公开(公告)号：US08362551B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US13270253

申请日：2011-10-11

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlein ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlein ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US08114743B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12961996

申请日：2010-12-07

申请人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

发明人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： An integrated circuit device with a semiconductor body and a method for the production of a semiconductor device a provided. The semiconductor body comprises a cell field with a drift zone of a first conduction type. In addition, the semiconductor device comprises an edge region surrounding the cell field. Field plates with a trench gate structure are arranged in the cell field, and an edge trench surrounding the cell field is provided in the edge region. The front side of the semiconductor body is in the edge region provided with an edge zone of a conduction type complementing the first conduction type with doping materials of body zones of the cell field. The edge zone of the complementary conduction type extends both within and outside the edge trench.

摘要翻译： 提供了具有半导体本体的集成电路器件和用于制造半导体器件的方法。 半导体体包括具有第一导电类型的漂移区的电池区。 此外，半导体器件包括围绕电池区的边缘区域。 具有沟槽栅极结构的场板被布置在电池区中，并且在边缘区域中设置围绕电池区的边缘沟槽。 半导体本体的前侧处于边缘区域，该边缘区域具有与单元区域的体区的掺杂材料互补的第一导电类型的导电类型的边缘区域。 互补导电类型的边缘区域在边缘沟槽内部和外部均延伸。

公开(公告)号：US20100117144A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12268182

申请日：2008-11-10

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US08044459B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12268182

申请日：2008-11-10

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US20090152624A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12020077

申请日：2008-01-25

申请人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

发明人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： An integrated circuit device with a semiconductor body and a method for the production of a semiconductor device a provided. The semiconductor body comprises a cell field with a drift zone of a first conduction type. In addition, the semiconductor device comprises an edge region surrounding the cell field. Field plates with a trench gate structure are arranged in the cell field, and an edge trench surrounding the cell field is provided in the edge region. The front side of the semiconductor body is in the edge region provided with an edge zone of a conduction type complementing the first conduction type with doping materials of body zones of the cell field. The edge zone of the complementary conduction type extends both within and outside the edge trench.

摘要翻译： 提供了具有半导体本体的集成电路器件和用于制造半导体器件的方法。 半导体体包括具有第一导电类型的漂移区的电池区。 此外，半导体器件包括围绕电池区的边缘区域。 具有沟槽栅极结构的场板被布置在电池区中，并且在边缘区域中设置围绕电池区的边缘沟槽。 半导体本体的前侧处于边缘区域，该边缘区域具有与单元区域的体区的掺杂材料互补的第一导电类型的导电类型的边缘区域。 互补导电类型的边缘区域在边缘沟槽内部和外部均延伸。

公开(公告)号：US20120025303A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13270253

申请日：2011-10-11

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US20110076817A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12961996

申请日：2010-12-07

申请人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

发明人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： An integrated circuit device with a semiconductor body and a method for the production of a semiconductor device a provided. The semiconductor body comprises a cell field with a drift zone of a first conduction type. In addition, the semiconductor device comprises an edge region surrounding the cell field. Field plates with a trench gate structure are arranged in the cell field, and an edge trench surrounding the cell field is provided in the edge region. The front side of the semiconductor body is in the edge region provided with an edge zone of a conduction type complementing the first conduction type with doping materials of body zones of the cell field. The edge zone of the complementary conduction type extends both within and outside the edge trench.

摘要翻译： 提供了具有半导体本体的集成电路器件和用于制造半导体器件的方法。 半导体体包括具有第一导电类型的漂移区的电池区。 此外，半导体器件包括围绕电池区的边缘区域。 具有沟槽栅极结构的场板被布置在电池区中，并且在边缘区域中设置围绕电池区的边缘沟槽。 半导体本体的前侧处于边缘区域，该边缘区域具有与单元区域的体区的掺杂材料互补的第一导电类型的导电类型的边缘区域。 互补导电类型的边缘区域在边缘沟槽内部和外部均延伸。

公开(公告)号：US07880226B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US12020077

申请日：2008-01-25

申请人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

发明人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： An integrated circuit device with a semiconductor body and a method for the production of a semiconductor device a provided. The semiconductor body comprises a cell field with a drift zone of a first conduction type. In addition, the semiconductor device comprises an edge region surrounding the cell field. Field plates with a trench gate structure are arranged in the cell field, and an edge trench surrounding the cell field is provided in the edge region. The front side of the semiconductor body is in the edge region provided with an edge zone of a conduction type complementing the first conduction type with doping materials of body zones of the cell field. The edge zone of the complementary conduction type extends both within and outside the edge trench.

摘要翻译： 提供了具有半导体本体的集成电路器件和用于制造半导体器件的方法。 半导体体包括具有第一导电类型的漂移区的电池区。 此外，半导体器件包括围绕电池区的边缘区域。 具有沟槽栅极结构的场板被布置在电池区中，并且在边缘区域中设置围绕电池区的边缘沟槽。 半导体本体的前侧处于边缘区域，该边缘区域具有与单元区域的体区的掺杂材料互补的第一导电类型的导电类型的边缘区域。 互补导电类型的边缘区域在边缘沟槽内部和外部均延伸。

公开(公告)号：US20090218618A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12041391

申请日：2008-03-03

申请人： Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Maximilian Roesch ,  Walter Rieger

发明人： Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Maximilian Roesch ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734

摘要： A semiconductor device and method. One embodiments provides a semiconductor substrate having a trench with a sidewall isolation comprising a first isolating material, a field electrode formed in lower portion of the trench, a cover comprising a second material above the field electrode, the second material being selectively etchable to the first isolating material, a gate dielectric on the sidewall in an upper portion of the trench and a gate electrode in the upper portion of the trench.

摘要翻译： 半导体器件和方法。 一个实施例提供了具有沟槽的半导体衬底，侧壁隔离包括第一隔离材料，形成在沟槽下部的场电极，覆盖在场电极上方的第二材料，第二材料可选择性地蚀刻到第一 隔离材料，在沟槽的上部中的侧壁上的栅极电介质和沟槽上部的栅电极。

公开(公告)号：US07833862B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US12041391

申请日：2008-03-03

申请人： Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Maximilian Roesch ,  Walter Rieger

发明人： Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Maximilian Roesch ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734

摘要： A semiconductor device and method. One embodiments provides a semiconductor substrate having a trench with a sidewall isolation comprising a first isolating material, a field electrode formed in lower portion of the trench, a cover comprising a second material above the field electrode, the second material being selectively etchable to the first isolating material, a gate dielectric on the sidewall in an upper portion of the trench and a gate electrode in the upper portion of the trench.

摘要翻译： 半导体器件和方法。 一个实施例提供了具有沟槽的半导体衬底，侧壁隔离包括第一隔离材料，形成在沟槽下部的场电极，覆盖在场电极上方的第二材料，第二材料可选择性地蚀刻到第一 隔离材料，在沟槽的上部中的侧壁上的栅极电介质和沟槽上部的栅电极。