公开(公告)号：US20060180858A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11057139

申请日：2005-02-15

申请人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

发明人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/0646 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a charge compensation region is formed in a body of semiconductor material. A conductive layer is coupled to the charge compensation layer. In a further embodiment, the charge compensation region comprises a trench filled with opposite conductivity type semiconductor layers.

摘要翻译： 在一个实施例中，在半导体材料体中形成电荷补偿区域。 导电层耦合到电荷补偿层。 在另一实施例中，电荷补偿区域包括填充有相反导电型半导体层的沟槽。

公开(公告)号：US20060180857A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11057138

申请日：2005-02-15

申请人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

发明人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/66727 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, an edge termination structure is formed in a semiconductor layer of a first conductivity type. The termination structure includes an isolation trench and a conductive layer in contact with the semiconductor layer. The semiconductor layer is formed over a semiconductor substrate of a second conductivity type. In a further embodiment, the isolation trench includes a plurality of shapes that comprise portions of the semiconductor layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，边缘终端结构形成在第一导电类型的半导体层中。 端接结构包括与半导体层接触的隔离沟槽和导电层。 半导体层形成在第二导电类型的半导体衬底上。 在另一实施例中，隔离沟槽包括多个形状，其包括半导体层的部分。

公开(公告)号：US20070034947A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11582889

申请日：2006-10-19

申请人： Gary Loechelt ,  John Parsey ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

发明人： Gary Loechelt ,  John Parsey ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  Y10S257/90

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a charge compensating trench formed in proximity to active portions of the device. The charge compensating trench includes a trench filled with various layers of semiconductor material including opposite conductivity type layers.

公开(公告)号：US20060240625A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11112597

申请日：2005-04-25

申请人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel

发明人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/332

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  Y10S257/90

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a counter-doped drain region spaced apart from a channel region.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件形成在半导体材料体中。 半导体器件包括与沟道区间隔开的反掺杂漏极区。

公开(公告)号：US20060237780A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11112570

申请日：2005-04-25

申请人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel

发明人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a screening electrode spaced apart from a channel region.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件形成在半导体材料体中。 半导体器件包括与沟道区间隔开的屏蔽电极。

公开(公告)号：US20060180947A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11057140

申请日：2005-02-15

申请人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

发明人： Gary Loechelt ,  Peter Zdebel ,  Gordon Grivna

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a charge compensating trench formed in proximity to active portions of the device. The charge compensating trench includes a trench filled with various layers of semiconductor material including opposite conductivity type layers.

公开(公告)号：US20070215914A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11384161

申请日：2006-03-20

申请人： Gary Loechelt

发明人： Gary Loechelt

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7396

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes an offset body region.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件形成在半导体材料体中。 半导体器件包括偏移体区域。

公开(公告)号：US06664574B2

公开(公告)日：2003-12-16

申请号：US09945683

申请日：2001-09-05

申请人： Misbahul Azam ,  Gary Loechelt ,  Julio Costa

发明人： Misbahul Azam ,  Gary Loechelt ,  Julio Costa

IPC分类号： H01L310328

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L27/082 ,  H01L29/7378

摘要： A semiconductor component (100) includes a semiconductor substrate (16) that is formed with trench (27). A semiconductor layer (20) is formed in the trench for coupling a control signal (VB) through a sidewall (25) of the trench to route a current (Ic) through a bottom surface (23) of the trench.

摘要翻译： 半导体部件（100）包括形成有沟槽（27）的半导体衬底（16）。 在沟槽中形成半导体层（20），用于通过沟槽的侧壁（25）耦合控制信号（VB），以使电流（Ic）穿过沟槽的底表面（23）。

公开(公告)号：US20060220151A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11095136

申请日：2005-04-01

申请人： Gary Loechelt ,  Robert Davies ,  David Lutz

发明人： Gary Loechelt ,  Robert Davies ,  David Lutz

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a localized region of doping near a portion of a channel region where current exits during operation.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件形成在半导体材料体中。 半导体器件包括在操作期间电流离开的沟道区域的一部分附近的局部化掺杂区域。