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    PIXEL STRUCTURE
    1.
    发明申请
    PIXEL STRUCTURE 有权
    像素结构

    公开(公告)号：US20080128700A1

    公开(公告)日：2008-06-05

    申请号：US11960737

    申请日：2007-12-20

    申请人： Ta-Jung Su ,  Yea-Chung Shih ,  Cheng-Fang Su

    发明人： Ta-Jung Su ,  Yea-Chung Shih ,  Cheng-Fang Su

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/13458

    摘要： A method for fabricating a pixel structure is provided. First, a gate, a scan line, and a first terminal are formed on a substrate. A gate insulating layer is formed over the substrate to cover the gate, the scan line, and the first terminal. After defining the semiconductor layer, the gate insulating layer is patterned to exposure the first terminal. A transparent conductive layer is formed over the substrate and a patterned photoresist layer is formed on the transparent conductive layer. The transparent conductive layer is patterned using the patterned photoresist layer as a mask, so as to define a source, a drain, a data line, a pixel electrode, a second terminal, and a contact pad. Because only four photomasks are used to implement the above method for fabricating the pixel structure, the cost of manufacturing can be reduced.

    摘要翻译： 提供了一种用于制造像素结构的方法。 首先，在基板上形成栅极，扫描线和第一端子。 栅极绝缘层形成在衬底上以覆盖栅极，扫描线和第一端子。 在限定半导体层之后，栅极绝缘层被图案化以暴露第一端子。 在衬底上形成透明导电层，并且在透明导电层上形成图案化的光致抗蚀剂层。 使用图案化的光致抗蚀剂层作为掩模来图案化透明导电层，以便限定源极，漏极，数据线，像素电极，第二端子和接触焊盘。 由于仅使用四个光掩模来实现用于制造像素结构的上述方法，所以可以降低制造成本。

    Fabricating method of pixel structure
    2.
    发明授权
    Fabricating method of pixel structure 有权
    像素结构的制作方法

    公开(公告)号：US07338846B2

    公开(公告)日：2008-03-04

    申请号：US11306814

    申请日：2006-01-12

    申请人： Ta-Jung Su ,  Yea-Chung Shih ,  Cheng-Fang Su

    发明人： Ta-Jung Su ,  Yea-Chung Shih ,  Cheng-Fang Su

    IPC分类号： H01L21/84

    CPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/13458

    摘要： A method for fabricating a pixel structure is provided. First, a gate, a scan line, and a first terminal are formed on a substrate. A gate insulating layer is formed over the substrate to cover the gate, the scan line, and the first terminal. After defining the semiconductor layer, the gate insulating layer is patterned to exposure the first terminal. A transparent conductive layer is formed over the substrate and a patterned photoresist layer is formed on the transparent conductive layer. The transparent conductive layer is patterned using the patterned photoresist layer as a mask, so as to define a source, a drain, a data line, a pixel electrode, a second terminal, and a contact pad. Because only four photomasks are used to implement the above method for fabricating the pixel structure, the cost of manufacturing can be reduced.

    摘要翻译： 提供了一种用于制造像素结构的方法。 首先，在基板上形成栅极，扫描线和第一端子。 栅极绝缘层形成在衬底上以覆盖栅极，扫描线和第一端子。 在限定半导体层之后，栅极绝缘层被图案化以暴露第一端子。 在衬底上形成透明导电层，并且在透明导电层上形成图案化的光致抗蚀剂层。 使用图案化的光致抗蚀剂层作为掩模来图案化透明导电层，以便限定源极，漏极，数据线，像素电极，第二端子和接触焊盘。 由于仅使用四个光掩模来实现用于制造像素结构的上述方法，所以可以降低制造成本。

    PIXEL STRUCTURE AND THE FABRICATING METHOD THEREOF
    3.
    发明申请
    PIXEL STRUCTURE AND THE FABRICATING METHOD THEREOF 有权
    像素结构及其制作方法

    公开(公告)号：US20070161136A1

    公开(公告)日：2007-07-12

    申请号：US11306814

    申请日：2006-01-12

    申请人： Ta-Jung Su ,  Yea-Chung Shih ,  Cheng-Fang Su

    发明人： Ta-Jung Su ,  Yea-Chung Shih ,  Cheng-Fang Su

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/13458

    摘要： A method for fabricating a pixel structure is provided. First, a gate, a scan line, and a first terminal are formed on a substrate. A gate insulating layer is formed over the substrate to cover the gate, the scan line, and the first terminal. After defining the semiconductor layer, the gate insulating layer is patterned to exposure the first terminal. A transparent conductive layer is formed over the substrate and a patterned photoresist layer is formed on the transparent conductive layer. The transparent conductive layer is patterned using the patterned photoresist layer as a mask, so as to define a source, a drain, a data line, a pixel electrode, a second terminal, and a contact pad. Because only four photomasks are used to implement the above method for fabricating the pixel structure, the cost of manufacturing can be reduced.

    摘要翻译： 提供了一种用于制造像素结构的方法。 首先，在基板上形成栅极，扫描线和第一端子。 栅极绝缘层形成在衬底上以覆盖栅极，扫描线和第一端子。 在限定半导体层之后，栅极绝缘层被图案化以暴露第一端子。 在衬底上形成透明导电层，并且在透明导电层上形成图案化的光致抗蚀剂层。 使用图案化的光致抗蚀剂层作为掩模来图案化透明导电层，以便限定源极，漏极，数据线，像素电极，第二端子和接触焊盘。 由于仅使用四个光掩模来实现用于制造像素结构的上述方法，所以可以降低制造成本。

    Thin film etching method
    5.
    发明申请
    Thin film etching method 审中-公开
    薄膜蚀刻法

    公开(公告)号：US20070155180A1

    公开(公告)日：2007-07-05

    申请号：US11325323

    申请日：2006-01-05

    申请人： Chia-Che Hsu ,  Yea-Chung Shih ,  Mien-Jen Cheng ,  Cheng-Chang Wu ,  Jui-Chung Chang

    发明人： Chia-Che Hsu ,  Yea-Chung Shih ,  Mien-Jen Cheng ,  Cheng-Chang Wu ,  Jui-Chung Chang

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/4908

    摘要： A thin film etching method is provided, which is used for manufacturing semiconductor device or thin film transistor (TFT) array and through which no undercut may be presented or a good after-etching shape may be achieved with respect to a thin film thus etched. The thin film etching method is performed in a two-stage manner by an etchant and between the two stages a photoresist removing process is inserted where another etchant is used. With execution of the photoresist removing process, the thin film may have an increased contact area with the etchant. As such, any undercut or undesired after-etching shape existed in the thin film etched by the prior art may be eliminated or improved.

    摘要翻译： 提供了一种薄膜蚀刻方法，其用于制造半导体器件或薄膜晶体管（TFT）阵列，并且通过该薄膜蚀刻方法可能不会产生底切，或者相对于如此蚀刻的薄膜可以实现良好的蚀刻后形状。 通过蚀刻剂以两级方式进行薄膜蚀刻方法，并且在两个阶段之间插入使用另一蚀刻剂的光致抗蚀剂去除工艺。 通过执行光致抗蚀剂去除工艺，薄膜可以具有与蚀刻剂的增加的接触面积。 因此，可以消除或改进由现有技术蚀刻的薄膜中存在的任何底切或不期望的后蚀刻形状。

    Pixel structure
    8.
    发明授权
    Pixel structure 有权
    像素结构

    公开(公告)号：US07432564B2

    公开(公告)日：2008-10-07

    申请号：US11960737

    申请日：2007-12-20

    申请人： Ta-Jung Su ,  Yea-Chung Shih ,  Cheng-Fang Su

    发明人： Ta-Jung Su ,  Yea-Chung Shih ,  Cheng-Fang Su

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/13458

    摘要： A method for fabricating a pixel structure is provided. First, a gate, a scan line, and a first terminal are formed on a substrate. A gate insulating layer is formed over the substrate to cover the gate, the scan line, and the first terminal. After defining the semiconductor layer, the gate insulating layer is patterned to exposure the first terminal. A transparent conductive layer is formed over the substrate and a patterned photoresist layer is formed on the transparent conductive layer. The transparent conductive layer is patterned using the patterned photoresist layer as a mask, so as to define a source, a drain, a data line, a pixel electrode, a second terminal, and a contact pad. Because only four photomasks are used to implement the above method for fabricating the pixel structure, the cost of manufacturing can be reduced.

    摘要翻译： 提供了一种用于制造像素结构的方法。 首先，在基板上形成栅极，扫描线和第一端子。 栅极绝缘层形成在衬底上以覆盖栅极，扫描线和第一端子。 在限定半导体层之后，栅极绝缘层被图案化以暴露第一端子。 在衬底上形成透明导电层，并且在透明导电层上形成图案化的光致抗蚀剂层。 使用图案化的光致抗蚀剂层作为掩模来图案化透明导电层，以便限定源极，漏极，数据线，像素电极，第二端子和接触焊盘。 由于仅使用四个光掩模来实现用于制造像素结构的上述方法，所以可以降低制造成本。