公开(公告)号：US20140281279A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14206269

申请日：2014-03-12

申请人： Eun Chu OH ,  Junjin KONG ,  Hong Rak SON ,  Younggeon YOO

发明人： Eun Chu OH ,  Junjin KONG ,  Hong Rak SON ,  Younggeon YOO

IPC分类号： G06F3/06

CPC分类号： G06F3/0655 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0679 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/14 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C16/26 ,  G11C2013/0054

摘要： A data management method of a nonvolatile memory device which includes a data cell area and a reference cell area includes selecting shared data from write data input to the memory device; generating reference data based on the shared data; and storing the write data in the data cell area and a first reference area of the reference cell area; and storing the reference data in a second reference area of the reference cell area.

摘要翻译： 包括数据单元区域和参考单元区域的非易失性存储器件的数据管理方法包括从输入到存储器件的写入数据中选择共享数据; 基于共享数据生成参考数据; 并将写入数据存储在数据单元区域和参考单元区域的第一参考区域中; 并将参考数据存储在参考小区区域的第二参考区域中。

公开(公告)号：US20150006791A1

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：US14297093

申请日：2014-06-05

申请人： Younggeon YOO ,  Junjin KONG ,  Hong Rak SON

发明人： Younggeon YOO ,  Junjin KONG ,  Hong Rak SON

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G11C16/10 ,  G06F11/1072 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483

摘要： A write method of a storage device including at least one nonvolatile memory device and a memory controller controlling the nonvolatile memory device includes dividing write data into a plurality of page data groups, each page data group including multiple bits of data; encoding the divided page data groups using different binary codes, respectively; mapping the encoded page data groups; programming, in first memory cells connected to one word line, programming states to which binary values of each of the mapped encoded page data groups are mapped, such that, the plurality of page data groups correspond respectively to a plurality of read voltage levels, and for each of the plurality of page data groups, the page data group can be read by performing a single read operation on the first memory cells using the read voltage level corresponding to the page data group.

摘要翻译： 一种存储装置的写入方法，包括至少一个非易失性存储器件和控制非易失性存储器件的存储器控​​制器，包括将写入数据划分成多个页数据组，每个页数据组包括多位数据; 分别使用不同的二进制码对分割页数据组进行编码; 映射编码页数据组; 在连接到一个字线的第一存储器单元中对编程状态进行编程，对每个映射编码页数据组的二进制值进行映射的编程状态，使得多个页数据组分别对应于多个读电压电平，以及 对于多个页面数据组中的每一个，可以通过使用与页面数据组对应的读取电压电平对第一存储器单元执行单个读取操作来读取页面数据组。