利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

21 条记录 (耗时 0.029 秒)

    ELECTRICAL FUSE STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    1.
    发明申请
    ELECTRICAL FUSE STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
    电熔丝结构及其制造方法

    公开(公告)号：US20100148915A1

    公开(公告)日：2010-06-17

    申请号：US12335510

    申请日：2008-12-15

    申请人： Chien-Li Kuo ,  Yung-Chang Lin ,  Kuei-Sheng Wu ,  San-Fu Lin

    发明人： Chien-Li Kuo ,  Yung-Chang Lin ,  Kuei-Sheng Wu ,  San-Fu Lin

    IPC分类号： H01H85/04

    CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An electrical fuse structure is disclosed. The electrical fuse structure includes a fuse element disposed on surface of a semiconductor substrate, a cathode electrically connected to one end of the fuse element, and an anode electrically connected to another end of the fuse element. Specifically, a compressive stress layer is disposed on at least a portion of the fuse element.

    摘要翻译： 公开了电熔丝结构。 电熔丝结构包括设置在半导体衬底的表面上的熔丝元件，与熔丝元件的一端电连接的阴极以及与熔丝元件的另一端电连接的阳极。 具体而言，压电应力层设置在熔丝元件的至少一部分上。

    Electrical fuse structure
    2.
    发明授权
    Electrical fuse structure 有权
    电熔丝结构

    公开(公告)号：US08026573B2

    公开(公告)日：2011-09-27

    申请号：US12335510

    申请日：2008-12-15

    申请人： Chien-Li Kuo ,  Yung-Chang Lin ,  Kuei-Sheng Wu ,  San-Fu Lin

    发明人： Chien-Li Kuo ,  Yung-Chang Lin ,  Kuei-Sheng Wu ,  San-Fu Lin

    IPC分类号： H01L23/52

    CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An electrical fuse structure is disclosed. The electrical fuse structure includes a fuse element disposed on surface of a semiconductor substrate, a cathode electrically connected to one end of the fuse element, and an anode electrically connected to another end of the fuse element. Specifically, a compressive stress layer is disposed on at least a portion of the fuse element.

    摘要翻译： 公开了电熔丝结构。 电熔丝结构包括设置在半导体衬底的表面上的熔丝元件，与熔丝元件的一端电连接的阴极以及与熔丝元件的另一端电连接的阳极。 具体而言，压电应力层设置在熔丝元件的至少一部分上。

    Contact efuse structure
    3.
    发明授权
    Contact efuse structure 有权
    联系efuse结构

    公开(公告)号：US08035191B2

    公开(公告)日：2011-10-11

    申请号：US12326106

    申请日：2008-12-02

    申请人： Yung-Chang Lin ,  Kuei-Sheng Wu ,  San-Fu Lin ,  Hui-Shen Shih

    发明人： Yung-Chang Lin ,  Kuei-Sheng Wu ,  San-Fu Lin ,  Hui-Shen Shih

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： H01L27/112 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/11206 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A contact efuse structure includes a silicon layer and a contact contacting the silicon layer with one end. When a voltage is applied to the contact, a void is formed at the end of the contact, and thus the contact is open. Such structure may be utilized in an efuse device or a read only memory. A method of making a contact efuse device and a method of making a read only memory are also disclosed.

    摘要翻译： 接触式熔点结构包括硅层和接触硅层与一端的接触。 当对触点施加电压时，在接触端部形成空隙，因此触点断开。 这种结构可以用在efuse设备或只读存储器中。 还公开了制造接触式充电装置的方法和制造只读存储器的方法。

    Phase change memory
    8.
    发明授权
    Phase change memory 有权
    相变记忆

    公开(公告)号：US08035097B2

    公开(公告)日：2011-10-11

    申请号：US12325801

    申请日：2008-12-01

    申请人： Chien-Li Kuo ,  Yung-Chang Lin ,  Kuei-Sheng Wu ,  Chien-Hsien Chen

    发明人： Chien-Li Kuo ,  Yung-Chang Lin ,  Kuei-Sheng Wu ,  Chien-Hsien Chen

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C5/063 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2445 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： A phase change memory is provided, which includes a semiconductor substrate having a first conductive type, buried word lines having a second conductive type, doped semiconductor layers having the first conductive type, memory cells, metal silicide layers, and bit lines. The buried word lines are disposed in the semiconductor substrate. Each buried word line includes a line-shaped main portion extended along a first direction and protrusion portions. Each protrusion portion is connected to one long side of the line-shaped main portion. Each doped semiconductor layer is disposed on one protrusion portion. Each memory cell includes a phase change material layer and is disposed on and electrically connected to one of the doped semiconductor layers. Each metal silicide layer is disposed on one of the line-shaped main portions. Each bit line is connected to memory cells disposed on the word lines in a second direction substantially perpendicular to the first direction.

    摘要翻译： 提供了一种相变存储器，其包括具有第一导电类型的半导体衬底，具有第二导电类型的埋入字线，具有第一导电类型的掺杂半导体层，存储单元，金属硅化物层和位线。 掩埋字线设置在半导体衬底中。 每个掩埋字线包括沿着第一方向延伸的线状主体部分和突出部分。 每个突起部分连接到线状主体部分的一个长边。 每个掺杂半导体层设置在一个突出部分上。 每个存储单元包括相变材料层，并且被布置在一个掺杂半导体层上并与其电连接。 每个金属硅化物层设置在一个线状主要部分上。 每个位线以基本上垂直于第一方向的第二方向连接到设置在字线上的存储单元。

    PHASE CHANGE MEMORY
    10.
    发明申请
    PHASE CHANGE MEMORY 有权
    相变记忆

    公开(公告)号：US20100133503A1

    公开(公告)日：2010-06-03

    申请号：US12325801

    申请日：2008-12-01

    申请人： Chien-Li Kuo ,  Yung-Chang Lin ,  Kuei-Sheng Wu ,  Chien-Hsien Chen

    发明人： Chien-Li Kuo ,  Yung-Chang Lin ,  Kuei-Sheng Wu ,  Chien-Hsien Chen

    IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C11/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C5/063 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2445 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： A phase change memory is provided, which includes a semiconductor substrate having a first conductive type, buried word lines having a second conductive type, doped semiconductor layers having the first conductive type, memory cells, metal silicide layers, and bit lines. The buried word lines are disposed in the semiconductor substrate. Each buried word line includes a line-shaped main portion extended along a first direction and protrusion portions. Each protrusion portion is connected to one long side of the line-shaped main portion. Each doped semiconductor layer is disposed on one protrusion portion. Each memory cell includes a phase change material layer and is disposed on and electrically connected to one of the doped semiconductor layers. Each metal silicide layer is disposed on one of the line-shaped main portions. Each bit line is connected to memory cells disposed on the word lines in a second direction substantially perpendicular to the first direction.

    摘要翻译： 提供了一种相变存储器，其包括具有第一导电类型的半导体衬底，具有第二导电类型的埋入字线，具有第一导电类型的掺杂半导体层，存储单元，金属硅化物层和位线。 掩埋字线设置在半导体衬底中。 每个掩埋字线包括沿着第一方向延伸的线状主体部分和突出部分。 每个突起部分连接到线状主体部分的一个长边。 每个掺杂半导体层设置在一个突出部分上。 每个存储单元包括相变材料层，并且被布置在一个掺杂半导体层上并与其电连接。 每个金属硅化物层设置在一个线状主要部分上。 每个位线以基本上垂直于第一方向的第二方向连接到设置在字线上的存储单元。