公开(公告)号：US20100210116A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12704299

申请日：2010-02-11

申请人： Jae-Young AHN ,  Ki-Hyun Hwang ,  Young-Geun Park ,  Jun-Kyu Yang ,  Byong-Sun Ju ,  Dong-Woon Shin

发明人： Jae-Young AHN ,  Ki-Hyun Hwang ,  Young-Geun Park ,  Jun-Kyu Yang ,  Byong-Sun Ju ,  Dong-Woon Shin

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/76837 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

摘要： A method of forming a vapor thin film is provided, which includes loading a substrate into a chamber, adsorbing a source gas on the substrate by supplying the source gas into the chamber, and forming the thin film on the substrate by supplying a reaction gas into the chamber, wherein the forming of the thin film on the substrate is proceeded under an electric field formed in one direction on the substrate by applying a bias to the substrate.

摘要翻译： 提供一种形成蒸气薄膜的方法，其包括将基板装载到室中，通过将源气体供应到室中来将源气体吸附在基板上，并通过将反应气体供应到基板上而形成薄膜 其中，通过向衬底施加偏压，在衬底上的薄膜的形成在基板上沿一个方向形成的电场上进行。

公开(公告)号：US20100240207A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12726014

申请日：2010-03-17

申请人： Young-Geun Park ,  Jae-Young Ahn ,  Jun-Kyu Yang ,  Dong-Woon Shin

发明人： Young-Geun Park ,  Jae-Young Ahn ,  Jun-Kyu Yang ,  Dong-Woon Shin

IPC分类号： H01L21/8246

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/11521

摘要： Manufacturing of a charge trap type memory device can include forming a tunnel insulating layer on a substrate. A charge-trapping layer can be formed on the tunnel insulating layer. A blocking layer can be formed on the charge-trapping layer. Gate electrodes can be formed on the blocking layer and divided by a trench. A portion of the charge-trapping layer aligned with the trench may be converted into a charge-blocking pattern with a vertical side profile by an anisotropic oxidation process.

摘要翻译： 电荷阱型存储器件的制造可以包括在衬底上形成隧道绝缘层。 电荷捕获层可以形成在隧道绝缘层上。 可以在电荷捕获层上形成阻挡层。 栅电极可以形成在阻挡层上并被沟槽分隔。 与沟槽对准的电荷俘获层的一部分可以通过各向异性氧化工艺转变成具有垂直侧面轮廓的电荷阻挡图案。

公开(公告)号：US08097531B2

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：US12726014

申请日：2010-03-17

申请人： Young-Geun Park ,  Jae-Young Ahn ,  Jun-Kyu Yang ,  Dong-Woon Shin

发明人： Young-Geun Park ,  Jae-Young Ahn ,  Jun-Kyu Yang ,  Dong-Woon Shin

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/11521

摘要： Manufacturing of a charge trap type memory device can include forming a tunnel insulating layer on a substrate. A charge-trapping layer can be formed on the tunnel insulating layer. A blocking layer can be formed on the charge-trapping layer. Gate electrodes can be formed on the blocking layer and divided by a trench. A portion of the charge-trapping layer aligned with the trench may be converted into a charge-blocking pattern with a vertical side profile by an anisotropic oxidation process.

摘要翻译： 电荷阱型存储器件的制造可以包括在衬底上形成隧道绝缘层。 电荷捕获层可以形成在隧道绝缘层上。 可以在电荷捕获层上形成阻挡层。 栅电极可以形成在阻挡层上并被沟槽分隔。 与沟槽对准的电荷俘获层的一部分可以通过各向异性氧化工艺转变成具有垂直侧面轮廓的电荷阻挡图案。

公开(公告)号：US20090311846A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12466178

申请日：2009-05-14

申请人： Dong-Woon Shin ,  Soo-jin Hong ,  Guk-hyon Yon ,  Si-young Choi ,  Sun-ghil Lee

发明人： Dong-Woon Shin ,  Soo-jin Hong ,  Guk-hyon Yon ,  Si-young Choi ,  Sun-ghil Lee

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11546

摘要： A mask pattern is formed on a semiconductor substrate in which a cell region, a PMOS region, and an NMOS region are defined. Trenches are formed in the cell region, the PMOS region, and the NMOS region. A sidewall oxide layer and a protection layer are formed in the trenches, and a portion of the protection layer in the PMOS region is removed. A first device isolation insulating layer is formed on the substrate, filling the trenches. Portions of the first device isolation insulating layer are removed to expose the mask pattern and the trenches of the cell region and the NMOS region and to leave a portion of the first device isolation insulating layer in the trench in the PMOS region. A liner is formed on the portion of the first device isolation region in the trench in the PMOS region and conforming to sidewalls of the trenches in the cell region and the NMOS region. A second device isolation insulating layer is formed on the substrate, filling the trenches in the cell region and the NMOS region. Portions of the second device isolation insulating layer are removed to expose the mask pattern and to leave portions of the second device isolation insulating layer in the trenches of the cell region and the NMOS region.

摘要翻译： 在其中限定了单元区域，PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底上形成掩模图案。 在单元区域，PMOS区域和NMOS区域中形成沟槽。 在沟槽中形成侧壁氧化物层和保护层，并且去除PMOS区域中的保护层的一部分。 在衬底上形成第一器件隔离绝缘层，填充沟槽。 去除第一器件隔离绝缘层的部分以露出掩模图案和单元区域和NMOS区域的沟槽，并且在PMOS区域的沟槽中留下第一器件隔离绝缘层的一部分。 衬垫形成在PMOS区域的沟槽中的第一器件隔离区域的部分上，并且与衬底区域和NMOS区域中的沟槽的侧壁一致。 在衬底上形成第二器件隔离绝缘层，填充单元区域和NMOS区域中的沟槽。 去除第二器件隔离绝缘层的部分以暴露掩模图案并且将第二器件隔离绝缘层的部分留在单元区域和NMOS区域的沟槽中。

公开(公告)号：US20100055856A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12461896

申请日：2009-08-27

申请人： Soo-Jin Hong ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Dong-Woon Shin ,  Si-Young Choi ,  Sun-Ghil Lee

发明人： Soo-Jin Hong ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Dong-Woon Shin ,  Si-Young Choi ,  Sun-Ghil Lee

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02236 ,  H01L21/022 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897

摘要： A method of forming an oxide layer on a trench, a method of forming a semiconductor device, and a semiconductor device, the method of forming an oxide layer on a trench including forming a first trench in a first portion of a substrate and a second trench in a second portion of the substrate, the first portion being different from the second portion, performing a plasma doping process on at least one of the first portion and the second portion to implant an impurity therein, and performing an oxidation process to form an oxide layer on the substrate, a thickness of the oxide layer being determined by the impurity implanted in the substrate.

摘要翻译： 在沟槽上形成氧化物层的方法，形成半导体器件的方法和半导体器件，在沟槽上形成氧化物层的方法，包括在衬底的第一部分中形成第一沟槽和第二沟槽 在所述衬底的第二部分中，所述第一部分与所述第二部分不同，在所述第一部分和所述第二部分中的至少一个上执行等离子体掺杂工艺以在其中注入杂质，并进行氧化处理以形成氧化物 层，该氧化物层的厚度由注入衬底中的杂质决定。