公开(公告)号：US08362551B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US13270253

申请日：2011-10-11

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlein ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlein ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US20120025303A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13270253

申请日：2011-10-11

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US08044459B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12268182

申请日：2008-11-10

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US20100117144A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12268182

申请日：2008-11-10

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US20090152624A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12020077

申请日：2008-01-25

申请人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

发明人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： An integrated circuit device with a semiconductor body and a method for the production of a semiconductor device a provided. The semiconductor body comprises a cell field with a drift zone of a first conduction type. In addition, the semiconductor device comprises an edge region surrounding the cell field. Field plates with a trench gate structure are arranged in the cell field, and an edge trench surrounding the cell field is provided in the edge region. The front side of the semiconductor body is in the edge region provided with an edge zone of a conduction type complementing the first conduction type with doping materials of body zones of the cell field. The edge zone of the complementary conduction type extends both within and outside the edge trench.

摘要翻译： 提供了具有半导体本体的集成电路器件和用于制造半导体器件的方法。 半导体体包括具有第一导电类型的漂移区的电池区。 此外，半导体器件包括围绕电池区的边缘区域。 具有沟槽栅极结构的场板被布置在电池区中，并且在边缘区域中设置围绕电池区的边缘沟槽。 半导体本体的前侧处于边缘区域，该边缘区域具有与单元区域的体区的掺杂材料互补的第一导电类型的导电类型的边缘区域。 互补导电类型的边缘区域在边缘沟槽内部和外部均延伸。

公开(公告)号：US08114743B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12961996

申请日：2010-12-07

申请人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

发明人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： An integrated circuit device with a semiconductor body and a method for the production of a semiconductor device a provided. The semiconductor body comprises a cell field with a drift zone of a first conduction type. In addition, the semiconductor device comprises an edge region surrounding the cell field. Field plates with a trench gate structure are arranged in the cell field, and an edge trench surrounding the cell field is provided in the edge region. The front side of the semiconductor body is in the edge region provided with an edge zone of a conduction type complementing the first conduction type with doping materials of body zones of the cell field. The edge zone of the complementary conduction type extends both within and outside the edge trench.

摘要翻译： 提供了具有半导体本体的集成电路器件和用于制造半导体器件的方法。 半导体体包括具有第一导电类型的漂移区的电池区。 此外，半导体器件包括围绕电池区的边缘区域。 具有沟槽栅极结构的场板被布置在电池区中，并且在边缘区域中设置围绕电池区的边缘沟槽。 半导体本体的前侧处于边缘区域，该边缘区域具有与单元区域的体区的掺杂材料互补的第一导电类型的导电类型的边缘区域。 互补导电类型的边缘区域在边缘沟槽内部和外部均延伸。

公开(公告)号：US20110076817A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12961996

申请日：2010-12-07

申请人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

发明人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： An integrated circuit device with a semiconductor body and a method for the production of a semiconductor device a provided. The semiconductor body comprises a cell field with a drift zone of a first conduction type. In addition, the semiconductor device comprises an edge region surrounding the cell field. Field plates with a trench gate structure are arranged in the cell field, and an edge trench surrounding the cell field is provided in the edge region. The front side of the semiconductor body is in the edge region provided with an edge zone of a conduction type complementing the first conduction type with doping materials of body zones of the cell field. The edge zone of the complementary conduction type extends both within and outside the edge trench.

摘要翻译： 提供了具有半导体本体的集成电路器件和用于制造半导体器件的方法。 半导体体包括具有第一导电类型的漂移区的电池区。 此外，半导体器件包括围绕电池区的边缘区域。 具有沟槽栅极结构的场板被布置在电池区中，并且在边缘区域中设置围绕电池区的边缘沟槽。 半导体本体的前侧处于边缘区域，该边缘区域具有与单元区域的体区的掺杂材料互补的第一导电类型的导电类型的边缘区域。 互补导电类型的边缘区域在边缘沟槽内部和外部均延伸。

公开(公告)号：US07880226B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US12020077

申请日：2008-01-25

申请人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

发明人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： An integrated circuit device with a semiconductor body and a method for the production of a semiconductor device a provided. The semiconductor body comprises a cell field with a drift zone of a first conduction type. In addition, the semiconductor device comprises an edge region surrounding the cell field. Field plates with a trench gate structure are arranged in the cell field, and an edge trench surrounding the cell field is provided in the edge region. The front side of the semiconductor body is in the edge region provided with an edge zone of a conduction type complementing the first conduction type with doping materials of body zones of the cell field. The edge zone of the complementary conduction type extends both within and outside the edge trench.

摘要翻译： 提供了具有半导体本体的集成电路器件和用于制造半导体器件的方法。 半导体体包括具有第一导电类型的漂移区的电池区。 此外，半导体器件包括围绕电池区的边缘区域。 具有沟槽栅极结构的场板被布置在电池区中，并且在边缘区域中设置围绕电池区的边缘沟槽。 半导体本体的前侧处于边缘区域，该边缘区域具有与单元区域的体区的掺杂材料互补的第一导电类型的导电类型的边缘区域。 互补导电类型的边缘区域在边缘沟槽内部和外部均延伸。

公开(公告)号：US20120153386A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13330205

申请日：2011-12-19

申请人： Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Christian Geissler ,  Oliver Blank ,  Maximilian Roesch

发明人： Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Christian Geissler ,  Oliver Blank ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component is disclosed. One embodiment includes a semiconductor body including a first semiconductor layer having at least one active component zone, a cell array with a plurality of trenches, and at least one cell array edge zone. The cell array edge zone is only arranged in an edge region of the cell array, adjoining at least one trench of the cell array, and being at least partially arranged below the at least one trench in the cell array.

摘要翻译： 公开了半导体部件。 一个实施例包括半导体本体，其包括具有至少一个有源分量区的第一半导体层，具有多个沟槽的单元阵列和至少一个单元阵列边缘区。 单元阵列边缘区域仅布置在单元阵列的边缘区域中，邻接单元阵列的至少一个沟槽，并且至少部分地布置在单元阵列中的至少一个沟槽的下方。

公开(公告)号：US20120025304A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US12847537

申请日：2010-07-30

申请人： Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Martin Poelzl ,  Maximilian Roesch

发明人： Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Martin Poelzl ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor body including a trench with first and second opposing sidewalls. A first electrode is arranged in a lower portion of the trench and a second electrode in an upper portion of the trench. A dielectric structure is arranged in the trench, including a first portion between the electrodes. The first portion includes, in sequence along a lateral direction from the first sidewall to the second sidewall, a first part including a first dielectric material, a second part including a second dielectric material selectively etchable to the first dielectric material, a third part including the first dielectric material, the first dielectric material of the third part being continuously arranged along a vertical direction from a top side of the first electrode to a bottom side of the second electrode, a fourth part including the second dielectric material and a fifth part including the first dielectric material.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体本体，其包括具有第一和第二相对侧壁的沟槽。 第一电极布置在沟槽的下部，沟槽的上部设有第二电极。 电介质结构布置在沟槽中，包括电极之间的第一部分。 第一部分沿着从第一侧壁到第二侧壁的横向方向依次包括包括第一电介质材料的第一部分，包括可选择性地蚀刻到第一电介质材料的第二电介质材料的第二部分，第三部分包括 第一电介质材料，第三部分的第一介电材料沿着垂直方向从第一电极的顶侧到第二电极的底侧连续地布置，第四部分包括第二电介质材料，第五部分包括第 第一介电材料。