  C08L27/12 ,  C08L65/00 ,  C08L81/08 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/5088 ,  Y02E10/549 ,  C08L2666/02 ,  C08L81/00

摘要： Compositions are provided comprising aqueous dispersions of polythiophenes and colloid-forming polymeric acids. Films from invention compositions are useful as buffer layers in organic electronic devices, including electroluminescent devices, such as, for example, organic light emitting diodes (OLED) displays in combination with metal nanowires or carbon nanotubes in applications such as drain, source, or gate electrodes in thin film field effect transistors.

摘要翻译： 提供了包含聚噻吩和胶体形成聚合酸的水分散体的组合物。 来自本发明组合物的薄膜可用作有机电子器件中的缓冲层，包括电致发光器件，例如与金属纳米线或碳纳米管结合使用的有机发光二极管（OLED）显示器，例如漏极，源极或栅极 电极在薄膜场效应晶体管中。

公开(公告)号：US20070004899A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11165158

申请日：2005-06-23

申请人： Che-Hsiung Hsu ,  Yong Cao ,  Sunghan Kim ,  Daniel Lecloux ,  Chi Zhang

发明人： Che-Hsiung Hsu ,  Yong Cao ,  Sunghan Kim ,  Daniel Lecloux ,  Chi Zhang

IPC分类号： C08G75/32

CPC分类号： C09D165/00 ,  C08J3/03 ,  C08J2365/00 ,  C08L25/18 ,  C08L27/18 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1458 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/5088 ,  H05B33/14 ,  Y02E10/549 ,  C08L2666/22 ,  C08L2666/04

摘要： Compositions are provided comprising aqueous dispersions of polythiophenes and colloid-forming polymeric acids. Films from invention compositions are useful as buffer layers in organic electronic devices, including electroluminescent devices, such as, for example, organic light emitting diodes (OLED) displays in combination with metal nanowires or carbon nanotubes in applications such as drain, source, or gate electrodes in thin film field effect transistors.

摘要翻译： 提供了包含聚噻吩和胶体形成聚合酸的水分散体的组合物。 来自本发明组合物的薄膜可用作有机电子器件中的缓冲层，包括电致发光器件，例如与金属纳米线或碳纳米管结合使用的有机发光二极管（OLED）显示器，例如漏极，源极或栅极 电极在薄膜场效应晶体管中。

公开(公告)号：US08785913B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US12645647

申请日：2009-12-23

申请人： Che-Hsiung Hsu ,  Chi Zhang

发明人： Che-Hsiung Hsu ,  Chi Zhang

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/002 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/5088 ,  H01L2251/308 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/3154 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31692

摘要： The present invention relates to buffer bilayers, and their use in electronic devices. The bilayer has a first layer including (i) at least one electrically conductive polymer doped with at least one non-fluorinated polymeric acid and (ii) at least one highly-fluorinated acid polymer. The bilayer has a second layer which is a reacted layer from a metal which can be one or more transition metals, Group 13 metals, Group 14 metals, or lanthanide metals.

摘要翻译： 本发明涉及缓冲双层体及其在电子设备中的应用。 双层具有第一层，其包括（i）至少一种掺杂有至少一种非氟化聚合酸的导电聚合物和（ii）至少一种高度氟化的酸聚合物。 双层具有第二层，其是来自可以是一种或多种过渡金属，第13族金属，第14族金属或镧系金属的金属的反应层。

公开(公告)号：US20110042688A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12466879

申请日：2009-05-15

申请人： CHE-HSIUNG HSU ,  Chi Zhang

发明人： CHE-HSIUNG HSU ,  Chi Zhang

IPC分类号： B32B15/08 ,  B32B5/00 ,  H01L33/40

CPC分类号： C23C14/20 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/5088 ,  H01L2251/308 ,  Y10T428/269 ,  Y10T428/3154 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31692 ,  Y10T428/31696

摘要： The present invention relates to buffer bilayers, and their use in electronic devices. The bilayer has a first layer including (i) at least one electrically conductive polymer doped with at least one non-fluorinated polymeric acid and (ii) at least one highly-fluorinated acid polymer. The bilayer has a second layer including a metal which can be one or more transition metals, Group 13 metals, Group 14 metals, or lanthanide metals.

摘要翻译： 本发明涉及缓冲双层体及其在电子设备中的应用。 双层具有第一层，其包括（i）至少一种掺杂有至少一种非氟化聚合酸的导电聚合物和（ii）至少一种高度氟化的酸聚合物。 双层具有包括可以是一种或多种过渡金属，第13族金属，第14族金属或镧系金属的金属的第二层。

公开(公告)号：US08766239B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US12645634

申请日：2009-12-23

申请人： Chi Zhang ,  Che-Hsiung Hsu

发明人： Chi Zhang ,  Che-Hsiung Hsu

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/004 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/5088 ,  Y10T428/269 ,  Y10T428/31533 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31692

摘要： The present invention relates to buffer bilayers, and their use in electronic devices. The bilayer has a first layer including at least one electrically conductive polymer doped with at least one highly-fluorinated acid polymer. The second layer is a reacted layer from a metal which can be one or more transition metals, Group 13 metals, Group 14 metals, or lanthanide metals.

摘要翻译： 本发明涉及缓冲双层体及其在电子设备中的应用。 双层具有包含至少一种掺杂有至少一种高度氟化的酸性聚合物的导电聚合物的第一层。 第二层是来自可以是一种或多种过渡金属，第13族金属，第14族金属或镧系金属的金属的反应层。

公开(公告)号：US08216685B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US12466879

申请日：2009-05-15

申请人： Che-Hsiung Hsu ,  Chi Zhang

发明人： Che-Hsiung Hsu ,  Chi Zhang

IPC分类号： B32B15/04

CPC分类号： C23C14/20 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/5088 ,  H01L2251/308 ,  Y10T428/269 ,  Y10T428/3154 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31692 ,  Y10T428/31696

摘要： The present invention relates to buffer bilayers, and their use in electronic devices. The bilayer has a first layer including (i) at least one electrically conductive polymer doped with at least one non-fluorinated polymeric acid and (ii) at least one highly-fluorinated acid polymer. The bilayer has a second layer including a metal which can be one or more transition metals, Group 13 metals, Group 14 metals, or lanthanide metals.

摘要翻译： 本发明涉及缓冲双层体及其在电子设备中的应用。 双层具有第一层，其包括（i）至少一种掺杂有至少一种非氟化聚合酸的导电聚合物和（ii）至少一种高度氟化的酸聚合物。 双层具有包括可以是一种或多种过渡金属，第13族金属，第14族金属或镧系金属的金属的第二层。