公开(公告)号：US20060246652A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US11119106

申请日：2005-05-02

申请人： Gordon Grivna ,  Peter Zdebel ,  Diann Dow

发明人： Gordon Grivna ,  Peter Zdebel ,  Diann Dow

IPC分类号： H01L21/8249

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0676

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming isolation trenches that are used to isolate some of the electrical elements such as transistors, diodes, capacitors, or resistors on a semiconductor die from other elements on the semiconductor die.

公开(公告)号：US20050145945A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10750267

申请日：2004-01-02

申请人： Peter Zdebel ,  Diann Dow

发明人： Peter Zdebel ,  Diann Dow

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/62

CPC分类号： H01L27/0255

摘要： In one embodiment, a concentric ring ESD structure includes a first p-type region and a second p-type region are formed in a layer of semiconductor material. The two p-type regions are coupled together with a floating n-type buried layer. The first and second p-type regions form a back-to-back diode structure with the floating n-type buried layer. A pair of shorted n-type and p-type contact regions is formed in each of the first and second regions. An isolation region is formed between the first and second p-type regions.

摘要翻译： 在一个实施例中，同心环ESD结构包括第一p型区域和第二p型区域形成在半导体材料层中。 两个p型区域与浮动n型掩埋层耦合在一起。 第一和第二p型区域形成具有浮置n型掩埋层的背对背二极管结构。 在第一和第二区域的每一个中形成一对短路的n型和p型接触区域。 在第一和第二p型区域之间形成隔离区域。

公开(公告)号：US20060180858A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11057139

申请日：2005-02-15

申请人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

发明人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/0646 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a charge compensation region is formed in a body of semiconductor material. A conductive layer is coupled to the charge compensation layer. In a further embodiment, the charge compensation region comprises a trench filled with opposite conductivity type semiconductor layers.

摘要翻译： 在一个实施例中，在半导体材料体中形成电荷补偿区域。 导电层耦合到电荷补偿层。 在另一实施例中，电荷补偿区域包括填充有相反导电型半导体层的沟槽。

公开(公告)号：US20060261444A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11132949

申请日：2005-05-20

申请人： Gordon Grivna ,  Peter Zdebel

发明人： Gordon Grivna ,  Peter Zdebel

IPC分类号： H01L27/082

CPC分类号： H01L21/743 ,  H01L21/76286 ,  H01L21/763

摘要： In one embodiment, a pair of sidewall passivated trench contacts is formed in a substrate to provide electrical contact to a sub-surface feature. A doped region is diffused between the pair of sidewall passivated trenches to provide low resistance contacts.

摘要翻译： 在一个实施例中，在衬底中形成一对侧壁钝化沟槽触点以提供与子表面特征的电接触。 掺杂区域在一对侧壁钝化沟槽之间扩散，以提供低电阻触点。

公开(公告)号：US20060180857A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11057138

申请日：2005-02-15

申请人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

发明人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/66727 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, an edge termination structure is formed in a semiconductor layer of a first conductivity type. The termination structure includes an isolation trench and a conductive layer in contact with the semiconductor layer. The semiconductor layer is formed over a semiconductor substrate of a second conductivity type. In a further embodiment, the isolation trench includes a plurality of shapes that comprise portions of the semiconductor layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，边缘终端结构形成在第一导电类型的半导体层中。 端接结构包括与半导体层接触的隔离沟槽和导电层。 半导体层形成在第二导电类型的半导体衬底上。 在另一实施例中，隔离沟槽包括多个形状，其包括半导体层的部分。

公开(公告)号：US20080012137A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11769650

申请日：2007-06-27

申请人： Gordon Grivna ,  Peter Zdebel

发明人： Gordon Grivna ,  Peter Zdebel

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/743 ,  H01L21/76286 ,  H01L21/763

摘要： In one embodiment, a pair of sidewall passivated trench contacts is formed in a substrate to provide electrical contact to a sub-surface feature. A doped region is diffused between the pair of sidewall passivated trenches to provide low resistance contacts.

摘要翻译： 在一个实施例中，在衬底中形成一对侧壁钝化沟槽触点以提供与子表面特征的电接触。 掺杂区域在一对侧壁钝化沟槽之间扩散，以提供低电阻触点。

公开(公告)号：US20070034947A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11582889

申请日：2006-10-19

申请人： Gary Loechelt ,  John Parsey ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

发明人： Gary Loechelt ,  John Parsey ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  Y10S257/90

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a charge compensating trench formed in proximity to active portions of the device. The charge compensating trench includes a trench filled with various layers of semiconductor material including opposite conductivity type layers.

公开(公告)号：US20060180947A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11057140

申请日：2005-02-15

申请人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

发明人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a charge compensating trench formed in proximity to active portions of the device. The charge compensating trench includes a trench filled with various layers of semiconductor material including opposite conductivity type layers.

公开(公告)号：US20060240625A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11112597

申请日：2005-04-25

申请人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel

发明人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/332

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  Y10S257/90

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a counter-doped drain region spaced apart from a channel region.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件形成在半导体材料体中。 半导体器件包括与沟道区间隔开的反掺杂漏极区。

公开(公告)号：US20060237780A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11112570

申请日：2005-04-25

申请人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel

发明人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a screening electrode spaced apart from a channel region.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件形成在半导体材料体中。 半导体器件包括与沟道区间隔开的屏蔽电极。