公开(公告)号：US06812119B1

公开(公告)日：2004-11-02

申请号：US10614052

申请日：2003-07-08

申请人： Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L213205

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7842

摘要： A method of forming fins for a double-gate fin field effect transistor (FinFET) includes forming a second layer of semi-conducting material over a first layer of semi-conducting material and forming double caps in the second layer of semi-conducting material. The method further includes forming spacers adjacent sides of each of the double caps and forming double fins in the first layer of semi-conducting material beneath the double caps. The method also includes thinning the double fins to produce narrow double fins.

摘要翻译： 一种形成双栅极鳍效应晶体管（FinFET）的鳍片的方法包括在第一半导体材料层上形成第二半导电材料层，并在第二半导体材料层中形成双重盖子。 该方法还包括在每个双盖的侧面上形成间隔物，并在双重帽下面的第一半导体材料层中形成双翅片。 该方法还包括使双翅片变薄以产生窄的双翅片。

公开(公告)号：US07250645B1

公开(公告)日：2007-07-31

申请号：US10761374

申请日：2004-01-22

申请人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

发明人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L27/08

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： A fin field effect transistor (FinFET) includes a reversed T-shaped fin. The FinFET further includes source and drain regions formed adjacent the reversed T-shaped fin. The FinFET further includes a dielectric layer formed adjacent surfaces of the fin and a gate formed adjacent the dielectric layer.

摘要翻译： 翅片场效应晶体管（FinFET）包括反转的T形翅片。 FinFET还包括邻近反转的T形翅片形成的源极和漏极区域。 FinFET还包括邻近散热片表面形成的电介质层和邻近电介质层形成的栅极。

公开(公告)号：US07498225B1

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US11428722

申请日：2006-07-05

申请人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

发明人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/785

摘要： A method for forming fin structures for a semiconductor device that includes a substrate and a dielectric layer formed on the substrate is provided. The method includes etching the dielectric layer to form a first structure, depositing an amorphous silicon layer over the first structure, and etching the amorphous silicon layer to form second and third fin structures adjacent first and second side surfaces of the first structure. The second and third fin structures may include amorphous silicon material. The method further includes depositing a metal layer on upper surfaces of the second and third fin structures, performing a metal-induced crystallization operation to convert the amorphous silicon material of the second and third fin structures to a crystalline silicon material, and removing the first structure.

摘要翻译： 提供了一种用于形成半导体器件的鳍结构的方法，该半导体器件包括衬底和形成在衬底上的电介质层。 该方法包括蚀刻介电层以形成第一结构，在第一结构上沉积非晶硅层，以及蚀刻非晶硅层以形成与第一结构的第一和第二侧表面相邻的第二和第三鳍结构。 第二和第三鳍结构可以包括非晶硅材料。 该方法还包括在第二和第三鳍结构的上表面上沉积金属层，执行金属诱导结晶操作以将第二鳍和第三鳍结构的非晶硅材料转化成晶体硅材料，并且去除第一结构 。

公开(公告)号：US07541267B1

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US11765611

申请日：2007-06-20

申请人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

发明人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： A method includes forming a first rectangular mesa from a layer of semiconducting material and forming a first dielectric layer around the first mesa. The method further includes forming a first rectangular mask over a first portion of the first mesa leaving an exposed second portion of the first mesa and etching the exposed second portion of the first mesa to produce a reversed T-shaped fin from the first mesa.

摘要翻译： 一种方法包括从半导体材料层形成第一矩形台面并在第一台面周围形成第一介电层。 该方法还包括在第一台面的第一部分上形成第一矩形掩模，离开第一台面的暴露的第二部分并蚀刻第一台面的暴露的第二部分以从第一台面产生反向的T形翅片。

公开(公告)号：US06855989B1

公开(公告)日：2005-02-15

申请号：US10674520

申请日：2003-10-01

申请人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

发明人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L27/01 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795

摘要： A fin field effect transistor includes a fin, a source region, a drain region, a first gate electrode and a second gate electrode. The fin includes a channel. The source region is formed adjacent a first end of the fin and the drain region is formed adjacent a second end of the fin. The first gate electrode includes a first layer of metal material formed adjacent the fin. The second gate electrode includes a second layer of metal material formed adjacent the first layer. The first layer of metal material has a different work function than the second layer of metal material. The second layer of metal material selectively diffuses into the first layer of metal material via metal interdiffusion.

摘要翻译： 翅片场效应晶体管包括鳍片，源极区域，漏极区域，第一栅极电极和第二栅极电极。 鳍包括一个通道。 源区域邻近翅片的第一端形成，并且漏极区域邻近翅片的第二端形成。 第一栅电极包括邻近翅片形成的第一金属材料层。 第二栅电极包括与第一层相邻形成的第二金属材料层。 第一层金属材料具有与第二层金属材料不同的功函数。 金属材料的第二层选择性地通过金属相互扩散扩散到金属材料的第一层中。

公开(公告)号：US07179692B2

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：US10913409

申请日：2004-08-09

申请人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a fin on an insulating layer, where the fin includes a number of side surfaces, a top surface and a bottom surface. The method also includes forming a gate on the insulating layer, where the gate has a substantially U-shaped cross-section at a channel region of the semiconductor device.

摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括在绝缘层上形成翅片，其中鳍片包括多个侧表面，顶表面和底表面。 该方法还包括在绝缘层上形成栅极，其中栅极在半导体器件的沟道区域具有基本上U形的横截面。

公开(公告)号：US07095065B2

公开(公告)日：2006-08-22

申请号：US10633504

申请日：2003-08-05

申请人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795

摘要： A semiconductor device may include a substrate and an insulating layer formed on the substrate. A first device may be formed on the insulating layer, including a first fin. The first fin may be formed on the insulating layer and may have a first fin aspect ratio. A second device may be formed on the insulating layer, including a second fin. The second fin may be formed on the insulating layer and may have a second fin aspect ratio different from the first fin aspect ratio.

摘要翻译： 半导体器件可以包括衬底和形成在衬底上的绝缘层。 第一器件可以形成在绝缘层上，包括第一鳍片。 第一翅片可以形成在绝缘层上，并且可以具有第一翅片长宽比。 第二装置可以形成在绝缘层上，包括第二鳍片。 第二翅片可以形成在绝缘层上，并且可以具有与第一翅片长宽比不同的第二翅片长宽比。

公开(公告)号：US08217450B1

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US10770011

申请日：2004-02-03

申请人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7856

摘要： A double-gate semiconductor device includes a substrate, an insulating layer, a fin and two gates. The insulating layer is formed on the substrate and the fin is formed on the insulating layer. A first gate is formed on the insulating layer and is adjacent a first sidewall of the fin. The second gate is formed on the insulating layer and is adjacent a second sidewall of the fin opposite the first sidewall. The first and second gates both include a conductive material and are electrically separated by the fin.

摘要翻译： 双栅半导体器件包括衬底，绝缘层，鳍和两个栅极。 绝缘层形成在基板上，并且鳍形成在绝缘层上。 第一栅极形成在绝缘层上并与鳍片的第一侧壁相邻。 第二栅极形成在绝缘层上并且与第一侧壁相对的翅片的第二侧壁相邻。 第一和第二栅极都包括导电材料并且被散热片电隔离。

公开(公告)号：US06958512B1

公开(公告)日：2005-10-25

申请号：US10770010

申请日：2004-02-03

申请人： Yider Wu ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Yider Wu ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/42324 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7881

摘要： A non-volatile memory device includes a substrate, an insulating layer, a fin, a conductive structure and a control gate. The insulating layer may be formed on the substrate and the fin may be formed on the insulating layer. The conductive structure may be formed near a side of the fin and the control gate may be formed over the fin. The conductive structure may act as a floating gate electrode for the non-volatile memory device.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括衬底，绝缘层，鳍，导电结构和控制栅。 绝缘层可以形成在基板上，并且鳍可以形成在绝缘层上。 导电结构可以形成在鳍的一侧附近，并且控制栅可以形成在翅片上。 导电结构可以用作非易失性存储器件的浮栅电极。

公开(公告)号：US06787406B1

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：US10638334

申请日：2003-08-12

申请人： Wiley Eugene Hill ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Wiley Eugene Hill ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L2184

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  Y10S438/944

摘要： A method facilitates the doping of fins of a semiconductor device that includes a substrate. The method includes forming fin structures on the substrate, where each of the fin structures includes a cap formed on a fin. The method further includes performing a first tilt angle implant process to dope a first one of the fins with n-type impurities and performing a second tilt angle implant process to dope a second one of the fins with p-type impurities.

摘要翻译： 一种方法有助于掺杂包括衬底的半导体器件的散热片。 该方法包括在基板上形成翅片结构，其中每个翅片结构都包括形成在翅片上的盖。 该方法还包括执行第一倾斜角度注入工艺以用n型杂质掺杂第一个翅片，并执行第二倾斜角度注入工艺，以使p型杂质掺杂第二个翅片。