公开(公告)号：US09318365B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US14150910

申请日：2014-01-09

申请人： DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.

发明人： Takahiro Yamaguchi

IPC分类号： B05C5/02 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  G03F7/30 ,  G03F7/16

CPC分类号： H01L21/68728 ,  B05C5/02 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

摘要： A substrate processing apparatus for processing a substrate comprises: a plurality of chuck pins each having an accommodating groove for accommodating a portion of peripheral part of the substrate, holding the substrate at a hold position in a horizontal posture by pressing inner faces of the accommodating grooves toward portions of peripheral part of the substrate; and a plurality of guide members, being disposed on or above the respective plurality of chuck pins, guiding process liquid discharged from the substrate to a surrounding area of the substrate; wherein each of the plurality of guide member includes: an inner-edge guide disposed at a position inward and above the accommodating groove; and an outer-edge guide disposed at a position level with or below the inner-edge guide and outward the chuck pin.

摘要翻译： 一种用于处理基板的基板处理装置，包括：多个卡盘销，每个卡盘销具有用于容纳基板的周边部分的一部分的容纳槽，通过按压容纳槽的内表面将基板保持在水平姿势的保持位置 朝向基板的周边部分的部分; 以及多个引导构件，设置在所述多个卡盘销上或上方，将从所述基板排出的处理液引导到所述基板的周围区域; 其中，所述多个引导构件中的每一个包括：内边缘引导件，设置在所述容纳槽的内部和上方的位置; 以及外缘引导件，其设置在与所述内缘引导件的内侧或下方的位置处，并且位于所述卡盘销的外侧。

公开(公告)号：US08821741B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13687503

申请日：2012-11-28

申请人： Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.

发明人： Takashi Ota ,  Akio Hashizume ,  Takahiro Yamaguchi ,  Yuya Akanishi

IPC分类号： C03C15/00

CPC分类号： B44C1/227 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719

摘要： A preprocess step for supplying an inert gas into an enclosed space in which a substrate is disposed, while exhausting gas by sucking out of the enclosed space. And then, an etching step for supplying a process vapor into the enclosed space while exhausting gas out of the enclosed space at an rate lower than a rate in the preprocess step. And then a post-process step for supplying an inert gas into the enclosed space while exhausting gas by sucking out of the enclosed space at a rate higher than the rate in the etching step.

摘要翻译： 一种用于将惰性气体供给到其中设置有基板的封闭空间中，同时通过吸出封闭空间排出气体的预处理步骤。 然后，进行蚀刻步骤，用于将处理蒸汽供应到封闭空间中，同时以低于预处理步骤中的速率的速率从封闭空间排出气体。 然后进行后处理步骤，用于通过以比蚀刻步骤中的速率高的速率吸出封闭空间而将惰性气体供应到封闭空间中，同时排出气体。

公开(公告)号：US08877653B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13729069

申请日：2012-12-28

申请人： Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.

发明人： Takahiro Yamaguchi ,  Akio Hashizume ,  Yuya Akanishi ,  Takashi Ota

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/00 ,  B44C1/22

CPC分类号： B44C1/227 ,  H01L21/00 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719

摘要： A solvent vapor containing a solvent material capable of dissolving hydrogen fluoride is supplied to a surface of a substrate, thereby covering the surface of the substrate with a liquid film containing solvent material. Thereafter an etching vapor containing a hydrogen fluoride is supplied to the surface of the substrate covered by the liquid film containing the solvent material, thereby etching the surface of the substrate.

摘要翻译： 将含有能够溶解氟化氢的溶剂材料的溶剂蒸气供给到基板的表面，从而用含有溶剂材料的液体膜覆盖基板的表面。 此后，将含有氟化氢的蚀刻蒸气供给到由含有溶剂材料的液膜覆盖的基板的表面，从而蚀刻基板的表面。