公开(公告)号：US20120049247A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US12872642

申请日：2010-08-31

申请人： Da-Yuan Lee ,  Kuang-Yuan Hsu ,  Matt Yeh ,  Yi-Chen Huang ,  Fan-Yi Hsu ,  Hui Ouyang ,  Ming-Jie Huang ,  Shin Hsien Liao

发明人： Da-Yuan Lee ,  Kuang-Yuan Hsu ,  Matt Yeh ,  Yi-Chen Huang ,  Fan-Yi Hsu ,  Hui Ouyang ,  Ming-Jie Huang ,  Shin Hsien Liao

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/6656

摘要： A method of fabricating a semiconductor device is illustrated. A modified profile opening is formed on a substrate. The modified profile opening includes a first width proximate a surface of the substrate and a second width opposing the substrate. The second width is greater than the first width. A metal gate electrode is formed by filling the modified profile opening with a conductive material. A semiconductor device is also described, the device having a metal gate structure with a first width and a second, differing, width.

摘要翻译： 示出了制造半导体器件的方法。 改进的型材开口形成在基板上。 改进的型材开口包括靠近基材的表面的第一宽度和与基材相对的第二宽度。 第二宽度大于第一宽度。 通过用导电材料填充改性型材开口形成金属栅电极。 还描述了一种半导体器件，该器件具有第一宽度和第二宽度不同的金属栅极结构。

公开(公告)号：US08329546B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12872642

申请日：2010-08-31

申请人： Da-Yuan Lee ,  Kuang-Yuan Hsu ,  Matt Yeh ,  Yi-Chen Huang ,  Fan-Yi Hsu ,  Hui Ouyang ,  Ming-Jie Huang ,  Shin Hsien Liao

发明人： Da-Yuan Lee ,  Kuang-Yuan Hsu ,  Matt Yeh ,  Yi-Chen Huang ,  Fan-Yi Hsu ,  Hui Ouyang ,  Ming-Jie Huang ,  Shin Hsien Liao

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/6656

摘要： A method of fabricating a semiconductor device is illustrated. A modified profile opening is formed on a substrate. The modified profile opening includes a first width proximate a surface of the substrate and a second width opposing the substrate. The second width is greater than the first width. A metal gate electrode is formed by filling the modified profile opening with a conductive material. A semiconductor device is also described, the device having a metal gate structure with a first width and a second, differing, width.

摘要翻译： 示出了制造半导体器件的方法。 改进的型材开口形成在基板上。 改进的型材开口包括靠近基材的表面的第一宽度和与基材相对的第二宽度。 第二宽度大于第一宽度。 通过用导电材料填充改性型材开口形成金属栅电极。 还描述了一种半导体器件，该器件具有第一宽度和第二宽度不同的金属栅极结构。

公开(公告)号：US08609495B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US12756662

申请日：2010-04-08

申请人： Tian-Choy Gan ,  Hsien-Chin Lin ,  Chia-Pin Lin ,  Shyue-Shyh Lin ,  Li-Shiun Chen ,  Shin Hsien Liao

发明人： Tian-Choy Gan ,  Hsien-Chin Lin ,  Chia-Pin Lin ,  Shyue-Shyh Lin ,  Li-Shiun Chen ,  Shin Hsien Liao

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： Provided is a method of fabricating a semiconductor device that includes forming first and second fins over first and second regions of a substrate, forming first and second gate structures over the first and second fins, the first and second gate structures including first and second poly gates, forming an inter-level dielectric (ILD) over the substrate, performing a chemical mechanical polishing on the ILD to expose the first and second poly gates, forming a mask to protect the first poly gate of the first gate structure, removing the second poly gate thereby forming a first trench, removing the mask, partially removing the first poly gate thereby forming a second trench, forming a work function metal layer partially filling the first and second trenches, forming a fill metal layer filling a remainder of the first and second trenches, and removing the metal layers outside the first and second trenches.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括在衬底的第一和第二区域上形成第一和第二鳍片，在第一和第二鳍片上形成第一和第二栅极结构，第一和第二栅极结构包括第一和第二多晶硅栅极 ，在所述衬底上形成层间电介质（ILD），在所述ILD上进行化学机械抛光以暴露所述第一和第二多晶硅栅极，形成掩模以保护所述第一栅极结构的所述第一多晶硅栅极， 从而形成第一沟槽，去除掩模，部分地移除第一多晶硅栅极，从而形成第二沟槽，形成部分填充第一和第二沟槽的功函数金属层，形成填充第一和第二沟槽的剩余部分的填充金属层 沟槽，并且去除第一和第二沟槽外的金属层。

公开(公告)号：US20110248348A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US12756662

申请日：2010-04-08

申请人： Tian-Choy Gan ,  Hsien-Chin Lin ,  Chia-Pin Lin ,  Shyue-Shyh Lin ,  Li-Shiun Chen ,  Shin Hsien Liao

发明人： Tian-Choy Gan ,  Hsien-Chin Lin ,  Chia-Pin Lin ,  Shyue-Shyh Lin ,  Li-Shiun Chen ,  Shin Hsien Liao

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： Provided is a method of fabricating a semiconductor device that includes forming first and second fins over first and second regions of a substrate, forming first and second gate structures over the first and second fins, the first and second gate structures including first and second poly gates, forming an inter-level dielectric (ILD) over the substrate, performing a chemical mechanical polishing on the ILD to expose the first and second poly gates, forming a mask to protect the first poly gate of the first gate structure, removing the second poly gate thereby forming a first trench, removing the mask, partially removing the first poly gate thereby forming a second trench, forming a work function metal layer partially filling the first and second trenches, forming a fill metal layer filling a remainder of the first and second trenches, and removing the metal layers outside the first and second trenches.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括在衬底的第一和第二区域上形成第一和第二鳍片，在第一和第二鳍片上形成第一和第二栅极结构，第一和第二栅极结构包括第一和第二多晶硅栅极 ，在所述衬底上形成层间电介质（ILD），在所述ILD上进行化学机械抛光以暴露所述第一和第二多晶硅栅极，形成掩模以保护所述第一栅极结构的所述第一多晶硅栅极， 从而形成第一沟槽，去除掩模，部分地移除第一多晶硅栅极，从而形成第二沟槽，形成部分填充第一和第二沟槽的功函数金属层，形成填充第一和第二沟槽的剩余部分的填充金属层 沟槽，并且去除第一和第二沟槽外的金属层。