利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

4 条记录 (耗时 0.026 秒)

    Hybrid gate process for fabricating finfet device
    1.
    发明授权
    Hybrid gate process for fabricating finfet device 有权
    用于制造finfet器件的混合栅极工艺

    公开(公告)号：US08609495B2

    公开(公告)日：2013-12-17

    申请号：US12756662

    申请日：2010-04-08

    申请人： Tian-Choy Gan ,  Hsien-Chin Lin ,  Chia-Pin Lin ,  Shyue-Shyh Lin ,  Li-Shiun Chen ,  Shin Hsien Liao

    发明人： Tian-Choy Gan ,  Hsien-Chin Lin ,  Chia-Pin Lin ,  Shyue-Shyh Lin ,  Li-Shiun Chen ,  Shin Hsien Liao

    IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

    CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    摘要： Provided is a method of fabricating a semiconductor device that includes forming first and second fins over first and second regions of a substrate, forming first and second gate structures over the first and second fins, the first and second gate structures including first and second poly gates, forming an inter-level dielectric (ILD) over the substrate, performing a chemical mechanical polishing on the ILD to expose the first and second poly gates, forming a mask to protect the first poly gate of the first gate structure, removing the second poly gate thereby forming a first trench, removing the mask, partially removing the first poly gate thereby forming a second trench, forming a work function metal layer partially filling the first and second trenches, forming a fill metal layer filling a remainder of the first and second trenches, and removing the metal layers outside the first and second trenches.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括在衬底的第一和第二区域上形成第一和第二鳍片，在第一和第二鳍片上形成第一和第二栅极结构，第一和第二栅极结构包括第一和第二多晶硅栅极 ，在所述衬底上形成层间电介质（ILD），在所述ILD上进行化学机械抛光以暴露所述第一和第二多晶硅栅极，形成掩模以保护所述第一栅极结构的所述第一多晶硅栅极， 从而形成第一沟槽，去除掩模，部分地移除第一多晶硅栅极，从而形成第二沟槽，形成部分填充第一和第二沟槽的功函数金属层，形成填充第一和第二沟槽的剩余部分的填充金属层 沟槽，并且去除第一和第二沟槽外的金属层。

    Hybrid Gate Process For Fabricating Finfet Device
    2.
    发明申请
    Hybrid Gate Process For Fabricating Finfet Device 有权
    用于制造Finfet设备的混合门过程

    公开(公告)号：US20110248348A1

    公开(公告)日：2011-10-13

    申请号：US12756662

    申请日：2010-04-08

    申请人： Tian-Choy Gan ,  Hsien-Chin Lin ,  Chia-Pin Lin ,  Shyue-Shyh Lin ,  Li-Shiun Chen ,  Shin Hsien Liao

    发明人： Tian-Choy Gan ,  Hsien-Chin Lin ,  Chia-Pin Lin ,  Shyue-Shyh Lin ,  Li-Shiun Chen ,  Shin Hsien Liao

    IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

    CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    摘要： Provided is a method of fabricating a semiconductor device that includes forming first and second fins over first and second regions of a substrate, forming first and second gate structures over the first and second fins, the first and second gate structures including first and second poly gates, forming an inter-level dielectric (ILD) over the substrate, performing a chemical mechanical polishing on the ILD to expose the first and second poly gates, forming a mask to protect the first poly gate of the first gate structure, removing the second poly gate thereby forming a first trench, removing the mask, partially removing the first poly gate thereby forming a second trench, forming a work function metal layer partially filling the first and second trenches, forming a fill metal layer filling a remainder of the first and second trenches, and removing the metal layers outside the first and second trenches.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括在衬底的第一和第二区域上形成第一和第二鳍片，在第一和第二鳍片上形成第一和第二栅极结构，第一和第二栅极结构包括第一和第二多晶硅栅极 ，在所述衬底上形成层间电介质（ILD），在所述ILD上进行化学机械抛光以暴露所述第一和第二多晶硅栅极，形成掩模以保护所述第一栅极结构的所述第一多晶硅栅极， 从而形成第一沟槽，去除掩模，部分地移除第一多晶硅栅极，从而形成第二沟槽，形成部分填充第一和第二沟槽的功函数金属层，形成填充第一和第二沟槽的剩余部分的填充金属层 沟槽，并且去除第一和第二沟槽外的金属层。