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    ETCHING CHAMBER HAVING FLOW EQUALIZER AND LOWER LINER
    1.
    发明申请
    ETCHING CHAMBER HAVING FLOW EQUALIZER AND LOWER LINER 审中-公开
    具有流量均衡器和下层的蚀刻室

    公开(公告)号：US20090188625A1

    公开(公告)日：2009-07-30

    申请号：US12020696

    申请日：2008-01-28

    申请人： JAMES D. CARDUCCI ,  KIN PONG LO ,  KALLOL BERA

    发明人： JAMES D. CARDUCCI ,  KIN PONG LO ,  KALLOL BERA

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01J37/32623 ,  H01J37/32467

    摘要： A plasma processing chamber having a lowered flow equalizer and a lower chamber liner. In an etching process, the processing gases may be unevenly drawn from the processing chamber which may cause an uneven etching of the substrate. By equalizing the flow of the processing gases evacuated from the chamber, a more uniform etching may occur. By electrically coupling the flow equalizer to the chamber liners, the RF return path from the flow equalizer may run along the chamber liners and hence, reduce the amount of plasma drawn below the substrate during processing.

    摘要翻译： 具有降低的流量均衡器和下腔室衬套的等离子体处理室。 在蚀刻工艺中，处理气体可能不均匀地从处理室抽出，这可能导致基板的不均匀蚀刻。 通过均衡从室抽出的处理气体的流动，可能发生更均匀的蚀刻。 通过将流量均衡器电耦合到室衬套，来自流量均衡器的RF返回路径可以沿着室衬套运行，并且因此减少在处理期间在衬底下方拉制的等离子体的量。

    APPARATUS FOR CONTROLLING TEMPERATURE UNIFORMITY OF A SHOWERHEAD
    2.
    发明申请
    APPARATUS FOR CONTROLLING TEMPERATURE UNIFORMITY OF A SHOWERHEAD 审中-公开
    控制淋浴器温度均匀性的设备

    公开(公告)号：US20110180233A1

    公开(公告)日：2011-07-28

    申请号：US12886258

    申请日：2010-09-20

    申请人： KALLOL BERA ,  JAMES D. CARDUCCI ,  HAMID NOORBAKHSH ,  LARRY D. ELIZAGA ,  DOUGLAS A. BUCHBERGER, JR. ,  ANDREW NGUYEN

    发明人： KALLOL BERA ,  JAMES D. CARDUCCI ,  HAMID NOORBAKHSH ,  LARRY D. ELIZAGA ,  DOUGLAS A. BUCHBERGER, JR. ,  ANDREW NGUYEN

    IPC分类号： F28C3/00

    CPC分类号： F28F7/02 ,  H01L21/67109

    摘要： An apparatus for controlling thermal uniformity of a substrate-facing surface of a showerhead is provided herein. In some embodiments, the thermal uniformity of the substrate facing surface of the showerhead may be controlled to be more uniform. In some embodiments, the thermal uniformity of the substrate facing surface of the showerhead may be controlled to be non-uniform in a desired pattern. In some embodiments, an apparatus for controlling thermal uniformity of a substrate-facing surface of a showerhead may include a showerhead having a substrate facing surface and one or more plenums for providing one or more process gases through a plurality of gas distribution holes formed through the substrate facing surface of the showerhead; and a plurality of flow paths having a substantially equivalent fluid conductance disposed within the showerhead to flow a heat transfer fluid.

    摘要翻译： 本发明提供一种用于控制喷头的面向基板表面的热均匀性的装置。 在一些实施例中，喷头的面向衬底的表面的热均匀性可被控制得更均匀。 在一些实施例中，喷头的面向衬底的表面的热均匀性可以以期望的图案被控制为不均匀的。 在一些实施例中，用于控制喷头的面向基板的表面的热均匀性的装置可以包括具有基板对向表面的喷头和一个或多个增压室，用于通过形成的多个气体分配孔来提供一个或多个处理气体 喷头的面向基板的表面; 以及多个流动路径，其具有设置在所述喷头内的基本上等效的流体传导以流过传热流体。

    ELECTRICAL CONTROL OF PLASMA UNIFORMITY USING EXTERNAL CIRCUIT
    5.
    发明申请
    ELECTRICAL CONTROL OF PLASMA UNIFORMITY USING EXTERNAL CIRCUIT 审中-公开
    使用外部电路的等离子体均匀性的电气控制

    公开(公告)号：US20090230089A1

    公开(公告)日：2009-09-17

    申请号：US12047492

    申请日：2008-03-13

    申请人： KALLOL BERA ,  SHAHID RAUF ,  AJIT BALAKRISHNA ,  KENNETH S. COLLINS ,  KARTIK RAMASWAMY ,  HIROJI HANAWA

    发明人： KALLOL BERA ,  SHAHID RAUF ,  AJIT BALAKRISHNA ,  KENNETH S. COLLINS ,  KARTIK RAMASWAMY ,  HIROJI HANAWA

    IPC分类号： B01J19/08 ,  C23F1/00

    CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091

    摘要： A method and apparatus for controlling plasma uniformity is disclosed. When etching a substrate, a non-uniform plasma may lead to uneven etching of the substrate. Impedance circuits may alleviate the uneven plasma to permit more uniform etching. The impedance circuits may be disposed between the chamber wall and ground, the showerhead and ground, and the cathode can and ground. The impedance circuits may comprise one or more of an inductor and a capacitor. The inductance of the inductor and the capacitance of the capacitor may be predetermined to ensure the plasma is uniform. Additionally, the inductance and capacitance may be adjusted during processing or between processing steps to suit the needs of the particular process.

    摘要翻译： 公开了一种用于控制等离子体均匀性的方法和装置。 当蚀刻基板时，不均匀的等离子体可能导致基板的不均匀蚀刻。 阻抗电路可以减轻不均匀的等离子体以允许更均匀的蚀刻。 阻抗电路可以设置在室壁和地面之间，淋浴头和地面以及阴极罐和地面之间。 阻抗电路可以包括电感器和电容器中的一个或多个。 电感器的电感和电容器的电容可以被预先确定，以确保等离子体是均匀的。 此外，可以在处理期间或在处理步骤之间调整电感和电容以适应特定工艺的需要。

    APPARATUS FOR CONTROLLING TEMPERATURE UNIFORMITY OF A SUBSTRATE
    6.
    发明申请
    APPARATUS FOR CONTROLLING TEMPERATURE UNIFORMITY OF A SUBSTRATE 有权
    用于控制基板温度均匀性的装置

    公开(公告)号：US20110180243A1

    公开(公告)日：2011-07-28

    申请号：US12886255

    申请日：2010-09-20

    申请人： KALLOL BERA ,  XIAOPING ZHOU ,  DOUGLAS A. BUCHBERGER, JR. ,  ANDREW NGUYEN ,  HAMID TAVASSOLI ,  SURAJIT KUMAR ,  SHAHID RAUF

    发明人： KALLOL BERA ,  XIAOPING ZHOU ,  DOUGLAS A. BUCHBERGER, JR. ,  ANDREW NGUYEN ,  HAMID TAVASSOLI ,  SURAJIT KUMAR ,  SHAHID RAUF

    IPC分类号： F28F3/12

    CPC分类号： F28F3/12 ,  F28F2013/001

    摘要： Apparatus for controlling thermal uniformity of a substrate is provided herein. In some embodiments, the thermal uniformity of the substrate may be controlled to be more uniform. In some embodiments, the thermal uniformity of the substrate may be controlled to be non-uniform in a desired pattern. In some embodiments, an apparatus for controlling thermal uniformity of a substrate may include a substrate support having a support surface to support a substrate thereon; and a plurality of flow paths having a substantially equivalent fluid conductance disposed within the substrate support to flow a heat transfer fluid beneath the support surface.

    摘要翻译： 本文提供了用于控制基板的热均匀性的装置。 在一些实施例中，可以将衬底的热均匀性控制得更均匀。 在一些实施例中，可以将所述衬底的热均匀性控制为以所需图案不均匀。 在一些实施例中，用于控制衬底的热均匀性的装置可以包括具有用于在其上支撑衬底的支撑表面的衬底支撑件; 以及多个流动路径，其具有设置在所述基板支撑件内的基本相当的流体电导，以使传热流体在所述支撑表面下方流动。