公开(公告)号：US20050010000A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10615628

申请日：2003-07-09

申请人： Peng-Fu Hsu ,  Jyu-Horng Shieh ,  Yung-Cheng Lu ,  Hun-Jan Tao ,  Yuan-Hung Chiu

发明人： Peng-Fu Hsu ,  Jyu-Horng Shieh ,  Yung-Cheng Lu ,  Hun-Jan Tao ,  Yuan-Hung Chiu

IPC分类号： C08G77/00 ,  C08G77/38 ,  H01L21/768

CPC分类号： C08G77/38

摘要： Low-k organosilicate dielectric material can be exposed to a series of reagents, including a halogenation reagent, an alkylation reagent, and a termination reagent, in order to reverse degradation of dielectric properties caused by previous processing steps.

摘要翻译： 低k有机硅酸盐电介质材料可以暴露于一系列试剂，包括卤化试剂，烷基化试剂和终止试剂，以反转由以前的处理步骤引起的介电性质的退化。

公开(公告)号：US07074727B2

公开(公告)日：2006-07-11

申请号：US10615628

申请日：2003-07-09

申请人： Peng-Fu Hsu ,  Jyu-Horng Shieh ,  Yung-Cheng Lu ,  Hun-Jan Tao ,  Yuan-Hung Chiu

发明人： Peng-Fu Hsu ,  Jyu-Horng Shieh ,  Yung-Cheng Lu ,  Hun-Jan Tao ,  Yuan-Hung Chiu

IPC分类号： C08G77/00 ,  H01L21/768

CPC分类号： C08G77/38

摘要： Low-k organosilicate dielectric material can be exposed to a series of reagents, including a halogenation reagent, an alkylation reagent, and a termination reagent, in order to reverse degradation of dielectric properties caused by previous processing steps.

摘要翻译： 低k有机硅酸盐电介质材料可以暴露于一系列试剂，包括卤化试剂，烷基化试剂和终止试剂，以反转由以前的处理步骤引起的介电性质的退化。

公开(公告)号：US09385034B2

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：US11786367

申请日：2007-04-11

申请人： Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

发明人： Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76883

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate; a dielectric layer over the semiconductor substrate; a conductive wiring in the dielectric layer; and a metal carbide cap layer over the conductive wiring.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底; 半导体衬底上的电介质层; 电介质层中的导电布线; 以及导电布线上的金属碳化物盖层。

公开(公告)号：US20120049371A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13290811

申请日：2011-11-07

申请人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cap layer for a copper interconnect structure formed in a first dielectric layer is provided. In an embodiment, a conductive layer is located within a dielectric layer and a top surface of the conductive layer has either a recess, a convex surface, or is planar. An alloy layer overlies the conductive layer and is a silicide alloy having a first material from the conductive layer and a second material of germanium, arsenic, tungsten, or gallium.

摘要翻译： 提供了形成在第一介电层中的铜互连结构的盖层。 在一个实施例中，导电层位于电介质层内，并且导电层的顶表面具有凹陷，凸面或平面。 合金层覆盖在导电层上，并且是具有来自导电层的第一材料和锗，砷，钨或镓的第二材料的硅化物合金。

公开(公告)号：US20090014877A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US11775098

申请日：2007-07-09

申请人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect structure with improved reliability is provided. The interconnect structure includes a semiconductor substrate; a dielectric layer over the semiconductor substrate; a metallic wiring in the dielectric layer; a pre-layer over the metallic wiring, wherein the pre-layer contains boron; and a metal cap over the pre-layer, wherein the metal cap contains tungsten, and wherein the pre-layer and the metal cap are formed of different materials.

摘要翻译： 提供了具有可靠性提高的互连结构。 互连结构包括半导体衬底; 半导体衬底上的电介质层; 电介质层中的金属布线; 金属布线上的预层，其中预层含有硼; 以及在所述预层之上的金属盖，其中所述金属盖包含钨，并且其中所述预层和所述金属帽由不同的材料形成。

公开(公告)号：US20070228571A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11523940

申请日：2006-09-20

申请人： Chen-Hua Yu ,  Yung-Cheng Lu ,  Hui-Lin Chang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Yung-Cheng Lu ,  Hui-Lin Chang

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect structure of an integrated circuit and a method for forming the same are provided. The interconnect structure includes a semiconductor substrate, a low-k dielectric layer over the semiconductor substrate, a conductor in the low-k dielectric layer, and a cap layer on the conductor. The cap layer has at least a top portion comprising a metal silicide/germanide.

摘要翻译： 提供集成电路的互连结构及其形成方法。 互连结构包括半导体衬底，半导体衬底上的低k电介质层，低k电介质层中的导体和导体上的覆盖层。 盖层至少具有包含金属硅化物/锗化物的顶部。

公开(公告)号：US07250364B2

公开(公告)日：2007-07-31

申请号：US10995923

申请日：2004-11-22

申请人： Yung-Cheng Lu ,  Tien-I Bao ,  Su-Hong Lin ,  Syun-Ming Jang

发明人： Yung-Cheng Lu ,  Tien-I Bao ,  Su-Hong Lin ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834

摘要： Semiconductor devices with composite etch stop layers and methods of fabrication thereof. An semiconductor device with a composite etch stop layer includes a substrate having a conductive member, a first etch stop layer on the substrate and the conductive member, a second etch stop layer and a dielectric layer sequentially over the second etch stop layer, having a conductive layer therein down through the dielectric layer, the second etch stop layer and the first etch stop layer to the conductive member.

摘要翻译： 具有复合蚀刻停止层的半导体器件及其制造方法。 具有复合蚀刻停止层的半导体器件包括具有导电部件的衬底，衬底上的第一蚀刻停止层和导电部件，在第二蚀刻停止层上顺序地具有第二蚀刻停止层和介电层，具有导电 在其中向下穿过介电层，第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层到达导电构件。

公开(公告)号：US20070080460A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：US11246088

申请日：2005-10-11

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shwang-Ming Jeng ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yichi Liao

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shwang-Ming Jeng ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yichi Liao

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： B29C43/222 ,  A44B17/0029 ,  A44B17/0058 ,  B29C43/28 ,  B29C2793/009 ,  B29L2031/7282 ,  B29L2031/729 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/45099

摘要： Bond pads for semiconductor devices and method for fabricating the same are provided. A bond pad has a first passivation layer having a plurality of openings. A conductive layer which overlies the openings and portions of the first passivation layer, having a first portion overlying the first passivation layer and a second portion overlying the openings. A second passivation layer overlies the first passivation layer and covers edges of the conductive layer.

摘要翻译： 提供了用于半导体器件的接合焊盘及其制造方法。 接合焊盘具有具有多个开口的第一钝化层。 覆盖在开口和第一钝化层的部分上的导电层，其具有覆盖第一钝化层的第一部分和覆盖开口的第二部分。 第二钝化层覆盖在第一钝化层上并覆盖导电层的边缘。

公开(公告)号：US20060189143A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11061350

申请日：2005-02-18

申请人： Minghsing Tsai ,  Yung-Cheng Lu

发明人： Minghsing Tsai ,  Yung-Cheng Lu

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835

摘要： A passivated metal structure and a method of forming the metal structure is disclosed. According to one embodiment, the patterned metal structure, such as conductive lines, are formed on a substrate. The copper lines are passivated by a polymer liner between the copper lines and a low k dielectric filling the spaces between the conductive lines. The polymer liner is preferably deposited on the sidewalls of the conductive lines by electro-grafting. The polymer liner may also be used in a damascene process according to a second embodiment.

摘要翻译： 公开了钝化金属结构和形成金属结构的方法。 根据一个实施例，图案化的金属结构，例如导电线，形成在基板上。 铜线由铜线之间的聚合物衬垫和填充导电线之间的空间的低k电介质钝化。 聚合物衬垫优选通过电接枝沉积在导电线的侧壁上。 聚合物衬垫也可以用于根据第二实施例的镶嵌工艺中。

公开(公告)号：US20060145303A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11039161

申请日：2005-01-20

申请人： Zhen-Cheng Wu ,  Yung-Cheng Lu ,  Chung-Chi Ko

发明人： Zhen-Cheng Wu ,  Yung-Cheng Lu ,  Chung-Chi Ko

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L23/552 ,  B01D53/9468 ,  B01D53/9472 ,  B01D2255/1021 ,  B01D2255/9022 ,  B01D2255/9035 ,  B01D2255/9155 ,  B01D2257/404 ,  B01D2257/502 ,  B01D2257/702 ,  B01J23/40 ,  B01J23/42 ,  B01J29/061 ,  B01J29/072 ,  B01J29/763 ,  B01J35/0006 ,  B01J35/04 ,  B01J37/024 ,  B01J37/0244 ,  B01J37/0246 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An ultra-violet (UV) protection layer is formed over a semiconductor workpiece before depositing a UV curable dielectric layer. The UV protection layer prevents UV light from reaching and damaging underlying material layers and electrical devices. The UV protection layer comprises a layer of silicon doped with an impurity, wherein the impurity comprises O, C, H, N, or combinations thereof. The UV protection layer may comprise SiOC:H, SiON, SiN, SiCO:H, combinations thereof, or multiple layers thereof, as examples.