公开(公告)号：US20140023968A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：US14037659

申请日：2013-09-26

Applicant: JSR CORPORATION

Inventor： Hiromitsu NAKASHIMA ,  Toru KIMURA ,  Yusuke ASANO ,  Masafumi HORI ,  Reiko KIMURA ,  Kazuki KASAHARA ,  Hiromu MIYATA ,  Masafumi YOSHIDA

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0041 ,  C08F220/22 ,  C08F220/24 ,  C08F220/28 ,  C08F2220/283 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0274

Abstract: A resist pattern-forming method includes providing a resist film having a surface free energy of 30 to 40 mN/m on a substrate using a radiation-sensitive resin composition. The resist film is exposed by applying radiation via a mask. The exposed resist film is developed. It is preferable that the exposing of the resist film includes exposing the resist film via an immersion liquid that is provided over the resist film

Abstract translation: 抗蚀剂图案形成方法包括使用辐射敏感性树脂组合物在基板上提供具有30至40mN / m的表面自由能的抗蚀剂膜。 通过经由掩模施加辐射来曝光抗蚀剂膜。 显影出抗蚀剂膜。 优选的是，抗蚀剂膜的曝光包括通过设置在抗蚀剂膜上的浸渍液体曝光抗蚀剂膜

公开(公告)号：US20130089817A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13644708

申请日：2012-10-04

Applicant: JSR CORPORATION

Inventor： Hiromu MIYATA ,  Hiromitsu NAKASHIMA ,  Masafumi YOSHIDA

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0046 ,  C08F220/28 ,  C08F2220/282 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38

Abstract: A photoresist composition includes a polymer that includes a first structural unit shown by a formula (1), and an acid generator. R1 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. R2 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. A represents —COO—*, —OCO—*, —O—, —S—, or —NH—, wherein “*” indicates a site bonded to R3. R3 represents a single bond or a divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. The polymer preferably further includes a second structural unit that includes an acid-labile group.

Abstract translation: 光致抗蚀剂组合物包括包含式（1）所示的第一结构单元和酸发生剂的聚合物。 R1表示氢原子，氟原子，甲基或三氟甲基。 R2表示碳原子数为1〜10的二价烃基。 A表示-COO- *，-OCO- *，-O-，-S-或-NH-，其中*表示与R3键合的位点。 R3表示单键或碳原子数为1〜10的二价烃基。 聚合物优选还包括包含酸不稳定基团的第二结构单元。

公开(公告)号：US20130216948A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：US13851158

申请日：2013-03-27

Applicant: JSR CORPORATION

Inventor： Kazuki KASAHARA ,  Hiromitsu NAKASHIMA ,  Masafumi HORI ,  Masafumi YOSHIDA

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/004 ,  C07D307/93 ,  C07D493/18 ,  C08F220/20 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0275

Abstract: A radiation-sensitive resin composition for forming a resist film includes a polymer including a first structural unit represented by a formula (1) and a second structural unit represented by a formula (2). The first structural unit and the second structural unit are included in an identical polymer molecule or different polymer molecules. R1 represents a hydrogen atom or a methyl group. Q represents a divalent linking group having 1 to 4 carbon atoms. X represents a monovalent lactone group. A part or all of hydrogen atoms included in the monovalent lactone group represented by X are not substituted or substituted. R2 represents a hydrogen atom or a methyl group. Y represents a monovalent lactone group. A part or all of hydrogen atoms included in the monovalent lactone group represented by Y are not substituted or substituted.

Abstract translation: 用于形成抗蚀剂膜的辐射敏感性树脂组合物包括含有由式（1）表示的第一结构单元和由式（2）表示的第二结构单元的聚合物。 第一结构单元和第二结构单元包含在相同的聚合物分子或不同的聚合物分子中。 R1表示氢原子或甲基。 Q表示碳原子数为1〜4的二价连接基团。 X表示单价内酯基。 由X表示的一价内酯基中的一部分或全部氢原子不被取代或取代。 R2表示氢原子或甲基。 Y表示单价内酯基。 由Y表示的一价内酯基中包含的一部分或全部氢原子不被取代或取代。