公开(公告)号：US20130210212A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13396515

申请日：2012-02-14

申请人： Chih-Hui Weng ,  Wei-Sheng Yun ,  Shao-Ming Yu ,  Hsin-Chih Chen ,  Chih-Hsin Ko ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Chih-Hui Weng ,  Wei-Sheng Yun ,  Shao-Ming Yu ,  Hsin-Chih Chen ,  Chih-Hsin Ko ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/32 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823481 ,  H01L25/50 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of manufacturing semiconductor devices are disclosed. In one embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes providing a workpiece, and forming a protective material over a bottom surface and edges of the workpiece. A top surface of the workpiece is processed. The protective material protects the edges and the bottom surface of the workpiece during the processing of the top surface of the workpiece.

摘要翻译： 公开了制造半导体器件的方法。 在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括提供工件，以及在工件的底表面和边缘上形成保护材料。 加工工件的顶面。 保护材料在加工工件的上表面时保护工件的边缘和底面。

公开(公告)号：US08809202B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US13396515

申请日：2012-02-14

申请人： Chih-Hui Weng ,  Wei-Sheng Yun ,  Shao-Ming Yu ,  Hsin-Chih Chen ,  Chih-Hsin Ko ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Chih-Hui Weng ,  Wei-Sheng Yun ,  Shao-Ming Yu ,  Hsin-Chih Chen ,  Chih-Hsin Ko ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/32 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823481 ,  H01L25/50 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of manufacturing semiconductor devices are disclosed. In one embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes providing a workpiece, and forming a protective material over a bottom surface and edges of the workpiece. A top surface of the workpiece is processed. The protective material protects the edges and the bottom surface of the workpiece during the processing of the top surface of the workpiece.

摘要翻译： 公开了制造半导体器件的方法。 在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括提供工件，以及在工件的底表面和边缘上形成保护材料。 加工工件的顶面。 保护材料在加工工件的上表面时保护工件的边缘和底面。

公开(公告)号：US08241823B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US13248932

申请日：2011-09-29

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： G03G5/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： Provided is a photolithography apparatus including a photomask. The photomask includes a pattern having a plurality of features, in an example, dummy line features. The pattern includes a first region being in the form of a localized on-grid array and a second region where at least one of the features has an increased width. The apparatus may include a second photomask which may define an active region. The feature with an increased width may be adjacent, and outside, the defined active region.

摘要翻译： 提供了一种包括光掩模的光刻设备。 光掩模包括具有多个特征的图案，在示例中为虚线特征。 该图案包括呈局部网格阵列形式的第一区域和其中至少一个特征具有增加的宽度的第二区域。 该装置可以包括可以限定有源区域的第二光掩模。 具有增加的宽度的特征可以与所定义的有效区域相邻并且在外部。

公开(公告)号：US08039179B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12980764

申请日：2010-12-29

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F9/00

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： Provided is a photolithography apparatus including a photomask. The photomask includes a pattern having a plurality, of features, in an example, dummy line features. The pattern includes a first region being in the form of a localized on-grid array and a second region where at least one of the features has an increased width. The apparatus may include a second photomask which may define an active region. The feature with an increased width may be adjacent, and outside, the defined active region.

摘要翻译： 提供了一种包括光掩模的光刻设备。 光掩模包括具有多个特征的图案，在示例中为假线特征。 该图案包括呈局部网格阵列形式的第一区域和其中至少一个特征具有增加的宽度的第二区域。 该装置可以包括可以限定有源区域的第二光掩模。 具有增加的宽度的特征可以与所定义的有效区域相邻并且在外部。

公开(公告)号：US07862962B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US12356405

申请日：2009-01-20

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： G03F9/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： Provided is a method including layout design of an integrated circuit. A first pattern is provided. The first pattern includes an array of dummy line features and a plurality of spacer elements abutting the dummy line features. A second pattern is provided. The second pattern defines an active region of an integrated circuit device. An edge spacer element of the active region is determined. A dummy line feature of the array of dummy line features is biased (e.g., increased in width), the dummy line feature is adjacent an edge spacer element.

摘要翻译： 提供了一种包括集成电路的布局设计的方法。 提供了第一种模式。 第一图案包括虚线特征的阵列和与虚线特征相邻的多个间隔元件。 提供了第二种模式。 第二图案定义了集成电路器件的有源区。 确定有源区的边缘间隔元件。 假线特征阵列的虚线特征被偏置（例如，宽度增加），虚线特征与边缘间隔元件相邻。

公开(公告)号：US20120021589A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13248932

申请日：2011-09-29

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： Provided is a photolithography apparatus including a photomask. The photomask includes a pattern having a plurality of features, in an example, dummy line features. The pattern includes a first region being in the form of a localized on-grid array and a second region where at least one of the features has an increased width. The apparatus may include a second photomask which may define an active region. The feature with an increased width may be adjacent, and outside, the defined active region.

摘要翻译： 提供了一种包括光掩模的光刻设备。 光掩模包括具有多个特征的图案，在示例中为虚线特征。 该图案包括呈局部网格阵列形式的第一区域和其中至少一个特征具有增加的宽度的第二区域。 该装置可以包括可以限定有源区域的第二光掩模。 具有增加的宽度的特征可以与所定义的有效区域相邻并且在外部。

公开(公告)号：US20100183961A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12356405

申请日：2009-01-20

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： G03F7/20 ,  G06F17/50 ,  G03F1/00 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： Provided is a method including layout design of an integrated circuit. A first pattern is provided. The first pattern includes an array of dummy line features and a plurality of spacer elements abutting the dummy line features. A second pattern is provided. The second pattern defines an active region of an integrated circuit device. An edge spacer element of the active region is determined. A dummy line feature of the array of dummy line features is biased (e.g., increased in width), the dummy line feature is adjacent an edge spacer element.

摘要翻译： 提供了一种包括集成电路的布局设计的方法。 提供了第一种模式。 第一图案包括虚线特征的阵列和与虚线特征相邻的多个间隔元件。 提供了第二种模式。 第二图案定义了集成电路器件的有源区。 确定有源区的边缘间隔元件。 假线特征阵列的虚线特征被偏置（例如，宽度增加），虚线特征与边缘间隔元件相邻。

公开(公告)号：US08623718B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13247570

申请日：2011-09-28

申请人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Shao-Ming Yu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Shao-Ming Yu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66803

摘要： In a method for forming FinFETs, a photo resist is formed to cover a first semiconductor fin in a wafer, wherein a second semiconductor fin adjacent to the first semiconductor fin is not covered by the photo resist. An edge of the photo resist between and parallel to the first and the second semiconductor fins is closer to the first semiconductor fin than to the second semiconductor fin. A tilt implantation is performed to form a lightly-doped source/drain region in the second semiconductor fin, wherein the first tilt implantation is tilted from the second semiconductor fin toward the first semiconductor fin.

摘要翻译： 在形成FinFET的方法中，形成光致抗蚀剂以覆盖晶片中的第一半导体鳍片，其中与第一半导体鳍片相邻的第二半导体鳍片不被光致抗蚀剂覆盖。 第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间的平行于第一和第二半导体鳍片的光刻胶的边缘比第二半导体鳍片更靠近第一半导体鳍片。 进行倾斜注入以在第二半导体鳍片中形成轻掺杂的源极/漏极区域，其中第一倾斜注入从第二半导体鳍片向第一半导体鳍片倾斜。

公开(公告)号：US20130078772A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13247570

申请日：2011-09-28

申请人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Shao-Ming Yu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Shao-Ming Yu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66803

摘要： In a method for forming FinFETs, a photo resist is formed to cover a first semiconductor fin in a wafer, wherein a second semiconductor fin adjacent to the first semiconductor fin is not covered by the photo resist. An edge of the photo resist between and parallel to the first and the second semiconductor fins is closer to the first semiconductor fin than to the second semiconductor fin. A tilt implantation is performed to form a lightly-doped source/drain region in the second semiconductor fin, wherein the first tilt implantation is tilted from the second semiconductor fin toward the first semiconductor fin.

摘要翻译： 在形成FinFET的方法中，形成光致抗蚀剂以覆盖晶片中的第一半导体鳍片，其中与第一半导体鳍片相邻的第二半导体鳍片不被光致抗蚀剂覆盖。 第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间的平行于第一和第二半导体鳍片的光刻胶的边缘比第二半导体鳍片更靠近第一半导体鳍片。 进行倾斜注入以在第二半导体鳍片中形成轻掺杂的源极/漏极区域，其中第一倾斜注入从第二半导体鳍片向第一半导体鳍片倾斜。

公开(公告)号：US20110151359A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12980764

申请日：2010-12-29

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  G06F17/50

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： Provided is a photolithography apparatus including a photomask. The photomask includes a pattern having a plurality, of features, in an example, dummy line features. The pattern includes a first region being in the form of a localized on-grid array and a second region where at least one of the features has an increased width. The apparatus may include a second photomask which may define an active region. The feature with an increased width may be adjacent, and outside, the defined active region.

摘要翻译： 提供了一种包括光掩模的光刻设备。 光掩模包括具有多个特征的图案，在示例中为假线特征。 该图案包括呈局部网格阵列形式的第一区域和其中至少一个特征具有增加的宽度的第二区域。 该装置可以包括可以限定有源区域的第二光掩模。 具有增加的宽度的特征可以与所定义的有效区域相邻并且在外部。