公开(公告)号：US20120133938A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13306668

申请日：2011-11-29

申请人： David DECKERS ,  Franciscus Godefridus Casper BIJNEN ,  Sami MUSA

发明人： David DECKERS ,  Franciscus Godefridus Casper BIJNEN ,  Sami MUSA

IPC分类号： G01N21/84 ,  B29C59/02

CPC分类号： G03F7/70683 ,  G03F1/42 ,  G03F1/44 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/7088

摘要： A pattern formed on a substrate includes first and second sub-patterns positioned adjacent one another and having respective first and second periodicities. The pattern is observed to obtain a combined signal which includes a beat component having a third periodicity at a frequency lower than that of the first and second periodicities. A measurement of performance of the lithographic process is determined by reference to a phase of the beat component. Depending how the sub-patterns are formed, the performance parameter might be critical dimension (CD) or overlay, for example. For CD measurement, one of the sub-patterns may comprise marks each having of a portion sub-divided by product-like features. The measurement can be made using an existing alignment sensor of a lithographic apparatus. Sensitivity and accuracy of the measurement can be adjusted by selection of the first and second periodicities, and hence the third periodicity.

摘要翻译： 形成在基板上的图案包括彼此相邻并且具有相应的第一和第二周期性的第一和第二子图案。 观察该图案以获得组合信号，该组合信号包括频率低于第一和第二周期的频率的第三周期的拍子分量。 通过参考拍子组件的相位来确定光刻工艺的性能的测量。 根据子模式的形成方式，例如，性能参数可能是关键维度（CD）或覆盖。 对于CD测量，子图案之一可以包括每个具有被产品类特征细分的部分的标记。 可以使用光刻设备的现有对准传感器进行测量。 通过选择第一和第二周期性，因此可以调整测量的灵敏度和精度，因此可以调整第三周期性。

公开(公告)号：US20120062863A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13206592

申请日：2011-08-10

申请人： Franciscus Godefridus Casper BIJNEN ,  Sami MUSA ,  David DECKERS

发明人： Franciscus Godefridus Casper BIJNEN ,  Sami MUSA ,  David DECKERS

IPC分类号： G03B27/54 ,  G01J4/00 ,  G01B11/02 ,  G01B11/00

CPC分类号： G03F7/70141 ,  G01B9/02 ,  G01B11/272 ,  G01D5/344 ,  G03F9/7046 ,  G03F9/7088

摘要： An alignment measurement system measures an alignment target on an object. A measurement illuminates the target and is reflected. The reflected measurement beam is split and its parts are differently polarized. A detector receives the reflected measurement beam. A processing unit determines alignment on the basis of the measurement beam received by the detector. An alternative arrangement utilizes an optical dispersive fiber to guide a multi-wavelength measurement beam reflected from the object to a detector.

摘要翻译： 对准测量系统测量物体上的对准目标。 测量照亮目标并被反射。 反射的测量光束被分离，其部分被不同的极化。 检测器接收反射的测量光束。 处理单元基于由检测器接收的测量波束来确定对准。 一种替代方案是使用光学色散光纤将从物体反射的多波长测量光束引导到检测器。

公开(公告)号：US20120057159A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13043861

申请日：2011-03-09

申请人： David DECKERS ,  Sam MUSA

发明人： David DECKERS ,  Sam MUSA

IPC分类号： G01B11/26 ,  G03B27/32 ,  G03F1/42

CPC分类号： G03F1/42 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683

摘要： An alignment mark determines alignment of a first and a second exposure on a substrate on a macro level and a micro level. The alignment mark includes a first alignment pattern projected during the first exposure and a second alignment pattern projected during the second exposure. The alignment mark includes a first sub-mark at least partially defined by the first alignment pattern and a second sub-mark at least partially defined by the second alignment pattern. Relative positions of the first and second sub-marks on the substrate are representative for alignment of the first and second exposures on the macro level. At least one sub-mark is defined by image lines of the first alignment pattern and the second alignment pattern, and wherein relative positions of image lines of the first alignment pattern and image lines of the second alignment pattern of the at least one sub-mark are representative for alignment of the first and second exposures on the micro level.

摘要翻译： 对准标记确定在宏观水平和微观水平上的基底上的第一和第二曝光的对准。 对准标记包括在第一曝光期间投影的第一对准图案和在第二曝光期间投影的第二对准图案。 对准标记包括至少部分地由第一对准图案限定的第一子标记和至少部分地由第二对准图案限定的第二子标记。 第一和第二子标记在衬底上的相对位置代表在宏观水平上对准第一和第二曝光。 至少一个子标记由第一对准图案和第二对准图案的图像线限定，并且其中第一对准图案的图像线与至少一个子标记的第二对准图案的图像线的相对位置 代表第一和第二曝光在微观层面上的对准。