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    Measuring low dielectric constant film properties during processing
    1.
    发明授权
    Measuring low dielectric constant film properties during processing 有权
    在加工期间测量低介电常数膜性能

    公开(公告)号：US07400401B2

    公开(公告)日：2008-07-15

    申请号：US11096049

    申请日：2005-03-31

    申请人： Jang-Shiang Tsai ,  Peng-Fu Hsu ,  Baw-Ching Perng ,  Ju-Wang Hsu ,  Jyu-Horng Shieh ,  Yi-Nien Su ,  Hun-Jan Tao

    发明人： Jang-Shiang Tsai ,  Peng-Fu Hsu ,  Baw-Ching Perng ,  Ju-Wang Hsu ,  Jyu-Horng Shieh ,  Yi-Nien Su ,  Hun-Jan Tao

    IPC分类号： G01J4/00

    CPC分类号： G01N21/211

    摘要： A method and system for determining the dielectric constant of a low-k dielectric film on a production substrate include measuring the electronic component of the dielectric constant using an ellipsometer, measuring the ionic component of the dielectric constant using an IR spectrometer, measuring the overall dielectric constant using a microwave spectrometer and deriving the dipolar component of the dielectric constant. The measurements and determination are non-contact and may be carried out on a production device that is further processed following the measurements.

    摘要翻译： 用于确定制造基板上的低k电介质膜的介电常数的方法和系统包括使用椭偏仪测量介电常数的电子部件，使用IR光谱仪测量介电常数的离子分量，测量总电介质 使用微波光谱仪恒定并导出介电常数的偶极分量。 测量和确定是非接触的，并且可以在进行测量后进一步处理的生产设备上进行。

    Measuring low dielectric constant film properties during processing
    2.
    发明申请
    Measuring low dielectric constant film properties during processing 有权
    在加工期间测量低介电常数膜性能

    公开(公告)号：US20060220653A1

    公开(公告)日：2006-10-05

    申请号：US11096049

    申请日：2005-03-31

    申请人： Jang-Shiang Tsai ,  Peng-Fu Hsu ,  Baw-Ching Perng ,  Ju-Wang Hsu ,  Jyu-Horng Shieh ,  Yi-Nien Su ,  Hun-Jan Tao

    发明人： Jang-Shiang Tsai ,  Peng-Fu Hsu ,  Baw-Ching Perng ,  Ju-Wang Hsu ,  Jyu-Horng Shieh ,  Yi-Nien Su ,  Hun-Jan Tao

    IPC分类号： G01R31/00 ,  G01N21/00 ,  G01J4/00

    CPC分类号： G01N21/211

    摘要： A method and system for determining the dielectric constant of a low-k dielectric film on a production substrate include measuring the electronic component of the dielectric constant using an ellipsometer, measuring the ionic component of the dielectric constant using an IR spectrometer, measuring the overall dielectric constant using a microwave spectrometer and deriving the dipolar component of the dielectric constant. The measurements and determination are non-contact and may be carried out on a production device that is further processed following the measurements.

    摘要翻译： 用于确定制造基板上的低k电介质膜的介电常数的方法和系统包括使用椭偏仪测量介电常数的电子部件，使用IR光谱仪测量介电常数的离子分量，测量总电介质 使用微波光谱仪恒定并导出介电常数的偶极分量。 测量和确定是非接触的，并且可以在进行测量后进一步处理的生产设备上进行。

    Method for photoresist stripping and treatment of low-k dielectric material
    3.
    发明申请
    Method for photoresist stripping and treatment of low-k dielectric material 有权
    光刻胶剥离和低k介电材料处理方法

    公开(公告)号：US20060063386A1

    公开(公告)日：2006-03-23

    申请号：US10949128

    申请日：2004-09-23

    申请人： Jang-Shiang Tsai ,  Yi-Nien Su ,  Chung-Chi Ko ,  Jyu-Horng Shieh ,  Peng-Fu Hsu ,  Hun-Jan Tao

    发明人： Jang-Shiang Tsai ,  Yi-Nien Su ,  Chung-Chi Ko ,  Jyu-Horng Shieh ,  Peng-Fu Hsu ,  Hun-Jan Tao

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/02063 ,  G03F7/427 ,  Y10S438/958

    摘要： A plasma processing operation uses a gas mixture of N2 and H2 to both remove a photoresist film and treat a low-k dielectric material. The plasma processing operation prevents degradation of the low-k material by forming a protective layer on the low-k dielectric material. Carbon from the photoresist layer is activated and caused to complex with the low-k dielectric, maintaining a suitably high carbon content and a suitably low dielectric constant. The plasma processing operation uses a gas mixture with H2 constituting at least 10%, by volume, of the gas mixture.

    摘要翻译： 等离子体处理操作使用N 2和H 2的气体混合物去除光致抗蚀剂膜并处理低k电介质材料。 等离子体处理操作通过在低k电介质材料上形成保护层来防止低k材料的劣化。 来自光致抗蚀剂层的碳被激活并与低k电介质复合，保持适当高的碳含量和合适的低介电常数。 等离子体处理操作使用构成气体混合物的至少10体积％的H 2 N 2气体混合物。

    Method for photoresist stripping and treatment of low-k dielectric material
    4.
    发明授权
    Method for photoresist stripping and treatment of low-k dielectric material 有权
    光刻胶剥离和低k介电材料处理方法

    公开(公告)号：US07598176B2

    公开(公告)日：2009-10-06

    申请号：US10949128

    申请日：2004-09-23

    申请人： Jang-Shiang Tsai ,  Yi-Nien Su ,  Chung-Chi Ko ,  Jyu-Horng Shieh ,  Peng-Fu Hsu ,  Hun-Jan Tao

    发明人： Jang-Shiang Tsai ,  Yi-Nien Su ,  Chung-Chi Ko ,  Jyu-Horng Shieh ,  Peng-Fu Hsu ,  Hun-Jan Tao

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/02063 ,  G03F7/427 ,  Y10S438/958

    摘要： A plasma processing operation uses a gas mixture of N2 and H2 to both remove a photoresist film and treat a low-k dielectric material. The plasma processing operation prevents degradation of the low-k material by forming a protective layer on the low-k dielectric material. Carbon from the photoresist layer is activated and caused to complex with the low-k dielectric, maintaining a suitably high carbon content and a suitably low dielectric constant. The plasma processing operation uses a gas mixture with H2 constituting at least 10%, by volume, of the gas mixture.

    摘要翻译： 等离子体处理操作使用N 2和H 2的气体混合物来去除光致抗蚀剂膜并处理低k电介质材料。 等离子体处理操作通过在低k电介质材料上形成保护层来防止低k材料的劣化。 来自光致抗蚀剂层的碳被激活并与低k电介质复合，保持适当高的碳含量和合适的低介电常数。 等离子体处理操作使用具有构成气体混合物的至少10体积％的H 2的气体混合物。

    Contact hole structures and contact structures and fabrication methods thereof
    5.
    发明申请
    Contact hole structures and contact structures and fabrication methods thereof 有权
    接触孔结构及接触结构及其制造方法

    公开(公告)号：US20060154478A1

    公开(公告)日：2006-07-13

    申请号：US11035325

    申请日：2005-01-12

    申请人： Ju-Wang Hsu ,  Jyu-Horng Shieh ,  Yi-Nien Su ,  Peng-Fu Hsu ,  Hun-Jan Tao

    发明人： Ju-Wang Hsu ,  Jyu-Horng Shieh ,  Yi-Nien Su ,  Peng-Fu Hsu ,  Hun-Jan Tao

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76835

    摘要： Methods and structures for forming a contact hole structure are disclosed. These methods first form a substantially silicon-free material layer over a substrate. A material layer is formed over the substantially silicon-free material layer. A contact hole is formed within the substantially silicon-free material layer and the material layer without substantially damaging the substrate. In addition, a conductive layer is formed in the contact hole so as to form a contact structure.

    摘要翻译： 公开了形成接触孔结构的方法和结构。 这些方法首先在衬底上形成基本上无硅的材料层。 在基本无硅材料层上形成材料层。 在基本无硅的材料层和材料层内形成接触孔，而基本上不损坏衬底。 此外，在接触孔中形成导电层以形成接触结构。

    Contact hole structures and contact structures and fabrication methods thereof
    6.
    发明授权
    Contact hole structures and contact structures and fabrication methods thereof 有权
    接触孔结构及接触结构及其制造方法

    公开(公告)号：US07875547B2

    公开(公告)日：2011-01-25

    申请号：US11035325

    申请日：2005-01-12

    申请人： Ju-Wang Hsu ,  Jyu-Horng Shieh ,  Yi-Nien Su ,  Peng-Fu Hsu ,  Hun-Jan Tao

    发明人： Ju-Wang Hsu ,  Jyu-Horng Shieh ,  Yi-Nien Su ,  Peng-Fu Hsu ,  Hun-Jan Tao

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76835

    摘要： Methods and structures for forming a contact hole structure are disclosed. These methods first form a substantially silicon-free material layer over a substrate. A material layer is formed over the substantially silicon-free material layer. A contact hole is formed within the substantially silicon-free material layer and the material layer without substantially damaging the substrate. In addition, a conductive layer is formed in the contact hole so as to form a contact structure.

    摘要翻译： 公开了形成接触孔结构的方法和结构。 这些方法首先在衬底上形成基本上无硅的材料层。 在基本无硅材料层上形成材料层。 在基本无硅的材料层和材料层内形成接触孔，而基本上不损坏衬底。 此外，在接触孔中形成导电层以形成接触结构。