公开(公告)号：US20160336172A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：US14712197

申请日：2015-05-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES Inc.

Inventor： Linus JANG ,  Sanggil BAE ,  Daeyoup LEE

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L21/033 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692

Abstract: Lithography stack, intermediate semiconductor devices, and methods of fabrication are provided. The method includes obtaining an intermediate semiconductor device with a substrate, applying a spin on carbon layer over the substrate, and applying a hardmask layer over the spin on carbon layer. The intermediate semiconductor device includes a substrate, a spin on carbon layer over the substrate, and a hardmask layer over the spin on carbon layer. The lithography stack includes a spin on carbon layer, an invisible hardmask layer over the spin on carbon layer, and a photoresist layer over the invisible hardmask layer.

Abstract translation: 提供了平版印刷叠层，中间半导体器件和制造方法。 该方法包括获得具有衬底的中间半导体器件，在衬底上施加在碳层上的自旋，以及在碳层上的自旋上施加硬掩模层。 中间半导体器件包括衬底，在衬底上的自旋碳层，以及在碳层上的旋涂上的硬掩模层。 光刻堆叠包括在碳层上的自旋，在碳层上的自旋上的不可见的硬掩模层，以及在不可见的硬掩模层上的光致抗蚀剂层。