公开(公告)号：US06338921B1

公开(公告)日：2002-01-15

申请号：US09479150

申请日：2000-01-07

申请人： James A. Bruce ,  David V. Horak ,  Randy W. Mann ,  Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

发明人： James A. Bruce ,  David V. Horak ,  Randy W. Mann ,  Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

IPC分类号： G03F102

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F1/36

摘要： A mask (50′) with linewidth compensation and a method of making same. The mask provides for optimized imaging of isolated patterns (64) and nested patterns (70) present on the same mask. The compensated mask is formed from an uncompensated mask (50) and comprises an upper surface (56) upon which the isolated and nested patterns are formed. The isolated pattern comprises a first segment (76) having first sidewalls (76S). The nested pattern comprises second segments (72) proximate each other and having second sidewalls (72S). A partial conformal layer (86) covers the first segment and has feet (90) outwardly extending a distance d from the first sidewalls along the upper surface. The feet are preferably of a thickness that partially transmits exposure light.

摘要翻译： 具有线宽补偿的掩模（50'）及其制造方法。 掩模提供对同一掩模上存在的孤立图案（64）和嵌套图案（70）的优化成像。 补偿掩模由未补偿的掩模（50）形成，并且包括形成隔离和嵌套图案的上表面（56）。 隔离图案包括具有第一侧壁（76S）的第一段（76）。 嵌套图案包括彼此靠近并具有第二侧壁（72S）的第二段（72）。 部分保形层（86）覆盖第一段并且具有沿着上表面向外延伸距离第一侧壁的距离d的脚（90）。 脚部优选地具有部分地透射曝光光的厚度。

公开(公告)号：US06387596B2

公开(公告)日：2002-05-14

申请号：US09385929

申请日：1999-08-30

申请人： Daniel C. Cole ,  Edward W. Conrad ,  David V. Horak ,  Randy W. Mann ,  Paul W. Pastel ,  Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

发明人： Daniel C. Cole ,  Edward W. Conrad ,  David V. Horak ,  Randy W. Mann ,  Paul W. Pastel ,  Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

IPC分类号： G03F720

CPC分类号： G03F7/70125 ,  G03F7/203 ,  G03F7/70466

摘要： The present invention provides a method of forming nested and isolated images in a photosensitive resist. In the disclosed method, the entire surface of the photosensitive resist or selected regions thereof is exposed to a first mask having a set of nested, i.e. repeating pattern or grid images thereon, and then exposed to a second mask in order to remove unwanted portions of the nested image, so as to provide regions of nested and regions of isolated images in said photosensitive resist. The method may also be used to form regions having images in proximity to one another and regions having isolated images by exposing the entire surface of the photosensitive resist to a first mask having repeating patterns, and then removing entire or portions of the repeating patterns by exposure of the photosensitive resist with a second mask.

摘要翻译： 本发明提供了一种在光敏抗蚀剂中形成嵌套和分离的图像的方法。 在所公开的方法中，光敏抗蚀剂或其选择的区域的整个表面暴露于具有一套嵌套的即第一掩模，即在其上重复图案或网格图像的第一掩模，然后暴露于第二掩模以便去除不需要的部分 嵌套图像，以便在所述光敏抗蚀剂中提供嵌套区域和孤立图像区域。 该方法还可以用于通过将光敏抗蚀剂的整个表面暴露于具有重复图案的第一掩模，然后通过曝光去除整个或部分重复图案，从而形成具有彼此接近的图像的区域和具有隔离图像的区域 的光敏抗蚀剂。

公开(公告)号：US07211356B2

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：US11275178

申请日：2005-12-16

申请人： Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

发明人： Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70 ,  G03F1/72

摘要： A method is provided for patterning a substrate. In such method a first mask, for example, a front-end-of-line (“FEOL”) mask is fabricated, the first mask including a plurality of first features such as FEOL features which are usable to pattern regular elements and redundancy elements of a substrate such as a microelectronic substrate and/or a micro-electromechanical substrate. The first mask is tested, i.e., inspected for defects in the features. Thereafter, a second sequentially used mask, for example, a back-end-of-line (“BEOL”) mask is fabricated which includes a plurality of second features, e.g., BEOL features, such features being usable to pattern a plurality of interconnections between individual ones of the regular elements and between the regular elements and the redundancy elements. The regular elements and the redundancy elements are patterned using the first mask and the interconnections between them are patterned using the second mask. As a result, the interconnections are patterned in a way that corrects for the detected defects in the first mask.

摘要翻译： 提供了用于图案化衬底的方法。 在这种方法中，制造了第一掩模，例如前端（“FEOL”）掩模，第一掩模包括多个第一特征，例如可用于对规则元件和冗余元件进行图案的FEOL特征 诸如微电子衬底和/或微机电衬底的衬底。 测试第一个掩模，即检查特征中的缺陷。 此后，制造第二顺序使用的掩模，例如，后端行（“BEOL”）掩模，其包括多个第二特征，例如BEOL特征，这样的特征可用于对多个互连 在常规元素之间以及常规元素和冗余元素之间。 使用第一掩模对常规元件和冗余元件进行图案化，并且使用第二掩模对它们之间的互连进行图案化。 结果，互连以对第一掩模中检测到的缺陷进行校正的方式构图。

公开(公告)号：US07745069B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US11619323

申请日：2007-01-03

申请人： Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

发明人： Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/84

摘要： A photomask, method of designing, of fabricating, of designing, a method of inspecting and a system for designing the photomask. The photomask, includes: a cell region, the cell region comprising one or more chip regions, each chip region comprising a pattern of opaque and clear sub-regions corresponding to features of an integrated circuit chip and one or more kerf regions, each kerf region comprising a pattern of opaque and clear sub-regions corresponding to features of an integrated circuit kerf; a clear region formed adjacent to a side of a copy region, the copy region comprising opaque and clear sub-regions that are copies of at least a part of the cell region; and an opaque region between the clear region and the cell region.

摘要翻译： 光掩模，设计方法，制造，设计，检验方法和设计光掩模系统。 光掩模包括：单元区域，单元区域包括一个或多个芯片区域，每个芯片区域包括对应于集成电路芯片和一个或多个切割区域的特征的不透明和清晰的子区域的图案，每个切口区域 包括对应于集成电路切口的特征的不透明和清晰的子区域的图案; 形成在复制区域的一侧附近的清晰区域，所述复制区域包括作为所述单元格区域的至少一部分的副本的不透明和清晰的子区域; 以及在透明区域和单元区域之间的不透明区域。

公开(公告)号：US07200257B2

公开(公告)日：2007-04-03

申请号：US10908284

申请日：2005-05-05

申请人： Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

发明人： Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G03F1/84

摘要： A photomask, method of designing, of fabricating, of designing, a method of inspecting and a system for designing the photomask. The photomask, includes: a cell region, the cell region comprising one or more chip regions, each chip region comprising a pattern of opaque and clear sub-regions corresponding to features of an integrated circuit chip and one or more kerf regions, each kerf region comprising a pattern of opaque and clear sub-regions corresponding to features of an integrated circuit kerf; a clear region formed adjacent to a side of a copy region, the copy region comprising opaque and clear sub-regions that are copies of at least a part of the cell region; and an opaque region between the clear region and the cell region.

摘要翻译： 光掩模，设计方法，制造，设计，检验方法和设计光掩模系统。 光掩模包括：单元区域，单元区域包括一个或多个芯片区域，每个芯片区域包括对应于集成电路芯片和一个或多个切割区域的特征的不透明和清晰的子区域的图案，每个切口区域 包括对应于集成电路切口的特征的不透明和清晰的子区域的图案; 形成在复制区域的一侧附近的清晰区域，所述复制区域包括作为所述单元格区域的至少一部分的副本的不透明和清晰的子区域; 以及在透明区域和单元区域之间的不透明区域。

公开(公告)号：US07294440B2

公开(公告)日：2007-11-13

申请号：US10710602

申请日：2004-07-23

申请人： Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

发明人： Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

IPC分类号： G03C5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC分类号： G03F7/203 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/7045 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70625

摘要： A method to correct critical dimension errors during a semiconductor manufacturing process. The method includes providing a first semiconductor device. The first semiconductor device is analyzed to determine at least one critical dimension error within the first semiconductor device. A dose of electron beam exposure to correct the at least one critical dimension error during a subsequent process to form a second semiconductor device, or during modification of the first semiconductor device is determined. The subsequent process comprises providing a semiconductor structure. The semiconductor structure comprises a photoresist layer on a semiconductor substrate. A plurality of features are formed in the photoresist layer. At least one feature of the plurality of features comprises the at least one critical dimension error. The at least one feature comprising the critical dimension error is corrected by exposing the at least one feature to an electron beam comprising the dose of electron beam exposure, resulting in reduction of the size, or shrinkage, of the at least one feature comprising a critical dimension error.

摘要翻译： 一种在半导体制造过程中校正关键尺寸误差的方法。 该方法包括提供第一半导体器件。 分析第一半导体器件以确定第一半导体器件内的至少一个临界尺寸误差。 确定在后续处理中形成第二半导体器件或在修改第一半导体器件期间校正至少一个临界尺寸误差的电子束曝光剂量。 随后的工艺包括提供半导体结构。 半导体结构包括半导体衬底上的光致抗蚀剂层。 在光致抗蚀剂层中形成多个特征。 多个特征中的至少一个特征包括至少一个临界尺寸误差。 包括临界尺寸误差的至少一个特征通过将至少一个特征暴露于包括电子束暴露的剂量的电子束来校正，导致包括关键的至少一个特征的至少一个特征的尺寸或收缩的减小 尺寸误差。

公开(公告)号：US06557163B1

公开(公告)日：2003-04-29

申请号：US09997904

申请日：2001-11-30

申请人： Jed H. Rankin ,  Craig E. Schneider ,  John S. Smyth ,  Andrew J. Watts

发明人： Jed H. Rankin ,  Craig E. Schneider ,  John S. Smyth ,  Andrew J. Watts

IPC分类号： G06F1750

CPC分类号： G03F7/70508 ,  G03F7/70558

摘要： A method of implementing a new reticle for manufacturing semiconductors on a wafer which involves performing measurements on the reticle and assigning an initial exposure dose by using a predetermined algorithm. The exposure control system utilizes reticle CD data for automatically calculating reticle exposure offset values, i.e. reticle factors. A correlation of reticle size deviations to calculated reticle factors is used to derive a reticle factor for the new reticle. The derived reticle factor is then used to predict an initial exposure condition for the new reticle which is applied to the lithography tool for achieving a wafer design dimension.

摘要翻译： 一种实现用于在晶片上制造半导体的新掩模版的方法，其包括在掩模版上进行测量并通过使用预定算法分配初始曝光剂量。 曝光控制系统利用掩模版CD数据自动计算掩模版曝光偏移值，即标线因子。 标线尺尺寸偏差与计算的掩模版因子的相关性用于导出新掩模版的掩模版因子。 然后使用衍生的掩模版因子来预测应用于光刻工具以实现晶片设计尺寸的新掩模版的初始曝光条件。

公开(公告)号：US08423918B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12719059

申请日：2010-03-08

申请人： Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

发明人： Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/84

摘要： A method and system for designing a photomask. The method provides a single machine methodology for inspecting photomasks having regions that repeat and regions that do not repeat. The method includes generating a chip dataset representing an integrated circuit chip design to be included in a cell region of a photomask, generating a kerf dataset to be included in the cell region, generating a kerf copy dataset, and merging the chip dataset, the kerf dataset and the kerf copy dataset into a photomask dataset representing a pattern of clear and opaque regions of the photomask.

摘要翻译： 一种用于设计光掩模的方法和系统。 该方法提供了用于检查具有重复区域和不重复区域的光掩模的单机方法。 该方法包括生成表示要包括在光掩模的单元区域中的集成电路芯片设计的芯片数据集，生成要包括在单元区域中的切割数据集，生成切缝复制数据集，并合并芯片数据集，切割 数据集和kerf复制数据集转换为光掩模数据集，表示光掩模的透明和不透明区域的图案。

公开(公告)号：US20100162196A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12719059

申请日：2010-03-08

申请人： Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

发明人： Jed H. Rankin ,  Andrew J. Watts

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/84

摘要： A photomask, method of designing, of fabricating, of designing, a method of inspecting and a system for designing the photomask. The photomask, includes: a cell region, the cell region comprising one or more chip regions, each chip region comprising a pattern of opaque and clear sub-regions corresponding to features of an integrated circuit chip and one or more kerf regions, each kerf region comprising a pattern of opaque and clear sub-regions corresponding to features of an integrated circuit kerf; a clear region formed adjacent to a side of a copy region, the copy region comprising opaque and clear sub-regions that are copies of at least a part of the cell region; and an opaque region between the clear region and the cell region.

摘要翻译： 光掩模，设计方法，制造，设计，检验方法和设计光掩模系统。 光掩模包括：单元区域，单元区域包括一个或多个芯片区域，每个芯片区域包括对应于集成电路芯片和一个或多个切割区域的特征的不透明和清晰的子区域的图案，每个切口区域 包括对应于集成电路切口的特征的不透明和清晰的子区域的图案; 形成在复制区域的一侧附近的清晰区域，所述复制区域包括作为所述单元格区域的至少一部分的副本的不透明和清晰的子区域; 以及在透明区域和单元区域之间的不透明区域。

公开(公告)号：US08612298B1

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US12890363

申请日：2010-09-24

申请人： Kamlesh T. Talreja ,  Andrew J. Watts ,  Siddharth Sriram ,  Cameron S. Janes ,  James E. Stevenson ,  Jim L. Dantzler

发明人： Kamlesh T. Talreja ,  Andrew J. Watts ,  Siddharth Sriram ,  Cameron S. Janes ,  James E. Stevenson ,  Jim L. Dantzler

IPC分类号： G06Q30/00

CPC分类号： G06Q30/0635 ,  G06Q30/00 ,  G06Q30/0601 ,  H04L63/0428 ,  H04L2463/101 ,  H04L2463/102

摘要： Disclosed systems and methods provide media content through an electronic commerce server. In one implementation, a method for providing electronic content is provided. The method includes receiving an order of a user. The order of the user may comprise a request of the user for a physical copy of media content. The commerce server may determine whether to provide to the user an electronic copy of the media content based at least on the order. Further, a request to access the electronic copy of the media content is received from the user. The method further grants the user access to the electronic copy of the media content based at least on the request to access the electronic copy of the media content.

摘要翻译： 公开的系统和方法通过电子商务服务器提供媒体内容。 在一个实现中，提供了一种用于提供电子内容的方法。 该方法包括接收用户的命令。 用户的顺序可以包括用户对媒体内容的物理副本的请求。 商务服务器可以至少基于订单确定是否向用户提供媒体内容的电子副本。 此外，从用户接收到访问媒体内容的电子副本的请求。 该方法进一步授权用户至少基于访问媒体内容的电子副本的请求来访问媒体内容的电子副本。