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    Permanent solid state memory
    10.
    发明授权
    Permanent solid state memory 失效
    永久固态存储器

    公开(公告)号：US08467215B2

    公开(公告)日：2013-06-18

    申请号：US13016936

    申请日：2011-01-28

    申请人： Barry M. Lunt ,  Matthew R. Linford ,  Robert C. Davis ,  Dee Anderson

    发明人： Barry M. Lunt ,  Matthew R. Linford ,  Robert C. Davis ,  Dee Anderson

    IPC分类号： G11C5/00 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C11/00

    CPC分类号： G11C5/06 ,  H01L45/00

    摘要： A permanent solid state memory device is disclosed. Recording data in the permanent solid state memory device forms voids in a data layer between a first wire array and a second wire array. Wires of the first wire array extend transversely to wires in the second wire array. The data layer is at least partially conductive such that a voltage applied between a selected first wire in the first wire array and a selected second wire in the second wire array creates a heating current through the data layer at a data point between the first wire and the second wire. The heating current causes a data layer material to melt and recede to form a permanent void. Control elements are operably connected to apply voltages to predetermined combinations of wires to form permanent voids at data points throughout the solid state memory device.

    摘要翻译： 公开了永久固态存储器件。 在永久固态存储装置中记录数据在第一线阵列和第二线阵列之间的数据层中形成空隙。 第一线阵列的线横向延伸到第二线阵列中的线。 数据层至少部分导电，使得施加在第一线阵列中的所选择的第一线和第二线阵列中的选定的第二线之间的电压在第一线和第二线之间的数据点处产生通过数据层的加热电流 第二根线。 加热电流导致数据层材料熔化和后退以形成永久性空隙。 控制元件可操作地连接以将电压施加到预定的导线组合，以在整个固态存储器件的数据点处形成永久性空隙。