公开(公告)号：US07494935B2

公开(公告)日：2009-02-24

申请号：US11679176

申请日：2007-02-26

申请人： Jae Chang Jung ,  Seung Chan Moon ,  Cheol Kyu Bok ,  Myoung Ja Min ,  Keun Do Ban ,  Hee Youl Lim

发明人： Jae Chang Jung ,  Seung Chan Moon ,  Cheol Kyu Bok ,  Myoung Ja Min ,  Keun Do Ban ,  Hee Youl Lim

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035

摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device includes forming a first photoresist film pattern over a semiconductor substrate including an underlying layer, exposing the first photoresist film pattern to generate an acid from the first photoresist film pattern, bleaching the first photoresist film pattern, and forming a second photoresist film pattern between the first photoresist patterns.

摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在包括下层的半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜图案，暴露第一光致抗蚀剂膜图案以从第一光致抗蚀剂膜图案产生酸，漂白第一光致抗蚀剂膜图案 并且在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US07381519B2

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：US11158965

申请日：2005-06-22

申请人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

发明人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

IPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/30 ,  G03F7/11 ,  G03F7/095

CPC分类号： G03F7/091 ,  C08F220/06 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046

摘要： Disclosed herein is a top anti-reflective coating polymer and its composition comprising the same represented by Formula 1 below: wherein R1 and R2 are independently, hydrogen, methyl or fluoromethyl; R3 and R4 are independently, a C1-10hydrocarbon or a C1-10 hydrocarbon in which the hydrogen atoms are wholly or partly replaced by fluorine atoms; and a, b, c, d and e represent the mole fraction of each monomer and are in the range between about 0.05 and about 0.9, such that the sum of a, b, c, d, and e equals one.

摘要翻译： 本文公开了顶部抗反射涂层聚合物及其组合物，其包含与下式1表示的相同的基团：其中R 1和R 2独立地为氢，甲基或氟甲基 ; R 3和R 4独立地为C 1-10烷基或C 1-10烷基，其中C 1〜 氢原子被氟原子全部或部分取代; 并且a，b，c，d和e表示各单体的摩尔分数，并且在约0.05和约0.9之间的范围内，使得a，b，c，d和e之和等于1。

公开(公告)号：US20080063985A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11679176

申请日：2007-02-26

申请人： Jae Chang JUNG ,  Seung Chan Moon ,  Cheol Kyu Bok ,  Myoung Ja Min ,  Keun Do Ban ,  Hee Youl Lim

发明人： Jae Chang JUNG ,  Seung Chan Moon ,  Cheol Kyu Bok ,  Myoung Ja Min ,  Keun Do Ban ,  Hee Youl Lim

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035

摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device includes forming a first photoresist film pattern over a semiconductor substrate including an underlying layer, exposing the first photoresist film pattern to generate an acid from the first photoresist film pattern, bleaching the first photoresist film pattern, and forming a second photoresist film pattern between the first photoresist patterns.

摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在包括下层的半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜图案，暴露第一光致抗蚀剂膜图案以从第一光致抗蚀剂膜图案产生酸，漂白第一光致抗蚀剂膜图案 并且在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US06376632B1

公开(公告)日：2002-04-23

申请号：US09850177

申请日：2001-05-07

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Ki Ho Baik

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： C08F13204

CPC分类号： C07C59/46 ,  C07C57/26 ,  C07C59/80 ,  C07C69/608 ,  C07C69/732 ,  C07C69/738 ,  C08G61/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106

摘要： The present invention relates to a carboxyl-containing alicyclic compound represented by Chemical Formula 1: [formula 1] wherein, R1 and R2, which may be identical to or different from each other, represent hydrogen or a tert-butyl group; X represents hydrogen, hydroxy or oxygen; and n represents a number from 1 to 3. Compounds of the present invention are useful as monomers in a photoresist resin, and in a process for preparing the same.

摘要翻译： 本发明涉及由化学式1表示的含羧基脂环族化合物：[式1]其中R1和R2可以相同或不同，表示氢或叔丁基; X表示氢，羟基或氧; n表示1〜3的数。本发明的化合物可用作光致抗蚀剂树脂中的单体，也可用作其制备方法。

公开(公告)号：US06312865B1

公开(公告)日：2001-11-06

申请号：US09223510

申请日：1998-12-30

申请人： Min Ho Jung ,  Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Ki Ho Baik

发明人： Min Ho Jung ,  Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F739

CPC分类号： C08F232/08 ,  C07C67/347 ,  C07C69/753 ,  C08F222/06

摘要： The present invention relates to a semiconductor device using a copolymer-containing photoresist, and a process for manufacturing the same. As a norbornene derivative (monomer) having a hydrophilic group is synthesized and introduced to the backbone chain of a polymer, the polymer according to the present invention has excellent etching resistance and heat resistance, which are the characteristic points of alicyclic olefin structure, and provide excellent resolution due to prominent enhancement of adhesiveness resulted from introducing a hydrophilic group (—OH).

摘要翻译： 本发明涉及使用含共聚物的光致抗蚀剂的半导体器件及其制造方法。 作为具有亲水基团的降冰片烯衍生物（单体）合成并引入到聚合物的主链中，本发明的聚合物具有优异的耐蚀性和耐热性，这是脂环式烯烃结构的特征点，并提供 由于引入亲水基团（-OH）导致的粘附性显着增强，因而具有优异的分辨率。

公开(公告)号：US6165672A

公开(公告)日：2000-12-26

申请号：US152976

申请日：1998-09-14

申请人： Jae Chang Jung ,  Keun Kyu Kong ,  Cheol Kyu Bok ,  Ki Ho Baik

发明人： Jae Chang Jung ,  Keun Kyu Kong ,  Cheol Kyu Bok ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： C07D207/36 ,  C07C51/347 ,  C07C61/29 ,  C07C69/753 ,  C07D207/44 ,  C07D207/448 ,  C07D207/452 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  C08F232/04 ,  C08F232/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03C1/73 ,  C08L35/00 ,  C08L45/00 ,  H01L29/12

CPC分类号： C07D207/452 ,  C08F222/40 ,  C08F232/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： The present invention relates to a novel maleimide- or alicyclic olefin-based monomer, a copolymer resin of these monomers and a photoresist using the copolymer resin. The maleimide-introduced copolymer resin according to the present invention can easily be copolymerized with alicyclic olefin unit, has a physical property capable of enduring in 2.38% TMAH developer and increases adhesion of ArF or KrF photoresist. The photoresist film using a copolymer resin according to the present invention can be applied to highly integrate semiconductor devices.

摘要翻译： 本发明涉及新型的马来酰亚胺或脂环族烯烃基单体，这些单体的共聚物树脂和使用该共聚物树脂的光致抗蚀剂。 根据本发明的马来酰亚胺引入共聚物树脂可以容易地与脂环烯烃单元共聚，具有能够在2.38％TMAH显影剂中耐受的物理性能，并增加ArF或KrF光致抗蚀剂的粘附性。 使用根据本发明的共聚物树脂的光致抗蚀剂膜可以应用于高度集成的半导体器件。

公开(公告)号：US07838201B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US12420698

申请日：2009-04-08

申请人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

发明人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

IPC分类号： G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： A polymer for immersion lithography comprising a repeating unit represented by Formula 1 and a photoresist composition containing the same. A photoresist film formed by the photoresist composition of the invention is highly resistant to dissolution, a photoacid generator in an aqueous solution for immersion lithography, thereby preventing contamination of an exposure lens and deformation of the photoresist pattern by exposure.

摘要翻译： 一种用于浸没式光刻的聚合物，其包含由式1表示的重复单元和含有该重复单元的光致抗蚀剂组合物。 由本发明的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂膜具有很高的耐溶解性，用于浸没式光刻的水溶液中的光致酸产生剂，从而防止曝光透镜的污染和曝光引起的光致抗蚀剂图案的变形。

公开(公告)号：US07462439B2

公开(公告)日：2008-12-09

申请号：US11159735

申请日：2005-06-23

申请人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

发明人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

IPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  G03F7/039 ,  C08F22/18

CPC分类号： G03F7/091 ,  C09D5/32 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0392 ,  Y10S438/952

摘要： Disclosed herein is a top anti-reflective coating polymer represented by Formula 1, below: wherein R1 and R2 are independently hydrogen, fluoro, methyl or fluoromethyl; R3 is a C1-10 hydrocarbon or a C1-10 hydrocarbon in which the hydrogen atoms are partly replaced by fluorine atoms; and a, b and c, representing the mole fraction of each monomer, are in the range between 0.05 and 0.9. Because a top anti-reflective coating formed using the anti-reflective coating polymer of Formula 1 is not soluble in water, it can be applied to immersion lithography using water as a medium for a light source. In addition, because the top anti-reflective coating can reduce the reflectance from an underlying layer, the uniformity of CD is improved, thus enabling the formation of an ultra fine pattern.

摘要翻译： 本文公开了由下式1表示的顶部抗反射涂层聚合物：其中R1和R2独立地为氢，氟，甲基或氟甲基; R3是其中氢原子被氟原子部分取代的C1-10烃或C1-10烃; 和表示每个单体的摩尔分数的a，b和c在0.05和0.9之间的范围内。 由于使用式1的抗反射涂层聚合物形成的顶部抗反射涂层不溶于水，因此可以使用水作为光源的介质进行浸渍光刻。 此外，由于顶部抗反射涂层可以降低来自下层的反射率，因此提高了CD的均匀性，从而能够形成超细图案。

公开(公告)号：US07303858B2

公开(公告)日：2007-12-04

申请号：US11168102

申请日：2005-06-28

申请人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

发明人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

IPC分类号： G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38 ,  G03F7/30 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C08F220/06 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/105 ,  Y10S430/151 ,  Y10S430/162 ,  Y10S522/904

摘要： Disclosed herein is a photoacid generating polymer represented by Formula 1 below: wherein R1 is a C1-10 hydrocarbon or a C1-10 hydrocarbon in which the hydrogen atoms are wholly or partly replaced by fluorine atoms; R2 is hydrogen or a methyl group; and a, b, c and d represent the mole fraction of each monomer and are in the range between about 0.05 and about 0.9, such that the sum of a, b, c, and d equals one. Since the photoacid generating polymer of Formula 1 is not water-soluble and acts as a photoacid generator, it can be used to prepare a top anti-reflective coating composition for immersion lithography.

摘要翻译： 本文公开了由下式1表示的光酸产生聚合物：

公开(公告)号：US06632903B2

公开(公告)日：2003-10-14

申请号：US09934369

申请日：2001-08-21

申请人： Min Ho Jung ,  Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Ki Ho Baik

发明人： Min Ho Jung ,  Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： C08F23200

CPC分类号： C08F232/08 ,  C07C67/347 ,  C07C69/753 ,  C08F222/06

摘要： The present invention relates to a semiconductor device using a copolymer-containing photoresist, and a process for manufacturing the same. As a norbornene derivative (monomer) having a hydrophilic group is synthesized and introduced to the backbone chain of a polymer, the polymer according to the present invention has excellent etching resistance and heat resistance, which are the characteristic points of alicyclic olefin structure, and provide excellent resolution due to prominent enhancement of adhesiveness resulted from introducing a hydrophilic group (—OH).

摘要翻译： 本发明涉及使用含共聚物的光致抗蚀剂的半导体器件及其制造方法。 作为具有亲水基团的降冰片烯衍生物（单体）合成并引入到聚合物的主链中，本发明的聚合物具有优异的耐蚀性和耐热性，这是脂环式烯烃结构的特征点，并提供 由于引入亲水基团（-OH）导致的粘合性的显着增强，优异的分辨率