公开(公告)号：US07855383B2

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：US11979667

申请日：2007-11-07

申请人： Ching-Yeh Kuo ,  Tsung-Chi Cheng ,  Yu-Chou Lee ,  Yea-Chung Shih ,  Wen-Kuang Tsao ,  Hsiang-Hsien Chung ,  Hung-Yi Hsu ,  Jui-Chung Chang

发明人： Ching-Yeh Kuo ,  Tsung-Chi Cheng ,  Yu-Chou Lee ,  Yea-Chung Shih ,  Wen-Kuang Tsao ,  Hsiang-Hsien Chung ,  Hung-Yi Hsu ,  Jui-Chung Chang

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786

摘要： A semiconductor device and its manufacturing method are disclosed. The nitrogen flow is gradually changed to form a semiconductor device with a gate or a source/drain having a nitrified gradient layer structure. Different extents of nitrification inside the nitrified gradient layer structure provide protection and buffering to prevent the undercut after etching due to different materials in the multilayer structure or the interface effect.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件及其制造方法。 氮气流逐渐变化以形成具有硝化梯度层结构的栅极或源极/漏极的半导体器件。 硝化梯度层结构内的不同硝化程度提供保护和缓冲，以防止由于多层结构中的不同材料或界面效应而导致的蚀刻后的底切。

公开(公告)号：US20080061327A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11979667

申请日：2007-11-07

申请人： Ching-Yeh Kuo ,  Tsung-Chi Cheng ,  Yu-Chou Lee ,  Yea-Chung Shih ,  Wen-Kuang Tsao ,  Hsiang-Hsien Chung ,  Hung-Yi Hsu ,  Jui-Chung Chang

发明人： Ching-Yeh Kuo ,  Tsung-Chi Cheng ,  Yu-Chou Lee ,  Yea-Chung Shih ,  Wen-Kuang Tsao ,  Hsiang-Hsien Chung ,  Hung-Yi Hsu ,  Jui-Chung Chang

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786

摘要： A semiconductor device and its manufacturing method are disclosed. The nitrogen flow is gradually changed to form a semiconductor device with a gate or a source/drain having a nitrified gradient layer structure. Different extents of nitrification inside the nitrified gradient layer structure provide protection and buffering to prevent the undercut after etching due to different materials in the multilayer structure or the interface effect.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件及其制造方法。 氮气流逐渐变化以形成具有硝化梯度层结构的栅极或源极/漏极的半导体器件。 硝化梯度层结构内的不同硝化程度提供保护和缓冲，以防止由于多层结构中的不同材料或界面效应而导致的蚀刻后的底切。

公开(公告)号：US20060197089A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：US11070216

申请日：2005-03-03

申请人： Ching-Yeh Kuo ,  Tsung-Chi Cheng ,  Yu-Chou Lee ,  Yea-Chung Shih ,  Wen-Kuang Tsao ,  Hsiang-Hsien Chung ,  Hung-Yi Hsu ,  Jui-Chung Chang

发明人： Ching-Yeh Kuo ,  Tsung-Chi Cheng ,  Yu-Chou Lee ,  Yea-Chung Shih ,  Wen-Kuang Tsao ,  Hsiang-Hsien Chung ,  Hung-Yi Hsu ,  Jui-Chung Chang

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786

摘要： A semiconductor device and its manufacturing method are disclosed. The nitrogen flow is gradually changed to form a semiconductor device with a gate or a source/drain having a nitrified gradient layer structure. Different extents of nitrification inside the nitrified gradient layer structure provide protection and buffering to prevent the undercut after etching due to different materials in the multilayer structure or the interface effect.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件及其制造方法。 氮气流逐渐变化以形成具有硝化梯度层结构的栅极或源极/漏极的半导体器件。 硝化梯度层结构内的不同硝化程度提供保护和缓冲，以防止由于多层结构中的不同材料或界面效应而导致的蚀刻后的底切。

公开(公告)号：US07501652B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US10611896

申请日：2003-07-03

申请人： Yu-Chou Lee ,  Tsung-Chi Cheng

发明人： Yu-Chou Lee ,  Tsung-Chi Cheng

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： A thin film transistor source/drain structure and the manufacturing method thereof are disclosed. The thin film transistor source/drain structure uses a sandwich structure to reduce the resistivity of the source/drain and upgrade the reliability. The sandwich structure preferably comprises a structure of AlNdN alloy/AlNd alloy/AlNdN alloy. The AlNdN alloy is used as a buffer layer or a diffusion barrier to prevent the AlNd alloy and an amorphous silicon layer from diffusing into each other. The other AlNdN alloy is used as a glue layer and to protect the AlNd alloy from being over-etched. The other AlNdN alloy can also prevent the AlNd alloy and the following formed ITO from contact and interaction.

摘要翻译： 公开了薄膜晶体管源极/漏极结构及其制造方法。 薄膜晶体管源极/漏极结构使用夹层结构来降低源极/漏极的电阻率并提高可靠性。 夹层结构优选包括AlNdN合金/ AlNd合金/ AlNdN合金的结构。 AlNdN合金用作缓冲层或扩散阻挡层，以防止AlNd合金和非晶硅层彼此扩散。 另一种AlNdN合金用作胶层并保护AlNd合金不被过蚀刻。 另一种AlNdN合金还可以防止AlNd合金和以下形成的ITO接触和相互作用。

公开(公告)号：US20060144695A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US10907189

申请日：2005-03-24

申请人： Yu-Chou Lee ,  Tsung-Chi Cheng ,  Hung-I Hsu

发明人： Yu-Chou Lee ,  Tsung-Chi Cheng ,  Hung-I Hsu

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： C23C14/086

摘要： A sputtering process of indium tin oxide (ITO) is provided. The sputtering process includes the following steps. First, a substrate is moved into a reaction chamber, wherein an ITO target is disposed inside the reaction chamber. Then, a plasma gas and a reaction gas are provided into the reaction chamber to form an ITO layer on the substrate. The reaction gas comprises at least hydrogen having a volume ratio of 1%˜4% based on the total gas volume in the reaction chamber. Furthermore, a method of forming an indium tin oxide layer is also provided.

摘要翻译： 提供氧化铟锡（ITO）的溅射工艺。 溅射工艺包括以下步骤。 首先，将基板移动到反应室中，其中ITO靶设置在反应室内。 然后，将等离子体气体和反应气体提供到反应室中，以在基板上形成ITO层。 反应气体至少包含基于反应室中的总气体体积的体积比为1％〜4％的氢。 此外，还提供了形成氧化铟锡层的方法。