公开(公告)号：US20070020891A1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：US10559981

申请日：2004-06-14

申请人： John Kouvetakis ,  Matthew Bauer ,  Jose Menendez ,  Chang Hu ,  Ignatius Tsong ,  John Tolle

发明人： John Kouvetakis ,  Matthew Bauer ,  Jose Menendez ,  Chang Hu ,  Ignatius Tsong ,  John Tolle

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/40 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/0262

摘要： A method for depositing an epitaxial Ge—Sn layer on a substrate in a CVD reaction chamber includes introducing into the chamber a gaseous precursor comprising SnD4 under conditions whereby the epitaxial Ge—Sn layer is formed on the substrate. the gaseous precursor comprises SnD4 and high purity H2 of about 15-20% by volume. The gaseous precursor is introduced at a temperature in a range of about 250° C. to about 350° C. Using the process device-quality Sn—Ge materials with tunable bandgaps can be grown directly on Si substrates.

摘要翻译： 在CVD反应室中在衬底上沉积外延Ge-Sn层的方法包括在衬底上形成外延Ge-Sn层的条件下将包含SnD4的气态前体引入室中。 气态前体包含约15-20体积％的SnD4和高纯度H2。 气体前体在约250℃至约350℃的温度下引入。使用具有可调带隙的工艺装置质量的Sn-Ge材料可直接在Si衬底上生长。

公开(公告)号：US20060236923A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US10545484

申请日：2004-02-12

申请人： John Kouvetakis ,  Ignatius Tsong ,  John Tolle ,  Radek Roucka

发明人： John Kouvetakis ,  Ignatius Tsong ,  John Tolle ,  Radek Roucka

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/14 ,  C30B28/12

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/10 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007

摘要： A semiconductor structure and fabrication method is provided for integrating wide bandgap nitrides with silicon. The structure includes a substrate, a single crystal buffer layer formed by epitaxy over the substrate and a group III nitride film formed by epitaxy over the buffer layer. The buffer layer is reflective and conductive. The buffer layer may comprise B an element selected from the group consisting of Zr, Hf, Al. For example, the buffer layer may comprise ZrB2, AlB2 or HfB2. The buffer layer provides a lattice match with the group m nitride layer. The substrate can comprise silicon, silicon carbide (SiC), gallium arsenide (GaAs), sapphire or Al2O3. The group m nitride material includes GaN, AIN, InN, AlGaN, InGaN or AlInGaN and can form an active region. In a presently preferred embodiment, the buffer layer is ZrB2 and the substrate is Si(111) or Si(100) and the group III nitride layer comprises GaN. The ZrB2 buffer layer provides a reflective and conductive buffer layer that has a small lattice mismatch with GaN. The semiconductor structure can be used to fabricate active microelectronic devices, such as transistors including field effect transistors and bipolar transistors. The semiconductor structure also can be used to fabricate optoelectronic devices, such as laser diodes and light emitting diodes

摘要翻译： 提供了一种用于将宽带隙氮化物与硅结合的半导体结构和制造方法。 该结构包括衬底，通过衬底上的外延形成的单晶缓冲层和通过缓冲层上的外延形成的III族氮化物膜。 缓冲层是反射和导电的。 缓冲层可以包含选自由Zr，Hf，Al组成的组的元素。 例如，缓冲层可以包括ZrB 2 N 2，AlB 2 H 2或HfB 2 N 2。 缓冲层提供与第m族氮化物层的晶格匹配。 衬底可以包括硅，碳化硅（SiC），砷化镓（GaAs），蓝宝石或Al 2 O 3 3。 氮化镓族材料包括GaN，AlN，InN，AlGaN，InGaN或AlInGaN，并且可以形成有源区。 在目前优选的实施方案中，缓冲层为ZrB 2 N，衬底为Si（111）或Si（100），III族氮化物层包含GaN。 ZrB 2 N 2缓冲层提供与GaN具有小的晶格失配的反射和导电缓冲层。 半导体结构可用于制造有源微电子器件，例如包括场效应晶体管和双极晶体管的晶体管。 该半导体结构也可用于制造诸如激光二极管和发光二极管之类的光电器件