公开(公告)号：US20100099238A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12288627

申请日：2008-10-22

申请人： George Vakanas ,  George Chen ,  Yuval Greenzweig ,  Eric Li ,  Sergei Voronov

发明人： George Vakanas ,  George Chen ,  Yuval Greenzweig ,  Eric Li ,  Sergei Voronov

IPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/38

CPC分类号： B23K26/16 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50

摘要： The present invention discloses an apparatus including: a laser beam directed at a wafer held by a chuck mounted on a stage inside a process chamber; a focusing mechanism for the laser beam; a steering mechanism for the laser beam; an optical scanning mechanism for the laser beam; a mechanical scanning system for the stage; an etch chemical induced by the laser beam to etch the wafer and form volatile byproducts; a gas feed line to dispense the etch chemical towards the wafer; and a gas exhaust line to remove any excess of the etch chemical and the volatile byproducts.

摘要翻译： 本发明公开了一种装置，包括：激光束，其被引导到由安装在处理室内的台上的卡盘保持的晶片; 用于激光束的聚焦机构; 用于激光束的转向机构; 用于激光束的光学扫描机构; 用于舞台的机械扫描系统; 由激光束引起的刻蚀化学蚀刻以蚀刻晶片并形成挥发性副产物; 用于将蚀刻化学品分配给晶片的气体供给管线; 和排气管线，以除去任何过量的蚀刻化学品和挥发性副产物。

公开(公告)号：US20100129984A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12324692

申请日：2008-11-26

申请人： George Vakanas ,  George Chen ,  Yuval Greenzweig ,  Eric Li ,  Sergei Voronov

发明人： George Vakanas ,  George Chen ,  Yuval Greenzweig ,  Eric Li ,  Sergei Voronov

IPC分类号： H01L21/02 ,  B23K26/02

CPC分类号： H01L21/67092 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/12 ,  B23K26/127 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/78

摘要： The present invention discloses an apparatus including: a laser beam directed at a wafer held by a chuck in a process chamber; a focusing mechanism for the laser beam; a steering mechanism for the laser beam; an optical scanning mechanism for the laser beam; a mechanical scanning system for the chuck; an etch chemical induced by the laser beam to etch the wafer and form volatile byproducts; a gas feed line to dispense the etch chemical towards the wafer; and a gas exhaust line to remove any excess of the etch chemical and the volatile byproducts.

摘要翻译： 本发明公开了一种装置，包括：激光束，其被引导到处理室中由卡盘保持的晶片; 用于激光束的聚焦机构; 用于激光束的转向机构; 用于激光束的光学扫描机构; 用于卡盘的机械扫描系统; 由激光束引起的刻蚀化学蚀刻以蚀刻晶片并形成挥发性副产物; 用于将蚀刻化学品分配给晶片的气体供给管线; 和排气管线，以除去任何过量的蚀刻化学品和挥发性副产物。

公开(公告)号：US08426250B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12288627

申请日：2008-10-22

申请人： George Vakanas ,  George Chen ,  Yuval Greenzweig ,  Eric Li ,  Sergei Voronov

发明人： George Vakanas ,  George Chen ,  Yuval Greenzweig ,  Eric Li ,  Sergei Voronov

IPC分类号： H01L21/78

CPC分类号： B23K26/16 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50

摘要： The present invention discloses an apparatus including: a laser beam directed at a wafer held by a chuck mounted on a stage inside a process chamber; a focusing mechanism for the laser beam; a steering mechanism for the laser beam; an optical scanning mechanism for the laser beam; a mechanical scanning system for the stage; an etch chemical induced by the laser beam to etch the wafer and form volatile byproducts; a gas feed line to dispense the etch chemical towards the wafer; and a gas exhaust line to remove any excess of the etch chemical and the volatile byproducts.

摘要翻译： 本发明公开了一种装置，包括：激光束，其被引导到由安装在处理室内的台上的卡盘保持的晶片; 用于激光束的聚焦机构; 用于激光束的转向机构; 用于激光束的光学扫描机构; 用于舞台的机械扫描系统; 由激光束引起的刻蚀化学蚀刻以蚀刻晶片并形成挥发性副产物; 用于将蚀刻化学品分配给晶片的气体供给管线; 和排气管线，以除去任何过量的蚀刻化学品和挥发性副产物。

公开(公告)号：US20060252255A9

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US10209453

申请日：2002-07-30

申请人： Ilan Gavish ,  Yuval Greenzweig

发明人： Ilan Gavish ,  Yuval Greenzweig

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/047 ,  C23C16/486 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76892

摘要： Introducing at least one metal such as cobalt, molybdenum, metal carbonyl, tungsten, platinum, or other suitable metal to a focused ion beam. Introducing the focused ion beam to a substrate within a processing chamber. Forming at least one layer over a substrate. Applying heat to the layer by, for example, a laser.

摘要翻译： 将至少一种金属如钴，钼，金属羰基，钨，铂或其他合适的金属引入聚焦离子束。 将聚焦离子束引入处理室内的衬底。 在衬底上形成至少一层。 通过例如激光将热量施加到该层。

公开(公告)号：US20060051508A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11260790

申请日：2005-10-26

申请人： Ilan Gavish ,  Yuval Greenzweig

发明人： Ilan Gavish ,  Yuval Greenzweig

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/486 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56

摘要： Introducing at least one metal such as cobalt, molybdenum, metal carbonyl, tungsten, platinum, or other suitable metal into a chamber containing a substrate. Contacting the substrate with a focused ion beam introduced into the chamber. Forming at least one layer over the substrate. Applying heat to the layer by, for example, a laser.

摘要翻译： 将至少一种金属如钴，钼，金属羰基，钨，铂或其它合适的金属引入含有基底的室中。 将基板与引入腔室的聚焦离子束接触。 在基底上形成至少一层。 通过例如激光将热量施加到该层。

公开(公告)号：US06492261B2

公开(公告)日：2002-12-10

申请号：US09753108

申请日：2000-12-30

申请人： Ilan Gavish ,  Yuval Greenzweig

发明人： Ilan Gavish ,  Yuval Greenzweig

IPC分类号： H01L714763

CPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/047 ,  C23C16/486 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76892

摘要： Introducing at least one metal such as cobalt, molybdenum, metal carbonyl, tungsten, platinum, or other suitable metal to a focused ion beam. Introducing the focused ion beam to a substrate within a processing chamber. Forming at least one layer over a substrate. Applying heat to the layer by, for example, a laser.

摘要翻译： 将至少一种金属如钴，钼，金属羰基，钨，铂或其他合适的金属引入聚焦离子束。 将聚焦离子束引入处理室内的衬底。 在衬底上形成至少一层。 通过例如激光将热量施加到该层。

公开(公告)号：US07171918B2

公开(公告)日：2007-02-06

申请号：US10209453

申请日：2002-07-30

申请人： Ilan Gavish ,  Yuval Greenzweig

发明人： Ilan Gavish ,  Yuval Greenzweig

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/047 ,  C23C16/486 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76892

摘要： Introducing at least one metal such as cobalt, molybdenum, metal carbonyl, tungsten, platinum, or other suitable metal to a focused ion beam. Introducing the focused ion beam to a substrate within a processing chamber. Forming at least one layer over a substrate. Applying heat to the layer by, for example, a laser.

摘要翻译： 将至少一种金属如钴，钼，金属羰基，钨，铂或其他合适的金属引入聚焦离子束。 将聚焦离子束引入处理室内的衬底。 在衬底上形成至少一层。 通过例如激光将热量施加到该层。

公开(公告)号：US06627538B2

公开(公告)日：2003-09-30

申请号：US10209983

申请日：2002-07-31

申请人： Ilan Gavish ,  Yuval Greenzweig

发明人： Ilan Gavish ,  Yuval Greenzweig

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/047 ,  C23C16/486 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76892

摘要： Introducing at least one metal such as cobalt, molybdenum, metal carbonyl, tungsten, platinum, or other suitable metal to a focused ion beam. Introducing the focused ion beam to a substrate within a processing chamber. Forming at least one layer over a substrate. Applying heat to the layer by, for example, a laser.