公开(公告)号：US20150198530A1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：US14580415

申请日：2014-12-23

申请人： Mitch M. C. Chou

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Chu-An Li

IPC分类号： G01N21/64 ,  C09K11/65

CPC分类号： G01N21/64 ,  C09K11/655 ,  G01N2201/061 ,  G01T1/10 ,  G21K2004/06

摘要： A method for producing an optically stimulated luminescene (OSL) dosage detection crystal is disclosed, where an Al2O3 is first covered with carbon. The carbon atoms are diffused then in vacuum into the Al2O3 lattices. Then, the oxygen and carbon atoms react with each other in an anneal process under 1 atm. At this time, oxygen and the carbon atoms are enabled to react with each other, and thus C+O result in CO, or C+O2 form CO2, so that oxygen vacancy deficiencies are formed in the Al2O3 crystal. At this time, a uniformly carbon distributed crystal structure is thus simply obtained.

摘要翻译： 公开了一种用于制备光学刺激的发光（OSL）剂量检测晶体的方法，其中首先用碳覆盖Al 2 O 3。 碳原子在真空中扩散到Al2O3晶格中。 然后，在1atm以下的退火工艺中，氧和碳原子相互反应。 此时，氧和碳原子能够彼此反应，因此C + O导致CO或C + O 2形成CO 2，从而在Al 2 O 3晶体中形成氧空位缺陷。 此时，简单地获得均匀的碳分布晶体结构。

公开(公告)号：US08158948B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US12942137

申请日：2010-11-09

申请人： Mitch M. C. Chou

发明人： Mitch M. C. Chou

IPC分类号： G01T1/20

CPC分类号： G21K4/00 ,  A61B6/037 ,  C09K11/7774 ,  G01T1/2985

摘要： A detector using scintillating crystals is provided. The scintillating crystal is based on cerium doped lutetium yttrium orthosilicate (Ce:LYSO). With calcium (Ca) doped into Ce:LYSO, the electrovalence of Ce is further uniformly distributed. The scintillating crystal obtains high stability with 2 to 10 times greater electrical degree than that of a general scintillating crystal. Thus, radiative induction to cancer cells is improved and distribution of the cancer cells is easily figured out.

摘要翻译： 提供了使用闪烁晶体的检测器。 闪烁晶体基于铈掺杂的镥原硅酸钇（Ce：LYSO）。 随着Ce（Ce:LYSO）掺杂钙（Ca），Ce的电价进一步均匀分布。 闪烁晶体获得高于一般闪烁晶体的电程的2至10倍的高稳定性。 因此，对癌细胞的辐射诱导得到改善，并且容易想到癌细胞的分布。

公开(公告)号：US20110204240A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US12942137

申请日：2010-11-09

申请人： Mitch M. C. Chou

发明人： Mitch M. C. Chou

IPC分类号： G01T1/20 ,  C09K11/84

CPC分类号： G21K4/00 ,  A61B6/037 ,  C09K11/7774 ,  G01T1/2985

摘要： A detector using scintillating crystals is provided. The scintillating crystal is based on cerium doped lutetium yttrium orthosilicate (Ce:LYSO). With calcium (Ca) doped into Ce:LYSO, the electrovalence of Ce is further uniformly distributed. The scintillating crystal obtains high stability with 2 to 10 times greater electrical degree than that of a general scintillating crystal. Thus, radiative induction to cancer cells is improved and distribution of the cancer cells is easily figured out.

摘要翻译： 提供了使用闪烁晶体的检测器。 闪烁晶体基于铈掺杂的镥原硅酸钇（Ce：LYSO）。 随着Ce（Ce:LYSO）掺杂钙（Ca），Ce的电价进一步均匀分布。 闪烁晶体获得高于一般闪烁晶体的电程的2至10倍的高稳定性。 因此，对癌细胞的辐射诱导得到改善，并且容易想出癌细胞的分布。

公开(公告)号：US20080233671A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11808565

申请日：2007-06-11

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： A light emitting diode (LED) is made. The LED had a LiAlO2 substrate and a GaN layer. Between them, there is a zinc oxide (ZnO) layer. Because GaN and ZnO have a similar. Wurtzite structure, GaN can easily grow on ZnO. By using the ZnO layer, the GaN layer is successfully grown as a single crystal thin film on the LiAlO2 substrate. Thus, GaN defect density is reduced and lattice match is obtained to have a good crystal interface quality and an enhanced light emitting efficiency of a device thus made.

摘要翻译： 制造发光二极管（LED）。 LED具有LiAlO 2 N 2衬底和GaN层。 在它们之间，存在氧化锌（ZnO）层。 因为GaN和ZnO有类似的。 纤锌矿结构，GaN可以容易地在ZnO上生长。 通过使用ZnO层，GaN层在LiAlO 2衬底上成功生长为单晶薄膜。 因此，GaN缺陷密度降低，并且获得晶格匹配以具有良好的晶体界面质量和提高的发光效率。

公开(公告)号：US20080231172A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11808770

申请日：2007-06-12

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu ,  Cheng-Hung Wei

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu ,  Cheng-Hung Wei

IPC分类号： H01J1/62

CPC分类号： H05B33/14 ,  C09K11/7721 ,  H01L33/502 ,  Y02B20/181

摘要： The present invention is a light emitting device which uses a specific phosphor powder. The phosphor powder is a combination of cerium (Ce) and lithium aluminum oxide (LiAlO2). They are mixed under a specific range of composition ratio. With the specific phosphor powder applied, the light emitting device has advantages in a low cost, a reduced power consumption, an easy production, a long life, and so on. In addition, a transformation efficiency of the phosphor powder is high and so a light emitting efficiency of the light emitting device is enhanced.

摘要翻译： 本发明是使用特定荧光体粉末的发光装置。 荧光体粉末是铈（Ce）和氧化铝锂（LiAlO 2/2）的组合。 它们在特定的组成比范围内混合。 通过使用特定的荧光体粉末，发光装置具有成本低廉，功耗降低，生产容易，寿命长等优点。 此外，荧光体粉末的转换效率高，因此发光器件的发光效率提高。

公开(公告)号：US06648966B2

公开(公告)日：2003-11-18

申请号：US09920448

申请日：2001-08-01

申请人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou

发明人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou

IPC分类号： C30B2518

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10S117/91

摘要： A method for making a free-standing, single crystal, gallium nitride (GaN) wafer includes forming a single crystal GaN layer directly on a single crystal LiAlO2 substrate using a gallium halide reactant gas, and removing the single crystal LiAlO2 substrate from the single crystal GaN layer to make the free-standing, single crystal GaN wafer. Forming the single crystal GaN layer may comprise depositing GaN by vapor phase epitaxy (VPE) using the gallium halide reactant gas and a nitrogen-containing reactant gas. Because gallium halide is used as a reactant gas rather than a metal organic reactant such as trimethygallium (TMG), the growth of the GaN layer can be performed using VPE which provides commercially acceptable rapid growth rates. In addition, the GaN layer is also devoid of carbon throughout. Because the GaN layer produced is high quality single crystal, it may have a defect density of less than about 107 cm−2.

摘要翻译： 制造独立的单晶氮化镓（GaN）晶片的方法包括：使用卤化镓反应气体直接在单晶LiAlO 2衬底上形成单晶GaN层，并从单晶中除去单晶LiAlO 2衬底 GaN层制作独立的单晶GaN晶圆。 形成单晶GaN层可以包括使用卤化镓反应气体和含氮反应气体通过气相外延（VPE）沉积GaN。 由于卤化镓用作反应气体而不是诸如三甲基镓（TMG）的金属有机反应物，所以可以使用提供商业上可接受的快速生长速率的VPE进行GaN层的生长。 另外，GaN层整体也没有碳。 由于制造的GaN层是高质量的单晶，所以它的缺陷密度可能小于约10 7 cm -2。

公开(公告)号：US07576372B2

公开(公告)日：2009-08-18

申请号：US11627712

申请日：2007-01-26

申请人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou ,  David W. Hill

发明人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou ,  David W. Hill

IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for making a free-standing, single crystal, aluminum gallium nitride (AlGaN) wafer includes forming a single crystal AlGaN layer directly on a single crystal LiAlO2 substrate using an aluminum halide reactant gas, a gallium halide reactant gas, and removing the single crystal LiAlO2 substrate from the single crystal AlGaN layer to make the free-standing, single crystal AlGaN wafer. Forming the single crystal AlGaN layer may comprise depositing AlGaN by vapor phase epitaxy (VPE) using aluminum and gallium halide reactant gases and a nitrogen-containing reactant gas. The growth of the AlGaN layer using VPE provides commercially acceptable rapid growth rates. In addition, the AlGaN layer can be devoid of carbon throughout. Because the AlGaN layer produced is high quality single crystal, it may have a defect density of less than about 107cm−2.

摘要翻译： 制造独立的单晶，氮化镓铝（AlGaN）晶片的方法包括使用卤化铝反应物气体，卤化镓反应物气体直接在单晶LiAlO 2衬底上形成单晶AlGaN层，并除去单晶 晶体LiAlO2基板由单晶AlGaN层制成独立的单晶AlGaN晶片。 形成单晶AlGaN层可以包括使用铝和卤化镓反应物气体和含氮反应气体通过气相外延（VPE）沉积AlGaN。 使用VPE的AlGaN层的生长提供商业上可接受的快速生长速率。 此外，AlGaN层整体上不含碳。 由于所生产的AlGaN层是高质量的单晶，所以它的缺陷密度可能小于约107cm-2。

公开(公告)号：US07169227B2

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10396986

申请日：2003-03-25

申请人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou ,  David W. Hill

发明人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou ,  David W. Hill

IPC分类号： C30B25/12 ,  C30B25/14

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for making a free-standing, single crystal, aluminum gallium nitride (AlGaN) wafer includes forming a single crystal AlGaN layer directly on a single crystal LiAlO2 substrate using an aluminum halide reactant gas, a gallium halide reactant gas, and removing the single crystal LiAlO2 substrate from the single crystal AlGaN layer to make the free-standing, single crystal AlGaN wafer. Forming the single crystal AlGaN layer may comprise depositing AlGaN by vapor phase epitaxy (VPE) using aluminum and gallium halide reactant gases and a nitrogen-containing reactant gas. The growth of the AlGaN layer using VPE provides commercially acceptable rapid growth rates. In addition, the AlGaN layer can be devoid of carbon throughout. Because the AlGaN layer produced is high quality single crystal, it may have a defect density of less than about 107 cm−2.

摘要翻译： 制造独立的单晶，氮化镓铝（AlGaN）晶片的方法包括：使用卤化铝反应物气体，镓（AlGaN）形成直接在单晶LiAl 2 O 3衬底上的单晶AlGaN层 卤化物反应物气体，并从单晶AlGaN层除去单晶LiAlO 2衬底以制造独立的单晶AlGaN晶片。 形成单晶AlGaN层可以包括使用铝和卤化镓反应物气体和含氮反应气体通过气相外延（VPE）沉积AlGaN。 使用VPE的AlGaN层的生长提供商业上可接受的快速生长速率。 此外，AlGaN层整体上不含碳。 因为所生产的AlGaN层是高质量的单晶，所以它的缺陷密度可能小于约10 -7 cm -2。

公开(公告)号：US07812526B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US11808564

申请日：2007-06-11

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L51/50 ,  H05B33/00 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04

CPC分类号： C30B29/20 ,  C30B29/16 ,  H01L33/0066 ,  H01S2301/173

摘要： A lithium aluminum oxide (LiAlO2) substrate suitable for a zinc oxide (ZnO) buffer layer is found. The ZnO buffer layer is grown on the LiAlO2 substrate. Because the LiAlO2 substrate has a similar structure to that of the ZnO buffer layer, a quantum confined stark effect (QCSE) is effectively eliminated. And a photoelectrical device made with the present invention, like a light emitting diode, a piezoelectric material or a laser diode, thus obtains an enhanced light emitting efficiency.

摘要翻译： 发现适用于氧化锌（ZnO）缓冲层的氧化铝锂（LiAlO 2）底物。 在LiAlO 2衬底上生长ZnO缓冲层。 由于LiAlO 2衬底具有与ZnO缓冲层相似的结构，因此有效地消除了量子限制Stark效应（QCSE）。 并且，通过本发明制造的光电器件，如发光二极管，压电材料或激光二极管，从而获得增强的发光效率。

公开(公告)号：US20070289947A1

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：US11454005

申请日：2006-06-16

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu ,  Chi-Tse Lee ,  Sin-Jie Huang

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu ,  Chi-Tse Lee ,  Sin-Jie Huang

IPC分类号： C03C15/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B1/00

摘要： The present invention polishes a lithium aluminum oxide (LiAlo2) crystal several times with three different materials and then the LiAlo2 crystal are soaked into an acid solution to be washed for obtaining a LiAlo2 crystal of film-free, scratch-free with smooth surface.

摘要翻译： 本发明用三种不同的材料将锂铝氧化物（LiAl 2 O 3）晶体抛光数次，然后将LiAl 2 Cl 2晶体浸泡在酸洗液中以得到 无光泽的LiAlo 2＆lt; 2＆gt;晶体，无光滑，表面光滑。