公开(公告)号：US20150311072A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：US14692231

申请日：2015-04-21

Applicant: Gasp Solar ApS ,  UCL Business PLC

Inventor： Martin Aagesen ,  Yunyan Zhang ,  Jiang Wu ,  Huiyun Liu

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/306 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/20

Abstract: The present invention provides a reproducible preliminary in-situ oxide removal step for patterned self-assisted III-V semiconductor nanowire growth. Here “in-situ” means located within the same treatment environment or apparatus as the nanowire growth process, e.g. with a molecular beam epitaxy (MBE) apparatus or the like. Providing an in-situ process may prevent the formation of a thin oxide layer during transfer of the substrate into the nanowire growth apparatus.

Abstract translation: 本发明提供了用于图案化自助III-V半导体纳米线生长的可再现的初步原位氧化物去除步骤。 这里“原地”表示位于与纳米线生长过程相同的处理环境或装置中，例如， 具有分子束外延（MBE）装置等。 提供原位过程可以防止在将衬底转移到纳米线生长装置中时形成薄的氧化物层。

公开(公告)号：US09793686B2

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：US15099906

申请日：2016-04-15

Applicant: UCL Business PLC

Inventor： Huiyun Liu ,  Andrew David Lee ,  Alwyn John Seeds

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/34 ,  H01S5/02 ,  H01S5/30 ,  H01S5/20 ,  H01S5/343 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01S5/3412 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02661 ,  H01S5/02 ,  H01S5/021 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34313

Abstract: A semiconductor device comprising a silicon substrate on which is grown a

公开(公告)号：US09343874B2

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US14418399

申请日：2013-07-30

Applicant: UCL BUSINESS PLC

Inventor： Huiyun Liu ,  Andrew David Lee ,  Alwyn John Seeds

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/34 ,  H01S5/02 ,  H01S5/30 ,  H01S5/20 ,  H01S5/343 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01S5/3412 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02661 ,  H01S5/02 ,  H01S5/021 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34313

Abstract: A semiconductor device comprising a silicon substrate on which is grown a

Abstract translation: 一种半导体器件，包括硅衬底，在其上生长厚度<100nm厚的AlAs或相关化合物的外延层，之后是除GaN缓冲层之外的化合物半导体。 另外的III-V族化合物半导体结构可以在顶部外延生长。 AlAs外延层减少了与硅的界面的缺陷的形成和传播，因此可以改善在顶部生长的活性结构的性能。

公开(公告)号：US20150244151A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：US14418399

申请日：2013-07-30

Applicant: UCL BUSINESS PLC

Inventor： Huiyun Liu ,  Andrew David Lee ,  Alwyn John Seeds

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/02 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3412 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02661 ,  H01S5/02 ,  H01S5/021 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34313

Abstract: A semiconductor device comprising a silicon substrate on which is grown a

Abstract translation: 一种半导体器件，包括硅衬底，在其上生长厚度<100nm厚的AlAs或相关化合物的外延层，之后是除GaN缓冲层之外的化合物半导体。 另外的III-V族化合物半导体结构可以在顶部外延生长。 AlAs外延层减少了与硅的界面的缺陷的形成和传播，因此可以提高在顶部生长的活性结构的性能。