公开(公告)号：US08477125B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US11641842

申请日：2006-12-20

申请人： Hye Hyang Park ,  Byoung Deog Choi ,  Sun A Yang ,  Youn Chul Oh ,  Eun Jung Lee ,  Won Seok Kang

发明人： Hye Hyang Park ,  Byoung Deog Choi ,  Sun A Yang ,  Youn Chul Oh ,  Eun Jung Lee ,  Won Seok Kang

IPC分类号： G09G5/00

CPC分类号： H01L27/144 ,  H01L27/3269 ,  H01L31/145 ,  H01L31/153 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： An organic light-emitting display includes a substrate, a thin film transistor on the substrate, an organic light-emitting diode electrically connected to the thin film transistor, and a photo sensor having a plurality of photo diodes connected to one another in parallel.

摘要翻译： 有机发光显示器包括基板，基板上的薄膜晶体管，与薄膜晶体管电连接的有机发光二极管和具有并联连接的多个光电二极管的光电传感器。

公开(公告)号：US20080170014A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：US11808914

申请日：2007-06-13

申请人： Jin Woung Jung ,  Sun A Yang ,  Eun Jung Lee ,  Su Young Kim ,  Youn Chul Oh ,  Hye Hyang Park

发明人： Jin Woung Jung ,  Sun A Yang ,  Eun Jung Lee ,  Su Young Kim ,  Youn Chul Oh ,  Hye Hyang Park

IPC分类号： G09G3/32

CPC分类号： G09G3/3233 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2320/0285 ,  G09G2360/16

摘要： An organic light emitting display and a method of correcting images thereof prevents the occurrence of excessive pixel aging, burning and image sticking caused by loading effect and includes: a loading effect measuring unit to measure a luminance according to a level at which an image signal having an equal gray scale value is loaded into a display panel of the organic light emitting display; an average loading level calculating unit to calculate a loading level at which the luminance averages; a loading effect compensating unit to compensate the power supply voltage corresponding to the image signal to obtain a luminance equal to the luminance at the average loading level; and a power supply control unit to control the power supply voltage to supply the compensated power supply voltage to the display panel of the organic light emitting display.

摘要翻译： 一种有机发光显示器及其图像校正方法，防止由于载入效果引起的过度的像素老化，燃烧和图像残留的发生，包括：负载效应测量单元，用于根据具有 将相同的灰度值加载到有机发光显示器的显示面板中; 平均负载水平计算单元，用于计算亮度平均的负载水平; 负载效应补偿单元，用于补偿与图像信号相对应的电源电压，以获得等于平均负载水平的亮度的亮度; 以及电源控制单元，用于控制电源电压以将补偿的电源电压提供给有机发光显示器的显示面板。

公开(公告)号：US08314428B2

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：US10734162

申请日：2003-12-15

申请人： Ji Yong Park ,  Ki Yong Lee ,  Hye Hyang Park

发明人： Ji Yong Park ,  Ki Yong Lee ,  Hye Hyang Park

IPC分类号： H01L27/14

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

摘要： A thin film transistor including a lightly doped drain (LDD) region or offset region, wherein the thin film transistor is formed so that primary crystal grain boundaries of a polysilicon substrate are not positioned in the LDD or offset region.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括轻掺杂漏极（LDD）区域或偏移区域，其中所述薄膜晶体管形成为使得多晶硅衬底的初晶晶界不位于LDD或偏移区域中。

公开(公告)号：US07767507B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11655168

申请日：2007-01-19

申请人： Ji Yong Park ,  Hye Hyang Park

发明人： Ji Yong Park ,  Hye Hyang Park

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02532 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/0268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696 ,  Y10S438/945

摘要： A polycrystalline silicon thin film to be used in display devices, the thin film having adjacent primary grain boundaries that are not parallel to each other, wherein an area surrounded by the primary grain boundaries is larger than 1 μm2, a fabrication method of the polycrystalline silicon thin film, and a thin film transistor fabricated using the method.

摘要翻译： 在显示装置中使用的多晶硅薄膜，所述薄膜具有彼此不平行的相邻的一次晶粒边界，其中由所述一次晶界所包围的面积大于1μm，所述多晶硅的制造方法 薄膜和使用该方法制造的薄膜晶体管。

公开(公告)号：US07183571B2

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：US10694030

申请日：2003-10-28

申请人： Ji Yong Park ,  Hye Hyang Park

发明人： Ji Yong Park ,  Hye Hyang Park

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L21/02532 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/0268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696 ,  Y10S438/945

摘要： A polycrystalline silicon thin film to be used in display devices, the thin film having adjacent primary grain boundaries that are not parallel to each other, wherein an area surrounded by the primary grain boundaries is larger than 1 μm2, a fabrication method of the polycrystalline silicon thin film, and a thin film transistor fabricated using the method.

摘要翻译： 在显示装置中使用的多晶硅薄膜，该薄膜具有彼此不平行的相邻一次晶界，其中，由一次晶界所包围的面积大于1μm< ，多晶硅薄膜的制造方法以及使用该方法制造的薄膜晶体管。

公开(公告)号：US07777226B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11201326

申请日：2005-08-11

申请人： Ji Yong Park ,  Hye Hyang Park

发明人： Ji Yong Park ,  Hye Hyang Park

IPC分类号： H01L31/036

CPC分类号： H01L21/02532 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/0268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696 ,  Y10S438/945

摘要： A polycrystalline silicon thin film to be used in display devices, the thin film comprising adjacent primary grain boundaries that are not parallel to each other and do not contact each other, wherein an area surrounded by the primary grain boundaries is larger than 1 μm2, a fabrication method of the polycrystalline silicon thin film, and a thin film transistor fabricated using the method.

摘要翻译： 一种用于显示装置的多晶硅薄膜，该薄膜包括彼此不平行且不彼此接触的相邻一次晶粒边界，其中由一次晶界边界的面积大于1μm2， 多晶硅薄膜的制造方法以及使用该方法制造的薄膜晶体管。