公开(公告)号：US08501026B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13377319

申请日：2010-06-17

申请人： Christophe Constancias ,  Bernard Dalzotto ,  Frank Fournel ,  Philippe Michallon ,  Hubert Moriceau ,  Valerie Pouteau

发明人： Christophe Constancias ,  Bernard Dalzotto ,  Frank Fournel ,  Philippe Michallon ,  Hubert Moriceau ,  Valerie Pouteau

IPC分类号： B44C1/22 ,  H01L21/31 ,  G01N3/08

CPC分类号： B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/047 ,  B81C2201/017

摘要： A method for determining a minimum tension compensation stress which will have a membrane of a thickness of less than or equal to one micrometer, secured to a frame, having, in the absence of any external stress, a desired deflection. The membrane can be made as planar as possible in absence of any external stress, and its thickness can be less than or equal to one micrometer.

摘要翻译： 一种用于确定最小张力补偿应力的方法，其将具有小于或等于1微米厚度的膜，固定到框架，在没有任何外部应力的情况下具有期望的偏转。 膜可以在没有任何外部应力的情况下制成尽可能平坦的，并且其厚度可以小于或等于1微米。

公开(公告)号：US20120100719A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13377319

申请日：2010-06-17

申请人： Christophe Constancias ,  Bernard Dalzotto ,  Frank Fournel ,  Philippe Michallon ,  Hubert Moriceau ,  Valerie Pouteau

发明人： Christophe Constancias ,  Bernard Dalzotto ,  Frank Fournel ,  Philippe Michallon ,  Hubert Moriceau ,  Valerie Pouteau

IPC分类号： H01L21/31 ,  G01N3/08

CPC分类号： B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/047 ,  B81C2201/017

摘要： A method for determining a minimum tension compensation stress which will have a membrane of a thickness of less than or equal to one micrometer, secured to a frame, having, in the absence of any external stress, a desired deflection. The membrane can be made as planar as possible in absence of any external stress, and its thickness can be less than or equal to one micrometer.

摘要翻译： 一种用于确定最小张力补偿应力的方法，其将具有小于或等于1微米厚度的膜，固定到框架，在没有任何外部应力的情况下具有期望的偏转。 膜可以在没有任何外部应力的情况下制成尽可能平坦的，并且其厚度可以小于或等于1微米。

公开(公告)号：US20120088352A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US13273982

申请日：2011-10-14

申请人： Rémi Beneyton ,  Hubert Moriceau ,  Frank Fournel ,  François Rieutord ,  Yannick Le Tiec

发明人： Rémi Beneyton ,  Hubert Moriceau ,  Frank Fournel ,  François Rieutord ,  Yannick Le Tiec

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： C09J5/06

摘要： The invention relates to a process for producing a bond between a first and a second substrate. The process includes preparing surfaces of the substrates to be assembled, and attaching the surfaces to form an assembly of these two surfaces, by direct molecular bonding. The assembly is then heat treated, which includes maintaining the temperature within the range of 50° C. to 100° C. for at least one hour.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在第一和第二基底之间产生粘结的方法。 该方法包括制备要组装的基底的表面，并且通过直接分子键合来附着表面以形成这两个表面的组合。 然后对组件进行热处理，其包括将温度保持在50℃至100℃的范围内至少1小时。

公开(公告)号：US20080272396A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US12158191

申请日：2006-12-04

申请人： Frank Fournel ,  Hubert Moriceau

发明人： Frank Fournel ,  Hubert Moriceau

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L21/187 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/30604

摘要： Method to produce a structure consisting of depositing a material by columnar epitaxy on a crystalline face of a substrate (2), of continuing so that the columns (4) give a continuous layer (5). The surface is provided with a period array of bumps (3) on a nanometric scale, each bump (3) having a support zone (35) and being obtained from an array of crystalline defects and/or strain fields created within a crystalline region (16) located in the vicinity of a bonding interface (15) between two crystalline elements (11, 12) whose crystalline lattices have a twist and/or tilt angle and/or have interfacial lattice mismatch, able to condition the period (38) of the array of bumps (3). The period (38) of the array, the height (36) of the bumps and the size of their support zone (35) being adjusted so that the continuous layer (40) has a critical thickness that is greater than that obtained using epitaxy without the bumps.

摘要翻译： 一种制造结构的方法，该结构包括通过柱状外延在衬底（2）的结晶面上沉积材料，继续使得柱（4）产生连续层（5）。 该表面设有一个具有纳米尺度的凸块（3）的周期阵列，每个凸块（3）具有一个支撑区（35），并由结晶区域内产生的晶体缺陷和/或应变场的阵列获得（ 16）位于结晶界面（15）附近，其结晶晶格具有扭转和/或倾斜角和/或具有界面晶格失配的两个晶体元件（11,12）之间，能够调节 凸块阵列（3）。 阵列的周期（38），凸块的高度（36）和它们的支撑区域（35）的尺寸被调整，使得连续层（40）的临界厚度大于没有 颠簸

公开(公告)号：US20070202660A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：US11576743

申请日：2005-10-06

申请人： Hubert Moriceau ,  Frank Fournel ,  Christophe Morales

发明人： Hubert Moriceau ,  Frank Fournel ,  Christophe Morales

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/76224

摘要： The invention relates to a method for producing a semiconducting structure including: controlled formation, through a mask (31), in a first substrate (30) in a semiconducting material, of at least one first area in an insulating material (36), up to the level of the lower surface (35) of the mask, before or during the removal of the mask.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，包括：通过掩模（31）在绝缘材料（36）中的至少一个第一区域的半导体材料的第一衬底（30）中控制形成 到达掩模的下表面（35）的水平面前，或在去除掩模期间。

公开(公告)号：US20090162991A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12296250

申请日：2007-04-06

申请人： Rémi Beneyton ,  Hubert Moriceau ,  Frank Fournel ,  Francois Rieutord ,  Yannick Le Tiec

发明人： Rémi Beneyton ,  Hubert Moriceau ,  Frank Fournel ,  Francois Rieutord ,  Yannick Le Tiec

IPC分类号： H01L21/30 ,  B32B37/06 ,  B32B38/10

CPC分类号： C09J5/06

摘要： The invention relates to a process for producing a bond between a first and a second substrate (2, 4), comprising: a) a step of preparing surfaces (6, 8) to be assembled, b) an assembly of these two surfaces, by direct molecular bonding, c) a heat treatment step involving at least maintaining the temperature within the range of 50° C. to 100° C. for at least one hour.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在第一和第二基底（2,4）之间产生粘结的方法，包括：a）制备待组装的表面（6,8）的步骤，b）这两个表面的组装， 通过直接分子键合，c）热处理步骤，其至少将温度保持在50℃至100℃的范围内至少1小时。

公开(公告)号：US08382933B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12068638

申请日：2008-02-08

申请人： Frank Fournel ,  Hubert Moriceau ,  Christophe Morales ,  Pierre Perreau

发明人： Frank Fournel ,  Hubert Moriceau ,  Christophe Morales ,  Pierre Perreau

IPC分类号： B08B3/00 ,  B29C65/00 ,  B32B37/00 ,  B32B38/00

CPC分类号： H01L21/02049 ,  H01L21/187

摘要： Adhesion by molecular bonding of two free surfaces of first and second substrates, for example formed by monocrystalline silicon wafers, comprises at least successively: a cleaning step of the two free surfaces with hydrofluoric acid in vapor phase to make the two free surfaces hydrophobic, a rinsing step of said free surfaces with deionized water with a time less than or equal to 30 seconds a step of bringing said free surfaces into contact.

摘要翻译： 通过例如由单晶硅晶片形成的第一和第二基板的两个自由表面的分子结合的粘附性至少包括：两个自由表面的清洁步骤，其中气相中的氢氟酸使两个自由表面疏水， 用去离子水冲洗所述游离表面的时间小于或等于30秒，使所述自由表面接触的步骤。

公开(公告)号：US20080196747A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US12068638

申请日：2008-02-08

申请人： Frank Fournel ,  Hubert Moriceau ,  Christophe Morales ,  Pierre Perreau

发明人： Frank Fournel ,  Hubert Moriceau ,  Christophe Morales ,  Pierre Perreau

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： H01L21/02049 ,  H01L21/187

摘要： Adhesion by molecular bonding of two free surfaces of first and second substrates, for example formed by monocrystalline silicon wafers, comprises at least successively: a cleaning step of the two free surfaces with hydrofluoric acid in vapor phase to make the two free surfaces hydrophobic, a rinsing step of said free surfaces with deionized water with a time less than or equal to 30 seconds a step of bringing said free surfaces into contact.

摘要翻译： 通过例如由单晶硅晶片形成的第一和第二基板的两个自由表面的分子结合的粘附性至少包括：两个自由表面的清洁步骤，其中气相中的氢氟酸使两个自由表面疏水， 用去离子水冲洗所述游离表面的时间小于或等于30秒，使所述自由表面接触的步骤。

公开(公告)号：US20050112847A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10947134

申请日：2004-09-23

申请人： Hubert Moriceau ,  Frank Fournel ,  Bernard Aspar

发明人： Hubert Moriceau ,  Frank Fournel ,  Bernard Aspar

IPC分类号： H01L27/12 ,  B26D7/14 ,  B26F3/00 ,  B32B43/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/44 ,  H01L21/46 ,  H01L21/762

CPC分类号： B32B43/006 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254

摘要： This invention relates to a method for separating at least two wafers (1, 2) bonded together to form a stacked structure. At least one bending force is applied to all or part of the stacked structure to separate the stacked structure into two parts along a required separation plane. Application particularly for producing a thin semiconducting layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于分离至少两个结合在一起以形成堆叠结构的晶片（1,2）的方法。 至少一个弯曲力施加到堆叠结构的全部或部分，以将堆叠结构沿所需的分离平面分离成两部分。 特别用于生产薄的半导体层的应用。

公开(公告)号：US08530331B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US13273982

申请日：2011-10-14

申请人： Remi Beneyton ,  Hubert Moriceau ,  Frank Fournel ,  Francois Rieutord ,  Yannick Le Tiec

发明人： Remi Beneyton ,  Hubert Moriceau ,  Frank Fournel ,  Francois Rieutord ,  Yannick Le Tiec

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： C09J5/06

摘要： The invention relates to a process for producing a bond between a first and a second substrate. The process includes preparing surfaces of the substrates to be assembled, and attaching the surfaces to form an assembly of these two surfaces, by direct molecular bonding. The assembly is then heat treated, which includes maintaining the temperature within the range of 50° C. to 100° C. for at least one hour.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在第一和第二基底之间产生粘结的方法。 该方法包括制备要组装的基底的表面，并且通过直接分子键合来附着表面以形成这两个表面的组合。 然后对组件进行热处理，其包括将温度保持在50℃至100℃的范围内至少1小时。