公开(公告)号：US08122302B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US11543112

申请日：2006-10-05

申请人： Hoe Ju Chung ,  Young Chan Jang

发明人： Hoe Ju Chung ,  Young Chan Jang

IPC分类号： G06F11/00 ,  G06F1/00 ,  G01R31/28 ,  G05D17/00 ,  H04B7/00

CPC分类号： G11C5/147 ,  G11C7/1006

摘要： In one embodiment, the semiconductor device includes at least one circuit element configured to generate output data. At least one control circuit is configured to adaptively control a power of the output data based on feedback from a receiving semiconductor device, which receives the output data.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件包括被配置为产生输出数据的至少一个电路元件。 至少一个控制电路被配置为基于接收输出数据的接收半导体器件的反馈来自适应地控制输出数据的功率。

公开(公告)号：US20110103140A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12875332

申请日：2010-09-03

申请人： Hoe Ju Chung

发明人： Hoe Ju Chung

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C7/062 ,  G11C7/04 ,  G11C8/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C2207/063

摘要： The data read circuit includes a variable current generation circuit and a data sensing circuit. The variable current generation circuit is configured to generate a variable current that varies in response to an external temperature. The data sensing circuit is configured to sense and amplify data on a bit line connected to a non-volatile memory cell according to the variable current and to configured to output the sensed and amplified data. The data sensing circuit controls a margin for sensing the data according to the variable current.

摘要翻译： 数据读取电路包括可变电流产生电路和数据感测电路。 可变电流产生电路被配置为产生响应于外部温度变化的可变电流。 数据感测电路被配置为根据可变电流感测和放大连接到非易失性存储器单元的位线上的数据，并且被配置为输出感测和放大的数据。 数据检测电路根据可变电流控制用于感测数据的余量。

公开(公告)号：US08411528B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US12684497

申请日：2010-01-08

申请人： Hoon Lee ,  Uk Song Kang ,  Hoe Ju Chung

发明人： Hoon Lee ,  Uk Song Kang ,  Hoe Ju Chung

IPC分类号： G11C8/12

CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C5/00 ,  G11C5/02 ,  G11C8/06 ,  G11C8/12

摘要： A semiconductor device includes a memory cell array comprising a plurality of banks and a page size controller. The page size controller decodes a part of a bank selection address or a power supply voltage and a remaining part of the bank selection address to enable one of the plurality of banks or enable two of the plurality of banks to set a page size of the semiconductor device.

摘要翻译： 半导体器件包括包括多个存储体的存储单元阵列和页面大小控制器。 页面尺寸控制器解码存储体选择地址或电源电压的一部分以及存储体选择地址的剩余部分，以使得多个存储体中的一个存储体使能或使多个存储体中的两个可以设置半导体的页面大小 设备。

公开(公告)号：US08351252B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US12875332

申请日：2010-09-03

申请人： Hoe Ju Chung

发明人： Hoe Ju Chung

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C7/062 ,  G11C7/04 ,  G11C8/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C2207/063

摘要： The data read circuit includes a variable current generation circuit and a data sensing circuit. The variable current generation circuit is configured to generate a variable current that varies in response to an external temperature. The data sensing circuit is configured to sense and amplify data on a bit line connected to a non-volatile memory cell according to the variable current and to configured to output the sensed and amplified data. The data sensing circuit controls a margin for sensing the data according to the variable current.

摘要翻译： 数据读取电路包括可变电流产生电路和数据感测电路。 可变电流产生电路被配置为产生响应于外部温度变化的可变电流。 数据感测电路被配置为根据可变电流感测和放大连接到非易失性存储器单元的位线上的数据，并且被配置为输出感测和放大的数据。 数据检测电路根据可变电流控制用于感测数据的余量。

公开(公告)号：US20100177572A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12684497

申请日：2010-01-08

申请人： Hoon LEE ,  Uk Song Kang ,  Hoe Ju Chung

发明人： Hoon LEE ,  Uk Song Kang ,  Hoe Ju Chung

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C8/00 ,  G11C7/00 ,  G11C8/10

CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C5/00 ,  G11C5/02 ,  G11C8/06 ,  G11C8/12

摘要： A semiconductor device includes a memory cell array comprising a plurality of banks and a page size controller. The page size controller decodes a part of a bank selection address or a power supply voltage and a remaining part of the bank selection address to enable one of the plurality of banks or enable two of the plurality of banks to set a page size of the semiconductor device.

摘要翻译： 半导体器件包括包括多个存储体的存储单元阵列和页面大小控制器。 页面尺寸控制器解码存储体选择地址或电源电压的一部分以及存储体选择地址的剩余部分，以使得多个存储体中的一个存储体使能或使多个存储体中的两个可以设置半导体的页面大小 设备。