公开(公告)号：US07576372B2

公开(公告)日：2009-08-18

申请号：US11627712

申请日：2007-01-26

申请人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou ,  David W. Hill

发明人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou ,  David W. Hill

IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for making a free-standing, single crystal, aluminum gallium nitride (AlGaN) wafer includes forming a single crystal AlGaN layer directly on a single crystal LiAlO2 substrate using an aluminum halide reactant gas, a gallium halide reactant gas, and removing the single crystal LiAlO2 substrate from the single crystal AlGaN layer to make the free-standing, single crystal AlGaN wafer. Forming the single crystal AlGaN layer may comprise depositing AlGaN by vapor phase epitaxy (VPE) using aluminum and gallium halide reactant gases and a nitrogen-containing reactant gas. The growth of the AlGaN layer using VPE provides commercially acceptable rapid growth rates. In addition, the AlGaN layer can be devoid of carbon throughout. Because the AlGaN layer produced is high quality single crystal, it may have a defect density of less than about 107cm−2.

摘要翻译： 制造独立的单晶，氮化镓铝（AlGaN）晶片的方法包括使用卤化铝反应物气体，卤化镓反应物气体直接在单晶LiAlO 2衬底上形成单晶AlGaN层，并除去单晶 晶体LiAlO2基板由单晶AlGaN层制成独立的单晶AlGaN晶片。 形成单晶AlGaN层可以包括使用铝和卤化镓反应物气体和含氮反应气体通过气相外延（VPE）沉积AlGaN。 使用VPE的AlGaN层的生长提供商业上可接受的快速生长速率。 此外，AlGaN层整体上不含碳。 由于所生产的AlGaN层是高质量的单晶，所以它的缺陷密度可能小于约107cm-2。

公开(公告)号：US07169227B2

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10396986

申请日：2003-03-25

申请人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou ,  David W. Hill

发明人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou ,  David W. Hill

IPC分类号： C30B25/12 ,  C30B25/14

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for making a free-standing, single crystal, aluminum gallium nitride (AlGaN) wafer includes forming a single crystal AlGaN layer directly on a single crystal LiAlO2 substrate using an aluminum halide reactant gas, a gallium halide reactant gas, and removing the single crystal LiAlO2 substrate from the single crystal AlGaN layer to make the free-standing, single crystal AlGaN wafer. Forming the single crystal AlGaN layer may comprise depositing AlGaN by vapor phase epitaxy (VPE) using aluminum and gallium halide reactant gases and a nitrogen-containing reactant gas. The growth of the AlGaN layer using VPE provides commercially acceptable rapid growth rates. In addition, the AlGaN layer can be devoid of carbon throughout. Because the AlGaN layer produced is high quality single crystal, it may have a defect density of less than about 107 cm−2.

摘要翻译： 制造独立的单晶，氮化镓铝（AlGaN）晶片的方法包括：使用卤化铝反应物气体，镓（AlGaN）形成直接在单晶LiAl 2 O 3衬底上的单晶AlGaN层 卤化物反应物气体，并从单晶AlGaN层除去单晶LiAlO 2衬底以制造独立的单晶AlGaN晶片。 形成单晶AlGaN层可以包括使用铝和卤化镓反应物气体和含氮反应气体通过气相外延（VPE）沉积AlGaN。 使用VPE的AlGaN层的生长提供商业上可接受的快速生长速率。 此外，AlGaN层整体上不含碳。 因为所生产的AlGaN层是高质量的单晶，所以它的缺陷密度可能小于约10 -7 cm -2。

公开(公告)号：US20110110697A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12616768

申请日：2009-11-11

申请人： Harriss C.N. Ganey ,  David W. Hill ,  Go Osaki ,  Hisashi Shima ,  Aaron M. Stewart ,  John D. Swansey ,  Tomoyuki Takahashi

发明人： Harriss C.N. Ganey ,  David W. Hill ,  Go Osaki ,  Hisashi Shima ,  Aaron M. Stewart ,  John D. Swansey ,  Tomoyuki Takahashi

IPC分类号： B41J5/00

CPC分类号： H01H13/84 ,  G06F1/1662 ,  H01H2217/024

摘要： Embodiments of the invention provide an electronic device, such as a laptop PC, with a keyboard having specialized keys. The specialized keys according to embodiments of the invention are chamfer-less, configured with a larger, “D” shaped striking surface having a concavity therein.

公开(公告)号：USD442951S1

公开(公告)日：2001-05-29

申请号：US29114770

申请日：1999-11-30

申请人： David W. Hill ,  Antonio Latto ,  Brian Leonard ,  Richard Sapper ,  John D. Swansey

设计人： David W. Hill ,  Antonio Latto ,  Brian Leonard ,  Richard Sapper ,  John D. Swansey

公开(公告)号：USD423969S

公开(公告)日：2000-05-02

申请号：US106535

申请日：1999-06-17

申请人： Robert E. Springer ,  David W. Hill ,  Brian H. Leonard ,  Robert C. Schwartz ,  John D. Swansey

设计人： Robert E. Springer ,  David W. Hill ,  Brian H. Leonard ,  Robert C. Schwartz ,  John D. Swansey

公开(公告)号：USD349488S

公开(公告)日：1994-08-09

申请号：US834500

申请日：1992-02-11

申请人： Wayne L. Aderman ,  David W. Hill

设计人： Wayne L. Aderman ,  David W. Hill

公开(公告)号：USD335655S

公开(公告)日：1993-05-18

申请号：US598444

申请日：1990-10-15

申请人： David W. Hill

设计人： David W. Hill

公开(公告)号：US08931969B2

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：US12412453

申请日：2009-03-27

申请人： Aaron M. Stewart ,  Hiroki Hirano ,  David W. Hill ,  Mitsuo Horiuchi ,  Tomoyuki Takahashi ,  Kazuo Nakada ,  Go Osaki

发明人： Aaron M. Stewart ,  Hiroki Hirano ,  David W. Hill ,  Mitsuo Horiuchi ,  Tomoyuki Takahashi ,  Kazuo Nakada ,  Go Osaki

IPC分类号： B41J5/00 ,  G06F3/02 ,  G06F1/16

CPC分类号： G06F3/0202 ,  G06F1/1662

摘要： The invention provides large, vertically elongated keyboard keys strategically chosen and positioned above the alphanumeric section of a standard keyboard (e.g. a laptop PC keyboard) to provide a more ergonomic keyboard arrangement. The invention provides for keys that appropriately address the needs of touch typists when striking frequently used keys located above the alphanumeric section of the keyboard.

摘要翻译： 本发明提供了大量的垂直伸长的键盘键，其被策略地选择并定位在标准键盘（例如膝上型PC键盘）的字母数字部分之上，以提供更符合人体工程学的键盘装置。 本发明提供了当打击位于键盘的字母数字部分上方的频繁使用的键时适当地满足触摸打字机的需要的键。

公开(公告)号：US20130303566A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13748816

申请日：2013-01-24

申请人： DAVID W. HILL

发明人： David W. Hill

IPC分类号： A61K31/5575 ,  A61K31/417 ,  A61K31/472

CPC分类号： A61K31/5575 ,  A61K31/417 ,  A61K31/472 ,  A61K2300/00

摘要： The present invention provides a method of treating a mammal with age-related macular degeneration (AMD) comprising administering a dosage of at least one of prostaglandin E1 (PGE1), papaverine, and an alpha-1-vasodilator, in a pharmaceutically acceptable carrier for a period of time effective to deliver a dosage effective to treat said AMD.

摘要翻译： 本发明提供了治疗年龄相关性黄斑变性（AMD）的哺乳动物的方法，包括在药学上可接受的载体中施用前列腺素E1（PGE1），罂粟碱和α-1血管扩张剂中的至少一种的剂量 一段时间有效地提供有效治疗所述AMD的剂量。

公开(公告)号：US08152989B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US11757332

申请日：2007-06-01

申请人： Harold E. Childers, II ,  Randolfo Fernandez ,  Rudolf C. Matousek ,  James B. Moore ,  David W. Hill

发明人： Harold E. Childers, II ,  Randolfo Fernandez ,  Rudolf C. Matousek ,  James B. Moore ,  David W. Hill

IPC分类号： B01D17/06 ,  C25B1/26 ,  C02F1/461

CPC分类号： G01N33/1846 ,  B63J4/002 ,  B63J4/004 ,  C02F1/4674 ,  C02F1/70 ,  C02F2103/008 ,  C02F2201/46125 ,  C02F2209/001 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/20 ,  C02F2209/40 ,  C02F2301/043 ,  C02F2303/185

摘要： A system and process for treating ballast water within an ocean going vessel by generating hypochlorite for treating the ballast water. The system comprises one or more hypochlorite electrolytic cells in fluid communication with ballast water. The total organic carbon content of the ballast water is ascertained and the amount of hypochlorite generated is modulated in response to the total organic carbon content of the ballast water. In one embodiment the system comprises a total organic carbon analyzer for measuring total organic carbon content.In one embodiment of the process of the invention, hypochlorite production is modulated so that the residual halogen-containing oxidizing agent is maintained in the ballast water. In another embodiment of the process, hypochlorite production is modulated to maintain a weight ratio of hypochlorite to total organic carbon in the ballast water ranging from about 1.0 to about 3.0.

摘要翻译： 通过产生用于处理压载水的次氯酸盐来处理海洋船舶内的压载水的系统和方法。 该系统包括与压载水流体连通的一个或多个次氯酸盐电解池。 确定压载水的总有机碳含量，并响应于压载水的总有机碳含量调制产生的次氯酸盐的量。 在一个实施方案中，该系统包括用于测量总有机碳含量的总有机碳分析仪。 在本发明方法的一个实施方案中，调节次氯酸盐的生成，使得残留的含卤素的氧化剂保持在压载水中。 在该方法的另一个实施方案中，调节次氯酸盐的产生以保持压载水中次氯酸盐与总有机碳的重量比为约1.0至约3.0。