公开(公告)号：US20110305846A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12885018

申请日：2010-09-17

申请人： JUNG-CHEN CHIEN ,  HUNG-JEN YANG ,  CHIH-CHEN CHANG ,  SHIH-CHIN LIN ,  MUH-WANG LIANG

发明人： JUNG-CHEN CHIEN ,  HUNG-JEN YANG ,  CHIH-CHEN CHANG ,  SHIH-CHIN LIN ,  MUH-WANG LIANG

IPC分类号： C23C16/503 ,  C23C16/50 ,  C23C16/02 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/407 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32009 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67748

摘要： The present disclosure provides a surface processing apparatus, comprising a reaction chamber provided to form a deposition layer on a substrate, a carrying chamber connected to the reaction chamber and comprising a slot, and a plasma generator installed in the slot and providing plasma to process the substrate surface. Whereby the disclosure further provides a surface processing method, which flatten surface of a deposition layer on the substrate when the substrate is carried form the reaction chamber to the carrying chamber after the deposition process in the reaction chamber.

摘要翻译： 本公开提供了一种表面处理装置，其包括设置成在基板上形成沉积层的反应室，连接到反应室并包括槽的承载室和安装在槽中的等离子体发生器，并提供等离子体以处理 基材表面。 因此，本公开进一步提供了一种表面处理方法，当在反应室中沉积工艺之后，当衬底被承载形成反应室至承载室时，使衬底上的沉积层的表面变平。

公开(公告)号：US20100164381A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12470776

申请日：2009-05-22

申请人： CHIH-CHEN CHANG ,  TUNG-CHUAN WU ,  CHAN-HSING LO ,  CHING-HUEI WU ,  MUH-WANG LIANG ,  FU-CHING TUNG ,  SHIH-CHIN LIN ,  JEN-RONG HUANG

发明人： CHIH-CHEN CHANG ,  TUNG-CHUAN WU ,  CHAN-HSING LO ,  CHING-HUEI WU ,  MUH-WANG LIANG ,  FU-CHING TUNG ,  SHIH-CHIN LIN ,  JEN-RONG HUANG

IPC分类号： H05H1/46

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

摘要： A long linear-type microwave plasma source using a variably-reduced-height rectangular waveguide as the plasma reactor has been developed. Microwave power is fed from the both sides of the waveguide and is coupled into plasma through a long slot cut on the broad side of the waveguide. The reduced height of the waveguide is variable in order to control the coupling between microwave and plasma so that the plasma uniformity can remain a high quality when extending the length of the linear-type plasma source.

摘要翻译： 已经开发了使用可变降低高度的矩形波导作为等离子体反应器的长线性型微波等离子体源。 微波功率从波导的两侧馈送，并通过在波导的宽侧切割的长槽耦合到等离子体中。 波导的降低的高度是可变的，以便控制微波和等离子体之间的耦合，使得当延伸线性型等离子体源的长度时，等离子体均匀性可以保持高质量。