公开(公告)号：US20100141411A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12534672

申请日：2009-08-03

申请人： Seongdeok AHN ,  In-Kyu You ,  Jiyoung Oh ,  Chul Am Kim ,  Jae bon Koo ,  Sang Seok Lee ,  Kyung Soo Suh ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Seongdeok AHN ,  In-Kyu You ,  Jiyoung Oh ,  Chul Am Kim ,  Jae bon Koo ,  Sang Seok Lee ,  Kyung Soo Suh ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： G08B6/00 ,  G06F3/041

CPC分类号： G06F3/044 ,  G06F3/016 ,  G06F3/045

摘要： Provided are a touch screen and a method of operating the same. The touch screen includes a detecting part, a control part, and a tactile feedback part. The detecting part detects object's approach or contact. The control part receives a signal of the detecting part to output a feedback signal. The tactile feedback part receives the feedback signal of the control part to provide a tactile feedback to a contact position using a magnetic force. The tactile feedback uses the magnetic force of a magnetic dipole.

摘要翻译： 提供一种触摸屏及其操作方法。 触摸屏包括检测部分，控制部分和触觉反馈部分。 检测部件检测物体的接近或接触。 控制部分接收检测部分的信号以输出反馈信号。 触觉反馈部分接收控制部分的反馈信号，以使用磁力向接触位置提供触觉反馈。 触觉反馈使用磁偶极子的磁力。

公开(公告)号：US20100140706A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12507725

申请日：2009-07-22

申请人： Jae Bon KOO ,  In-Kyu You ,  Seongdeok Ahn ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Jae Bon KOO ,  In-Kyu You ,  Seongdeok Ahn ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618

摘要： Provided is a method of manufacturing a thin film transistor that can improve self-alignment. In this method, a semiconductor layer comprising a first doped region, a second doped region and a channel region is formed on a sacrificial layer on a first substrate. Next, the semiconductor layer is separated from the first substrate and is then coupled on a second substrate. Next, a dielectric layer is formed on the second substrate and the semiconductor layer, and a first photoresist layer is formed on the dielectric layer. Thereafter, the first photoresist layer is exposed to light from a rear surface of the second substrate by using the first doped region and the second doped region as a mask, to form a first mask pattern. Next, a gate electrode overlapping the channel region is formed on the dielectric layer by using the first mask pattern as a mask, and a source electrode and a drain electrode connected to the first doped region and the second doped region, respectively are formed to complete a thin film transistor.

摘要翻译： 提供了一种可以改善自对准的薄膜晶体管的制造方法。 在该方法中，在第一衬底上的牺牲层上形成包括第一掺杂区域，第二掺杂区域和沟道区域的半导体层。 接下来，半导体层与第一衬底分离，然后耦合在第二衬底上。 接下来，在第二基板和半导体层上形成电介质层，在电介质层上形成第一光致抗蚀剂层。 此后，通过使用第一掺杂区域和第二掺杂区域作为掩模，将第一光致抗蚀剂层从第二基板的后表面曝光，以形成第一掩模图案。 接下来，通过使用第一掩模图案作为掩模在介电层上形成与沟道区重叠的栅电极，分别形成连接到第一掺杂区和第二掺杂区的源电极和漏极，以完成 薄膜晶体管。

公开(公告)号：US08421610B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12534672

申请日：2009-08-03

申请人： Seongdeok Ahn ,  In-Kyu You ,  Jiyoung Oh ,  Chul Am Kim ,  Jae Bon Koo ,  Sang Seok Lee ,  Kyung Soo Suh ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Seongdeok Ahn ,  In-Kyu You ,  Jiyoung Oh ,  Chul Am Kim ,  Jae Bon Koo ,  Sang Seok Lee ,  Kyung Soo Suh ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： G08B6/00

CPC分类号： G06F3/044 ,  G06F3/016 ,  G06F3/045

摘要： Provided are a touch screen and a method of operating the same. The touch screen includes a detecting part, a control part, and a tactile feedback part. The detecting part detects object's approach or contact. The control part receives a signal of the detecting part to output a feedback signal. The tactile feedback part receives the feedback signal of the control part to provide a tactile feedback to a contact position using a magnetic force. The tactile feedback uses the magnetic force of a magnetic dipole.

摘要翻译： 提供一种触摸屏及其操作方法。 触摸屏包括检测部分，控制部分和触觉反馈部分。 检测部件检测物体的接近或接触。 控制部分接收检测部分的信号以输出反馈信号。 触觉反馈部分接收控制部分的反馈信号，以使用磁力向接触位置提供触觉反馈。 触觉反馈使用磁偶极子的磁力。

公开(公告)号：US08119463B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US12507725

申请日：2009-07-22

申请人： Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Seongdeok Ahn ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Seongdeok Ahn ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618

摘要： Provided is a method of manufacturing a thin film transistor that can improve self-alignment. In this method, a semiconductor layer comprising a first doped region, a second doped region and a channel region is formed on a sacrificial layer on a first substrate. Next, the semiconductor layer is separated from the first substrate and is then coupled on a second substrate. Next, a dielectric layer is formed on the second substrate and the semiconductor layer, and a first photoresist layer is formed on the dielectric layer. Thereafter, the first photoresist layer is exposed to light from a rear surface of the second substrate by using the first doped region and the second doped region as a mask, to form a first mask pattern. Next, a gate electrode overlapping the channel region is formed on the dielectric layer by using the first mask pattern as a mask, and a source electrode and a drain electrode connected to the first doped region and the second doped region, respectively are formed to complete a thin film transistor.

摘要翻译： 提供了一种可以改善自对准的薄膜晶体管的制造方法。 在该方法中，在第一衬底上的牺牲层上形成包括第一掺杂区域，第二掺杂区域和沟道区域的半导体层。 接下来，半导体层与第一衬底分离，然后耦合在第二衬底上。 接下来，在第二基板和半导体层上形成电介质层，在电介质层上形成第一光致抗蚀剂层。 此后，通过使用第一掺杂区域和第二掺杂区域作为掩模，将第一光致抗蚀剂层从第二基板的后表面曝光，以形成第一掩模图案。 接下来，通过使用第一掩模图案作为掩模在介电层上形成与沟道区重叠的栅电极，分别形成连接到第一掺杂区和第二掺杂区的源电极和漏极，以完成 薄膜晶体管。

公开(公告)号：US08378421B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US13350037

申请日：2012-01-13

申请人： Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Seongdeok Ahn ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Seongdeok Ahn ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618

摘要： A thin film transistor substrate. The thin film transistor substrate includes a substrate, an adhesive layer on the substrate, and a semiconductor layer having a first doped region, a second doped region and a channel region on the adhesive layer. The thin film transistor substrate further includes a first dielectric layer on the semiconductor layer, a gate electrode overlapping the channel region, a second dielectric layer on the first dielectric layer and the gate electrode, a source electrode disposed on the second insulating layer, and a drain electrode spaced apart from the source electrode on the source electrode. The channel region is disposed between the first doped region and the second doped region, and has a transmittance higher than those of the first doped region and the second doped region.

摘要翻译： 薄膜晶体管基板。 薄膜晶体管衬底包括衬底，衬底上的粘合剂层，以及在粘合剂层上具有第一掺杂区域，第二掺杂区域和沟道区域的半导体层。 薄膜晶体管基板还包括半导体层上的第一介电层，与沟道区重叠的栅极电极，第一介电层上的第二电介质层和栅极电极，设置在第二绝缘层上的源电极和 漏电极与源电极上的源电极间隔开。 沟道区域设置在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间，并且具有高于第一掺杂区域和第二掺杂区域的透射率的透射率。

公开(公告)号：US20110133257A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12782303

申请日：2010-05-18

申请人： Jae Bon KOO ,  Jong-Hyun Ahn ,  Seung Youl Kang ,  Hasan Musarrat ,  In-Kyu You ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Jae Bon KOO ,  Jong-Hyun Ahn ,  Seung Youl Kang ,  Hasan Musarrat ,  In-Kyu You ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603

摘要： Provided are a transferred thin film transistor and a method of manufacturing the same. The method includes: forming a source region and a drain region that extend in a first direction in a first substrate and a channel region between the source region and the drain region; forming trenches that extend in a second direction in the first substrate to define an active layer between the trenches, the second direction intersecting the first direction; separating the active layer between the trenches from the first substrate by performing an anisotropic etching process on the first substrate inside the trenches; attaching the active layer on a second substrate; and forming a gate electrode in the first direction on the channel region of the active layer.

摘要翻译： 提供了一种转移的薄膜晶体管及其制造方法。 该方法包括：形成在第一衬底中沿第一方向延伸的源极区域和漏极区域以及源极区域和漏极区域之间的沟道区域; 形成在所述第一衬底中沿第二方向延伸的沟槽，以在所述沟槽之间限定有源层，所述第二方向与所述第一方向相交; 通过在所述沟槽内的所述第一衬底上进行各向异性蚀刻工艺，从所述第一衬底分离所述沟槽之间的有源层; 将活性层附着在第二基底上; 以及在有源层的沟道区上沿第一方向形成栅电极。

公开(公告)号：US08404532B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12782303

申请日：2010-05-18

申请人： Jae Bon Koo ,  Jong-Hyun Ahn ,  Seung Youl Kang ,  Hasan Musarrat ,  In-Kyu You ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Jae Bon Koo ,  Jong-Hyun Ahn ,  Seung Youl Kang ,  Hasan Musarrat ,  In-Kyu You ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603

摘要： Provided are a transferred thin film transistor and a method of manufacturing the same. The method includes: forming a source region and a drain region that extend in a first direction in a first substrate and a channel region between the source region and the drain region; forming trenches that extend in a second direction in the first substrate to define an active layer between the trenches, the second direction intersecting the first direction; separating the active layer between the trenches from the first substrate by performing an anisotropic etching process on the first substrate inside the trenches; attaching the active layer on a second substrate; and forming a gate electrode in the first direction on the channel region of the active layer.

摘要翻译： 提供了一种转移的薄膜晶体管及其制造方法。 该方法包括：形成在第一衬底中沿第一方向延伸的源极区域和漏极区域以及源极区域和漏极区域之间的沟道区域; 形成在所述第一衬底中沿第二方向延伸的沟槽，以在所述沟槽之间限定有源层，所述第二方向与所述第一方向相交; 通过在所述沟槽内的所述第一衬底上进行各向异性蚀刻工艺，从所述第一衬底分离所述沟槽之间的有源层; 将活性层附着在第二基底上; 以及在有源层的沟道区上沿第一方向形成栅电极。

公开(公告)号：US20120141665A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13309807

申请日：2011-12-02

申请人： Tae-Youb KIM ,  Kang-Jun Baeg ,  In-Kyu You ,  Minseok Kim ,  Jae Bon Koo

发明人： Tae-Youb KIM ,  Kang-Jun Baeg ,  In-Kyu You ,  Minseok Kim ,  Jae Bon Koo

IPC分类号： H05K3/02 ,  B05C5/00

CPC分类号： B41F17/26 ,  B05C1/0808

摘要： Provided are methods of and apparatuses for forming a metal pattern. In the method, an initiator and a metal pattern are sequentially combined on a previously-formed bonding agent pattern improving adhesion and/or junction properties between the substrate and the metal. The bonding agent pattern may be formed using a reverse offset printing method. The metal pattern may be formed using an electroless electrochemical plating method. The metal pattern can be formed with improved uniformity in thickness and planar area.

摘要翻译： 提供了用于形成金属图案的方法和装置。 在该方法中，引发剂和金属图案依次组合在预先形成的粘合剂图案上，从而提高基材和金属之间的粘合性和/或结合性。 粘合剂图案可以使用反胶版印刷法形成。 金属图案可以使用无电镀电镀法形成。 可以形成具有改善的厚度均匀性和平坦面积的金属图案。

公开(公告)号：US20120125213A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13193668

申请日：2011-07-29

申请人： Jae Bon KOO ,  Minseok Kim ,  Taeyoub Kim ,  In-Kyu You

发明人： Jae Bon KOO ,  Minseok Kim ,  Taeyoub Kim ,  In-Kyu You

IPC分类号： B41N1/04 ,  B41C3/00

CPC分类号： B41N1/06 ,  G03F7/40

摘要： Provided is a cliche and a method of manufacturing the cliche which can increase or maximize productivity and production yield. The manufacturing method of the cliche includes providing a substrate, forming organic patterns protruding on the substrate, and forming an ink absorption layer on the organic patterns or on the substrate exposed from the organic patterns.

摘要翻译： 提供了可以增加或最大化生产率和生产率的陈词滥调和制造方法。 制造方法包括提供衬底，形成在衬底上突出的有机图案，以及在有机图案上或在有机图案上露出的衬底上形成墨吸收层。

公开(公告)号：US07960724B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US12542226

申请日：2009-08-17

申请人： Yong-Young Noh ,  Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Kang-Jun Baeg ,  Dong-Yu Kim

发明人： Yong-Young Noh ,  Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Kang-Jun Baeg ,  Dong-Yu Kim

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0558 ,  C08F8/30 ,  C08F2810/20 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  C08F220/30 ,  C08F220/14

摘要： Provided are a composition for organic thin film transistors including a material including an anthracenyl group and a cross-linker including a maleimide group, an organic thin film transistor formed by using the composition, and a method for manufacturing the same.

摘要翻译： 提供了一种有机薄膜晶体管的组合物及其制造方法，该组合物包括含有蒽基的材料和包含马来酰亚胺基团的交联剂，使用该组合物形成的有机薄膜晶体管。