公开(公告)号：US20070193973A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US11357548

申请日：2006-02-17

申请人： Ji Kim ,  Peter Cirigliano ,  Sangheon Lee ,  Dongho Heo ,  Daehan Choi ,  S. Sadjadi

发明人： Ji Kim ,  Peter Cirigliano ,  Sangheon Lee ,  Dongho Heo ,  Daehan Choi ,  S. Sadjadi

IPC分类号： C23F1/00 ,  C03C15/00

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/30655

摘要： A method for etching features into an etch layer disposed below a photoresist mask without an intermediate hardmask is provided. A plurality of etch cycles are provided. Each etch cycle comprises providing a deposition etch phase that etches features into the etch layer and deposits polymer on sidewalls of the features and over the photoresist and providing a cleaning phase that removes polymer deposited on the sidewalls.

摘要翻译： 提供了一种用于将特征蚀刻到设置在光刻胶掩模下方而不具有中间硬掩模的蚀刻层中的方法。 提供多个蚀刻循环。 每个蚀刻循环包括提供沉积蚀刻阶段，其将特征蚀刻到蚀刻层中并将聚合物沉积在特征的侧壁上并在光致抗蚀剂上方，并提供去除沉积在侧壁上的聚合物的清洁相。

公开(公告)号：US20070122977A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11558238

申请日：2006-11-09

申请人： Ji Kim ,  Sangheon Lee ,  Daehan Choi ,  S. Sadjadi

发明人： Ji Kim ,  Sangheon Lee ,  Daehan Choi ,  S. Sadjadi

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

摘要： A method for providing features in an etch layer with a memory region and a peripheral region is provided. A memory patterned mask is formed over a first sacrificial layer. A first set of sacrificial layer features is etched into the first sacrificial layer and a second sacrificial layer. Features of the first set of sacrificial layer features are filled with filler material. The first sacrificial layer is removed. The spaces are shrunk with a shrink sidewall deposition. A second set of sacrificial layer features is etched into the second sacrificial layer. The filler material and shrink sidewall deposition are removed. A peripheral patterned mask is formed over the memory region and peripheral region. The second sacrificial layer is etched through the peripheral patterned mask. The peripheral patterned mask is removed. Features are etched into the etch layer from the second sacrificial layer.

摘要翻译： 提供了一种用于在具有存储区域和周边区域的蚀刻层中提供特征的方法。 存储器图案化掩模形成在第一牺牲层上。 第一组牺牲层特征被蚀刻到第一牺牲层和第二牺牲层中。 第一组牺牲层特征的特征填充有填充材料。 第一牺牲层被去除。 这些空间随着收缩侧壁沉积而收缩。 第二组牺牲层特征被蚀刻到第二牺牲层中。 去除填充材料和收缩侧壁沉积。 在存储器区域和外围区域上形成周边图案化掩模。 通过外围图案化掩模蚀刻第二牺牲层。 去除周边图案掩模。 特征从第二牺牲层蚀刻到蚀刻层中。

公开(公告)号：US20050048785A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10648953

申请日：2003-08-26

申请人： Sean Kang ,  Sangheon Lee ,  Wan-Lin Chen ,  Eric Hudson ,  S. Sadjadi ,  Gan Zhao

发明人： Sean Kang ,  Sangheon Lee ,  Wan-Lin Chen ,  Eric Hudson ,  S. Sadjadi ,  Gan Zhao

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A feature in a layer is provided. A photoresist layer is formed over the layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls, where the photoresist features have a first critical dimension. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Features are etched into the layer, wherein the layer features have a second critical dimension, which is less than the first critical dimension.

摘要翻译： 提供了一个图层中的一个特征。 在该层上形成光致抗蚀剂层。 光致抗蚀剂层被图案化以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征，其中光致抗蚀剂特征具有第一临界尺寸。 在光致抗蚀剂特征的侧壁上沉积保形层以减少光致抗蚀剂特征的临界尺寸。 将特征蚀刻到层中，其中层特征具有小于第一临界尺寸的第二临界尺寸。