公开(公告)号：US20130320285A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13486690

申请日：2012-06-01

申请人： Feng Zhou ,  Frank K. Baker, JR. ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

发明人： Feng Zhou ,  Frank K. Baker, JR. ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： A resistive random access memory (ReRAM) cell comprising a first conductive electrode and a dielectric storage material layer over the first conductive electrode. The dielectric storage material layer is conducive to the formation of conductive filaments during the application of a filament forming voltage to the cell. The cell includes a second conductive electrode over the dielectric storage material layer and a layer of conductive nanoclusters (911, 1211) including a plurality of nanoclusters in contact with the dielectric storage material layer and in contact with the first conductive electrode or the second conductive electrode.

摘要翻译： 一种电阻随机存取存储器（ReRAM）单元，包括在第一导电电极上的第一导电电极和介电存储材料层。 电介质存储材料层有利于在将细丝形成电压施加到电池时形成导电细丝。 电池包括位于介电存储材料层上的第二导电电极和包括与电介质存储材料层接触并与第一导电电极或第二导电电极接触的多个纳米团簇的导电纳米团簇（911,1211） 。

公开(公告)号：US08779405B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13486690

申请日：2012-06-01

申请人： Feng Zhou ,  Frank K. Baker, Jr. ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

发明人： Feng Zhou ,  Frank K. Baker, Jr. ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： A resistive random access memory (ReRAM) cell comprising a first conductive electrode and a dielectric storage material layer over the first conductive electrode. The dielectric storage material layer is conducive to the formation of conductive filaments during the application of a filament forming voltage to the cell. The cell includes a second conductive electrode over the dielectric storage material layer and a layer of conductive nanoclusters (911, 1211) including a plurality of nanoclusters in contact with the dielectric storage material layer and in contact with the first conductive electrode or the second conductive electrode.

摘要翻译： 一种电阻随机存取存储器（ReRAM）单元，包括在第一导电电极上的第一导电电极和介电存储材料层。 电介质存储材料层有利于在将细丝形成电压施加到电池时形成导电细丝。 电池包括位于介电存储材料层上的第二导电电极和包括与电介质存储材料层接触并与第一导电电极或第二导电电极接触的多个纳米团簇的导电纳米团簇（911,1211） 。

公开(公告)号：US20130320284A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13486641

申请日：2012-06-01

申请人： Feng Zhou ,  Frank K. Baker, JR. ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

发明人： Feng Zhou ,  Frank K. Baker, JR. ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/00 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： A resistive random access memory (ReRAM) cell, comprising a first conductive electrode and a dielectric storage material layer over the first conductive electrode. The dielectric storage material layer is conducive to the formation of conductive filaments during the application of a filament forming voltage to the cell. The cell includes a second conductive electrode over the dielectric storage material layer and an interface region comprising a plurality of interspersed field focusing features that are not photo-lithographically defined. The interface region is located between the first conductive electrode and the dielectric storage material layer or between the dielectric storage material layer and the second conductive electrode.

摘要翻译： 一种电阻随机存取存储器（ReRAM）单元，包括在第一导电电极上的第一导电电极和介电存储材料层。 电介质存储材料层有利于在将细丝形成电压施加到电池时形成导电细丝。 该电池包括介于电介质存储材料层之间的第二导电电极和包含多个散布的场聚焦特征的界面区域，其不是光刻的。 界面区域位于第一导电电极和介电存储材料层之间，或位于介电存储材料层和第二导电电极之间。

公开(公告)号：US09118008B2

公开(公告)日：2015-08-25

申请号：US14301900

申请日：2014-06-11

申请人： Feng Zhou ,  Frank K. Baker, Jr. ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

发明人： Feng Zhou ,  Frank K. Baker, Jr. ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： A resistive random access memory (ReRAM) cell comprising a first conductive electrode and a dielectric storage material layer over the first conductive electrode. The dielectric storage material layer is conducive to the formation of conductive filaments during the application of a filament forming voltage to the cell. The cell includes a second conductive electrode over the dielectric storage material layer and a layer of conductive nanoclusters (911, 1211) including a plurality of nanoclusters in contact with the dielectric storage material layer and in contact with the first conductive electrode or the second conductive electrode.

摘要翻译： 一种电阻随机存取存储器（ReRAM）单元，包括在第一导电电极上的第一导电电极和介电存储材料层。 电介质存储材料层有利于在将细丝形成电压施加到电池时形成导电细丝。 电池包括位于介电存储材料层上的第二导电电极和包括与电介质存储材料层接触并与第一导电电极或第二导电电极接触的多个纳米团簇的导电纳米团簇（911,1211） 。

公开(公告)号：US09114980B2

公开(公告)日：2015-08-25

申请号：US13486641

申请日：2012-06-01

申请人： Feng Zhou ,  Frank K. Baker, Jr. ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

发明人： Feng Zhou ,  Frank K. Baker, Jr. ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

IPC分类号： H01L29/02 ,  B82Y10/00 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/00 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： A resistive random access memory (ReRAM) cell, comprising a first conductive electrode and a dielectric storage material layer over the first conductive electrode. The dielectric storage material layer is conducive to the formation of conductive filaments during the application of a filament forming voltage to the cell. The cell includes a second conductive electrode over the dielectric storage material layer and an interface region comprising a plurality of interspersed field focusing features that are not photo-lithographically defined. The interface region is located between the first conductive electrode and the dielectric storage material layer or between the dielectric storage material layer and the second conductive electrode.

摘要翻译： 一种电阻随机存取存储器（ReRAM）单元，包括在第一导电电极上的第一导电电极和介电存储材料层。 电介质存储材料层有利于在将细丝形成电压施加到电池时形成导电细丝。 该电池包括介于电介质存储材料层之间的第二导电电极和包含多个散光场聚焦特征的界面区域，其不是光刻的。 界面区域位于第一导电电极和介电存储材料层之间，或位于介电存储材料层和第二导电电极之间。

公开(公告)号：US20120261636A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13085217

申请日：2011-04-12

申请人： Feng Zhou ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

发明人： Feng Zhou ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675

摘要： A resistive random access memory cell uses a substrate and includes a gate stack over the substrate. The gate stack includes a first copper layer over the substrate, a copper oxide layer over the first copper layer, and a second copper layer over the copper oxide layer.

摘要翻译： 电阻式随机存取存储器单元使用衬底并且在衬底上包括栅极堆叠。 栅极堆叠包括在衬底上的第一铜层，在第一铜层上方的氧化铜层和氧化铜层上的第二铜层。

公开(公告)号：US08921155B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US13085217

申请日：2011-04-12

申请人： Feng Zhou ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

发明人： Feng Zhou ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675

摘要： A resistive random access memory cell uses a substrate and includes a gate stack over the substrate. The gate stack includes a first copper layer over the substrate, a copper oxide layer over the first copper layer, and a second copper layer over the copper oxide layer.

摘要翻译： 电阻式随机存取存储器单元使用衬底并且在衬底上包括栅极堆叠。 栅极堆叠包括在衬底上的第一铜层，在第一铜层上方的氧化铜层和氧化铜层上的第二铜层。

公开(公告)号：US20130264533A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13442046

申请日：2012-04-09

申请人： CHEONG Min HONG ,  Ko-Min Chang ,  Feng Zhou

发明人： CHEONG Min HONG ,  Ko-Min Chang ,  Feng Zhou

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L45/1633 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A resistive random access memory (ReRAM) includes a first metal layer having a first metal and a metal-oxide layer on the first metal layer. The metal-oxide layer inlcudes the first metal. The ReRAM further includes a second metal layer over the metal-oxide layer and a first continuous conductive barrier layer in physical contact with sidewalls of the first metal layer and of the metal-oxide layer.

摘要翻译： 电阻式随机存取存储器（ReRAM）包括在第一金属层上具有第一金属和金属氧化物层的第一金属层。 金属氧化物层包含第一金属。 ReRAM还包括在金属氧化物层上的第二金属层和与第一金属层和金属氧化物层的侧壁物理接触的第一连续导电阻挡层。

公开(公告)号：US08860001B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13442046

申请日：2012-04-09

申请人： Cheong Min Hong ,  Ko-Min Chang ,  Feng Zhou

发明人： Cheong Min Hong ,  Ko-Min Chang ,  Feng Zhou

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/1633 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A resistive random access memory (ReRAM) includes a first metal layer having a first metal and a metal-oxide layer on the first metal layer. The metal-oxide layer inlcudes the first metal. The ReRAM further includes a second metal layer over the metal-oxide layer and a first continuous conductive barrier layer in physical contact with sidewalls of the first metal layer and of the metal-oxide layer.

摘要翻译： 电阻式随机存取存储器（ReRAM）包括在第一金属层上具有第一金属和金属氧化物层的第一金属层。 金属氧化物层包含第一金属。 ReRAM还包括在金属氧化物层上的第二金属层和与第一金属层和金属氧化物层的侧壁物理接触的第一连续导电阻挡层。

公开(公告)号：US20120261635A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13085208

申请日：2011-04-12

申请人： Feng Zhou ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

发明人： Feng Zhou ,  Ko-Min Chang ,  Cheong Min Hong

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0083 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675

摘要： A resistive random access memory cell over a substrate includes a memory stack structure and a sidewall spacer. The memory stack structure is over the substrate and includes a first electrode layer, a second electrode layer, and a metal oxide layer between the first electrode layer and the second electrode layer. The metal oxide layer has a sidewall. The sidewall spacer is adjacent to the sidewall and has a composition including silicon, carbon, and nitrogen.

摘要翻译： 衬底上的电阻性随机存取存储器单元包括存储器堆叠结构和侧壁间隔物。 存储器堆叠结构在衬底上方，并且在第一电极层和第二电极层之间包括第一电极层，第二电极层和金属氧化物层。 金属氧化物层具有侧壁。 侧壁间隔件与侧壁相邻并且具有包括硅，碳和氮的组成。