公开(公告)号：US06437868B1

公开(公告)日：2002-08-20

申请号：US09429327

申请日：1999-10-28

申请人： David Gerald Coult ,  Duane Donald Wendling ,  Charles William Lentz ,  Bryan Phillip Segner ,  Gustav Edward Derkits ,  Wan-ning Wu ,  Franklin Roy Dietz

发明人： David Gerald Coult ,  Duane Donald Wendling ,  Charles William Lentz ,  Bryan Phillip Segner ,  Gustav Edward Derkits ,  Wan-ning Wu ,  Franklin Roy Dietz

IPC分类号： G01B1106

CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  G01B11/06 ,  Y10T279/11

摘要： A system for measuring the thickness of a wafer while it is being thinned this disclosed. The system and method provide integrating an optical reflectometer into a common wafer thinning apparatus. Using reflected optical signals from the top and bottom of the wafer, the thickness of the wafer is determined with time based calculations in real-time while thinning is occurring. Once the desired thickness has been reached, the thinning operation is halted. By performing the measurement in-situ, this system and a method prevent scrapping of wafers which are overthinned and the reloading of wafers which are too thick. Since an optical reflectometer is used, the measurement is contactless, and thus prevents possible damage to wafers during measurement.

摘要翻译： 一种用于测量晶片厚度的系统，该系统在该薄膜被薄化时被测量。 该系统和方法提供将光学反射计集成到公共晶片间隔装置中。 使用来自晶片顶部和底部的反射光信号，晶片的厚度由实时的时间计算确定，而发生变薄。 一旦达到所需的厚度，则变薄操作停止。 通过原位进行测量，该系统和一种方法可以防止过度沉淀的晶片的报废和太厚的晶片的重新装载。 由于使用光学反射计，测量是非接触的，因此可以防止在测量期间可能损坏晶片。

公开(公告)号：US06490033B1

公开(公告)日：2002-12-03

申请号：US09478149

申请日：2000-01-05

申请人： David Gerald Coult ,  Gustav Edward Derkits, Jr. ,  Franklin Roy Dietz ,  Ranjani C. Muthiah ,  Sonja Radelow

发明人： David Gerald Coult ,  Gustav Edward Derkits, Jr. ,  Franklin Roy Dietz ,  Ranjani C. Muthiah ,  Sonja Radelow

IPC分类号： G01J110

CPC分类号： G01B11/0675

摘要： A method of calibrating an interferometer system and a multilayer thin film used for calibrating the interferometer system. The method including measuring the step height of a gold step with the interferometer system, the multilayer thin film comprising a gold layer that defines the gold step. The multilayer thin film having an optical flat, a first layer on the surface of the optical flat, a second layer on the first layer, a test layer on a part of the second layer, and a gold layer on the test layer and on a part of the second layer uncovered by the test layer. The test layer having a test layer step, and the gold layer having a gold step over the test layer step. Also, a reference standard and a method of making the reference standard for a thin film sample with one or more component thin film layers, the reference standard having a gold layer over the surface of the thin film sample.

摘要翻译： 校准干涉仪系统和用于校准干涉仪系统的多层薄膜的方法。 该方法包括用干涉仪系统测量金台阶的台阶高度，多层薄膜包括限定金阶的金层。 所述多层薄膜具有光学平面，在光学平面的表面上的第一层，第一层上的第二层，第二层的一部分上的测试层，以及测试层上的金层 由测试层覆盖的第二层的一部分。 所述测试层具有测试层步骤，并且所述金层在所述测试层步骤上具有金阶。 此外，参考标准和制备具有一个或多个组分薄膜层的薄膜样品的参考标准的方法，参考标准在薄膜样品的表面上具有金层。

公开(公告)号：US6146909A

公开(公告)日：2000-11-14

申请号：US197412

申请日：1998-11-21

申请人： Joze E. Antol ,  David Gerald Coult ,  Gustav Edward Derkits ,  Franklin Roy Dietz ,  Nur Selamoglu

发明人： Joze E. Antol ,  David Gerald Coult ,  Gustav Edward Derkits ,  Franklin Roy Dietz ,  Nur Selamoglu

IPC分类号： G01N1/40 ,  G01N33/00 ,  G01N33/20 ,  G01N1/28

CPC分类号： G01N33/20 ,  G01N1/40 ,  G01N2033/0095

摘要： The specification describes an analytical technique for determining trace levels of copper in a background matrix of titanium by dissolving the titanium and the copper impurity in HF, then selectively depositing the copper on a clean silicon surface. The silicon surface is then analyzed for the trace level of copper.

摘要翻译： 该说明书描述了通过将钛和铜杂质溶解在HF中然后选择性地将铜沉积在干净的硅表面上来确定钛背景基质中痕量铜的分析技术。 然后分析硅表面的痕量铜。