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    SRAM device having forward body bias control
    1.
    发明申请
    SRAM device having forward body bias control 有权
    具有前向偏置控制的SRAM器件

    公开(公告)号：US20050226032A1

    公开(公告)日：2005-10-13

    申请号：US10812894

    申请日：2004-03-31

    申请人： Stephen Tang ,  Muhammad Khellah ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  Vivek De ,  James Tschanz

    发明人： Stephen Tang ,  Muhammad Khellah ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  Vivek De ,  James Tschanz

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/412

    摘要： A SRAM device is provided having a plurality of memory cells. Each memory cell may include a plurality of transistors coupled in a cross-coupled inverter configuration. An NMOS transistor may be coupled to a body of the two PMOS transistors in the cross-coupled inverter configuration so as to apply a forward body bias to the PMOS transistors of the cross-coupled inverter configuration. A power control unit may control a supply voltage to each of the PMOS transistors as well as apply the switching signal to the NMOS transistor based on a STANDBY mode of the memory cell.

    摘要翻译： 提供具有多个存储单元的SRAM器件。 每个存储单元可以包括以交叉耦合的反相器配置耦合的多个晶体管。 NMOS晶体管可以以交叉耦合的反相器配置耦合到两个PMOS晶体管的主体，以便向交叉耦合的反相器配置的PMOS晶体管施加正向偏置。 功率控制单元可以控制每个PMOS晶体管的电源电压，并且基于存储器单元的STANDBY模式将开关信号施加到NMOS晶体管。

    SRAM CELL POWER REDUCTION CIRCUIT
    3.
    发明申请
    SRAM CELL POWER REDUCTION CIRCUIT 有权
    SRAM单元功率降低电路

    公开(公告)号：US20060067109A1

    公开(公告)日：2006-03-30

    申请号：US10956195

    申请日：2004-09-30

    申请人： Muhammad Khellah ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  James Tschanz ,  Stephen Tang ,  Vivek De

    发明人： Muhammad Khellah ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  James Tschanz ,  Stephen Tang ,  Vivek De

    IPC分类号： G11C5/14 ,  G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/413

    摘要： A method is described that comprises modulating the power consumption of an SRAM as a function of its usage at least by reaching, with help of a transistor, a voltage on a node within an operational amplifier's feedback loop. The voltage is beyond another voltage that the operational amplifier would drive the node to be without the help of the transistor. The voltage helps the feedback loop establish a voltage drop across a cell within the SRAM.

    摘要翻译： 描述了一种方法，其包括至少通过在晶体管处达到运算放大器的反馈回路内的节点上的电压来调制作为其使用的函数的SRAM的功耗。 电压超过另一个电压，运算放大器将驱动节点没有晶体管的帮助。 电压有助于反馈回路在SRAM内的单元上建立一个压降。