公开(公告)号：US20110297979A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US12795272

申请日：2010-06-07

申请人： Frederic S. DIANA ,  Henry Kwong-Hin CHOY ,  Qingwei MO ,  Serge L. RUDAZ ,  Frank L. WEI ,  Daniel A, STEIGERWALD

发明人： Frederic S. DIANA ,  Henry Kwong-Hin CHOY ,  Qingwei MO ,  Serge L. RUDAZ ,  Frank L. WEI ,  Daniel A, STEIGERWALD

IPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/08 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/005

摘要： In embodiments of the invention, a passivation layer is disposed over a side of a semiconductor structure including a light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region. A material configured to adhere to an underfill is disposed over an etched surface of the semiconductor structure.

摘要翻译： 在本发明的实施例中，钝化层设置在包括设置在n型区域和p型区域之间的发光层的半导体结构的一侧上。 配置成附着到底部填充物的材料设置在半导体结构的蚀刻表面上。