公开(公告)号：US20130102122A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13712410

申请日：2012-12-12

申请人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

发明人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

IPC分类号： H01L49/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L24/48 ,  H01L25/16 ,  H01L28/10 ,  H01L28/60 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： The present invention relates to a semiconductor package and a method for making the same. The method includes the steps of: (a) providing a base material; (b) forming a first metal layer on the base material, wherein the first metal layer comprises a first inductor and a first lower electrode; (c) forming a first dielectric layer and a first upper electrode on the first lower electrode, wherein the first dielectric layer is disposed between the first upper electrode and the first lower electrode, and the first upper electrode, the first dielectric layer and the first lower electrode form a first capacitor; and (d) forming a first protective layer, so as to encapsulate the first inductor and the first capacitor.

摘要翻译： 半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及半导体封装及其制造方法。 该方法包括以下步骤：（a）提供基材; （b）在所述基材上形成第一金属层，其中所述第一金属层包括第一电感器和第一下电极; （c）在所述第一下电极上形成第一电介质层和第一上电极，其中所述第一电介质层设置在所述第一上电极和所述第一下电极之间，所述第一上电极，所述第一电介质层和所述第一电极 下电极形成第一电容器; 和（d）形成第一保护层，以封装第一电感器和第一电容器。

公开(公告)号：US20120175731A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13338087

申请日：2011-12-27

申请人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee ,  Hsu-Chiang Shih ,  Meng-Wei Hsieh

发明人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee ,  Hsu-Chiang Shih ,  Meng-Wei Hsieh

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/016 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/60 ,  H01L23/64 ,  H01L25/0657 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention relates to a semiconductor structure having an integrated passive network and a method for making the same. The semiconductor structure includes a substrate which can be an interposer. The substrate can include a plurality of conductive vias. In various embodiments, the substrate includes a dielectric layer disposed thereon, the dielectric layer having an opening forming a straight hole allowing electrical connection between the passive network and the conductive via. The passive network includes a series of patterned dielectric and conductive layers, forming passive electronic components. In an embodiment, the passive device includes a common resistor coupled to a pair of inductors, each of the inductors coupled to a capacitor. In another embodiment, the passive device includes a resistor and an inductor electrically connected to each other, a bottom surface of the inductor coplanar with a bottom surface of the resistor.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有集成无源网络的半导体结构及其制造方法。 半导体结构包括可以是插入件的衬底。 衬底可以包括多个导电通孔。 在各种实施例中，衬底包括设置在其上的电介质层，电介质层具有形成直孔的开口，允许无源网络和导电通孔之间的电连接。 无源网络包括一系列图案化的电介质层和导电层，形成无源电子元件。 在一个实施例中，无源器件包括耦合到一对电感器的公共电阻器，每个电感器耦合到电容器。 在另一个实施例中，无源器件包括电阻器和电感器，它们彼此电连接，电感器的底表面与电阻器的底表面共面。

公开(公告)号：US20110156204A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12795357

申请日：2010-06-07

申请人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

发明人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L24/48 ,  H01L25/16 ,  H01L28/10 ,  H01L28/60 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： The present invention relates to a semiconductor package and a method for making the same. The semiconductor package includes a base material, a first metal layer, a first dielectric layer, a first upper electrode and a first protective layer. The first metal layer is disposed on a first surface of the base material, and includes a first inductor and a first lower electrode. The first dielectric layer is disposed on the first lower electrode. The first upper electrode is disposed on the first dielectric layer, and the first upper electrode, the first dielectric layer and the first lower electrode form a first capacitor. The first protective layer encapsulates the first inductor and the first capacitor. Whereby, the first inductor and the first lower electrode of the first capacitor are disposed on the same layer, so that the thickness of the product is reduced.

摘要翻译： 半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及半导体封装及其制造方法。 半导体封装包括基底材料，第一金属层，第一介电层，第一上电极和第一保护层。 第一金属层设置在基材的第一表面上，并且包括第一电感器和第一下电极。 第一介电层设置在第一下电极上。 第一上电极设置在第一电介质层上，第一上电极，第一电介质层和第一下电极形成第一电容器。 第一保护层封装第一电感器和第一电容器。 由此，第一电容器的第一电感器和第一下电极设置在同一层上，从而减小了产品的厚度。

公开(公告)号：US08853819B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13338087

申请日：2011-12-27

申请人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee ,  Hsu-Chiang Shih ,  Meng-Wei Hsieh

发明人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee ,  Hsu-Chiang Shih ,  Meng-Wei Hsieh

IPC分类号： H01L27/08 ,  H01L23/498 ,  H01L49/02 ,  H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H01L23/14 ,  H01L27/01 ,  H01L25/065 ,  H01L21/768 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L27/016 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/60 ,  H01L23/64 ,  H01L25/0657 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention relates to a semiconductor structure having an integrated passive network and a method for making the same. The semiconductor structure includes a substrate which can be an interposer. The substrate can include a plurality of conductive vias. In various embodiments, the substrate includes a dielectric layer disposed thereon, the dielectric layer having an opening forming a straight hole allowing electrical connection between the passive network and the conductive via. The passive network includes a series of patterned dielectric and conductive layers, forming passive electronic components. In an embodiment, the passive device includes a common resistor coupled to a pair of inductors, each of the inductors coupled to a capacitor. In another embodiment, the passive device includes a resistor and an inductor electrically connected to each other, a bottom surface of the inductor coplanar with a bottom surface of the resistor.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有集成无源网络的半导体结构及其制造方法。 半导体结构包括可以是插入件的衬底。 衬底可以包括多个导电通孔。 在各种实施例中，衬底包括设置在其上的电介质层，电介质层具有形成直孔的开口，允许无源网络和导电通孔之间的电连接。 无源网络包括一系列图案化的电介质层和导电层，形成无源电子元件。 在一个实施例中，无源器件包括耦合到一对电感器的公共电阻器，每个电感器耦合到电容器。 在另一个实施例中，无源器件包括电阻器和电感器，它们彼此电连接，电感器的底表面与电阻器的底表面共面。

公开(公告)号：US08368173B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12795357

申请日：2010-06-07

申请人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

发明人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

IPC分类号： H01L27/08

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L24/48 ,  H01L25/16 ,  H01L28/10 ,  H01L28/60 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： The present invention relates to a semiconductor package and a method for making the same. The semiconductor package includes a base material, a first metal layer, a first dielectric layer, a first upper electrode and a first protective layer. The first metal layer is disposed on a first surface of the base material, and includes a first inductor and a first lower electrode. The first dielectric layer is disposed on the first lower electrode. The first upper electrode is disposed on the first dielectric layer, and the first upper electrode, the first dielectric layer and the first lower electrode form a first capacitor. The first protective layer encapsulates the first inductor and the first capacitor. Whereby, the first inductor and the first lower electrode of the first capacitor are disposed on the same layer, so that the thickness of the product is reduced.

摘要翻译： 半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及半导体封装及其制造方法。 半导体封装包括基底材料，第一金属层，第一介电层，第一上电极和第一保护层。 第一金属层设置在基材的第一表面上，并且包括第一电感器和第一下电极。 第一介电层设置在第一下电极上。 第一上电极设置在第一电介质层上，第一上电极，第一电介质层和第一下电极形成第一电容器。 第一保护层封装第一电感器和第一电容器。 由此，第一电容器的第一电感器和第一下电极设置在同一层上，从而减小了产品的厚度。

公开(公告)号：US08778769B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13723782

申请日：2012-12-21

申请人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

发明人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention relates to a semiconductor package and a method for making the same. The semiconductor package includes a substrate, a first capacitor, a first protective layer, a first metal layer and a second protective layer. The substrate has at least one via structure. The first capacitor is disposed on a first surface of the substrate. The first protective layer encapsulates the first capacitor. The first metal layer is disposed on the first protective layer, and includes a first inductor. The second protective layer encapsulates the first inductor. Whereby, the first inductor, the first capacitor and the via structure are integrated into the semiconductor package, so that the size of the product is reduced.

摘要翻译： 半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及半导体封装及其制造方法。 半导体封装包括衬底，第一电容器，第一保护层，第一金属层和第二保护层。 衬底具有至少一个通孔结构。 第一电容器设置在基板的第一表面上。 第一保护层封装第一电容器。 第一金属层设置在第一保护层上，并且包括第一电感器。 第二保护层封装第一电感器。 由此，第一电感器，第一电容器和通孔结构被集成到半导体封装中，从而减小了产品的尺寸。

公开(公告)号：US20130115749A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13723782

申请日：2012-12-21

申请人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

发明人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

IPC分类号： H01L49/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention relates to a semiconductor package and a method for making the same. The semiconductor package includes a substrate, a first capacitor, a first protective layer, a first metal layer and a second protective layer. The substrate has at least one via structure. The first capacitor is disposed on a first surface of the substrate. The first protective layer encapsulates the first capacitor. The first metal layer is disposed on the first protective layer, and includes a first inductor. The second protective layer encapsulates the first inductor. Whereby, the first inductor, the first capacitor and the via structure are integrated into the semiconductor package, so that the size of the product is reduced.

摘要翻译： 半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及半导体封装及其制造方法。 半导体封装包括衬底，第一电容器，第一保护层，第一金属层和第二保护层。 衬底具有至少一个通孔结构。 第一电容器设置在基板的第一表面上。 第一保护层封装第一电容器。 第一金属层设置在第一保护层上，并且包括第一电感器。 第二保护层封装第一电感器。 由此，第一电感器，第一电容器和通孔结构被集成到半导体封装中，使得产品的尺寸减小。

公开(公告)号：US08274133B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12821800

申请日：2010-06-23

申请人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

发明人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention relates to a semiconductor package and a method for making the same. The semiconductor package comprises a substrate, a first metal layer, a first dielectric layer, a first upper electrode, a first protective layer, a second metal layer and a second protective layer. The substrate has at least one via structure. The first metal layer is disposed on a first surface of the substrate, and comprises a first lower electrode. The first dielectric layer is disposed on the first lower electrode. The first upper electrode is disposed on the first dielectric layer, and the first upper electrode, the first dielectric layer and the first lower electrode form a first capacitor. The first protective layer encapsulates the first capacitor. The second metal layer is disposed on the first protective layer, and comprises a first inductor. The second protective layer encapsulates the first inductor. Whereby, the first inductor, the first capacitor and the via structure are integrated into the semiconductor package, so that the size of the product is reduced.

摘要翻译： 半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及半导体封装及其制造方法。 半导体封装包括衬底，第一金属层，第一介电层，第一上电极，第一保护层，第二金属层和第二保护层。 衬底具有至少一个通孔结构。 第一金属层设置在基板的第一表面上，并且包括第一下电极。 第一介电层设置在第一下电极上。 第一上电极设置在第一电介质层上，第一上电极，第一电介质层和第一下电极形成第一电容器。 第一保护层封装第一电容器。 第二金属层设置在第一保护层上，并且包括第一电感器。 第二保护层封装第一电感器。 由此，第一电感器，第一电容器和通孔结构被集成到半导体封装中，使得产品的尺寸减小。

公开(公告)号：US08415790B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US12796279

申请日：2010-06-08

申请人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

发明人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention relates to a semiconductor package and a method for making the same. The semiconductor package includes a substrate, a first capacitor, a first protective layer, a first metal layer and a second protective layer. The substrate has at least one via structure. The first capacitor is disposed on a first surface of the substrate. The first protective layer encapsulates the first capacitor. The first metal layer is disposed on the first protective layer, and includes a first inductor. The second protective layer encapsulates the first inductor. Whereby, the first inductor, the first capacitor and the via structure are integrated into the semiconductor package, so that the size of the product is reduced.

摘要翻译： 半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及半导体封装及其制造方法。 半导体封装包括衬底，第一电容器，第一保护层，第一金属层和第二保护层。 衬底具有至少一个通孔结构。 第一电容器设置在基板的第一表面上。 第一保护层封装第一电容器。 第一金属层设置在第一保护层上，并且包括第一电感器。 第二保护层封装第一电感器。 由此，第一电感器，第一电容器和通孔结构被集成到半导体封装中，使得产品的尺寸减小。

公开(公告)号：US20110156247A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12821800

申请日：2010-06-23

申请人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

发明人： Chien-Hua Chen ,  Teck-Chong Lee

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention relates to a semiconductor package and a method for making the same. The semiconductor package comprises a substrate, a first metal layer, a first dielectric layer, a first upper electrode, a first protective layer, a second metal layer and a second protective layer. The substrate has at least one via structure. The first metal layer is disposed on a first surface of the substrate, and comprises a first lower electrode. The first dielectric layer is disposed on the first lower electrode. The first upper electrode is disposed on the first dielectric layer, and the first upper electrode, the first dielectric layer and the first lower electrode form a first capacitor. The first protective layer encapsulates the first capacitor. The second metal layer is disposed on the first protective layer, and comprises a first inductor. The second protective layer encapsulates the first inductor. Whereby, the first inductor, the first capacitor and the via structure are integrated into the semiconductor package, so that the size of the product is reduced.

摘要翻译： 半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及半导体封装及其制造方法。 半导体封装包括衬底，第一金属层，第一介电层，第一上电极，第一保护层，第二金属层和第二保护层。 衬底具有至少一个通孔结构。 第一金属层设置在基板的第一表面上，并且包括第一下电极。 第一介电层设置在第一下电极上。 第一上电极设置在第一电介质层上，第一上电极，第一电介质层和第一下电极形成第一电容器。 第一保护层封装第一电容器。 第二金属层设置在第一保护层上，并且包括第一电感器。 第二保护层封装第一电感器。 由此，第一电感器，第一电容器和通孔结构被集成到半导体封装中，使得产品的尺寸减小。