公开(公告)号：US06992334B1

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：US09469652

申请日：1999-12-22

申请人： Jonathan J. Wierer, Jr. ,  Michael R Krames ,  Serge L Rudaz

发明人： Jonathan J. Wierer, Jr. ,  Michael R Krames ,  Serge L Rudaz

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/405

摘要： A high performance, highly reflective ohmic contact, in the visible spectrum (400 nm–750 nm), has the following multi-layer metal profile. A uniform and thin ohmic contact material is deposited and optionally alloyed to the semiconductor surface. A thick reflector layer selected from a group that includes Al, Cu, Au, Rh, Pd, Ag and any multi-layer combinations is deposited over the ohmic contact material.

摘要翻译： 在可见光谱（400nm-750nm）中的高性能，高反射欧姆接触具有以下多层金属分布。 均匀且薄的欧姆接触材料被沉积并任选地与半导体表面合金化。 选自包括Al，Cu，Au，Rh，Pd，Ag以及任何多层组合的组的厚反射层沉积在欧姆接触材料上。

公开(公告)号：US06307218B1

公开(公告)日：2001-10-23

申请号：US09196928

申请日：1998-11-20

申请人： Daniel A. Steigerwald ,  Serge L Rudaz ,  Kyle J. Thomas ,  Steven D. Lester ,  Paul S. Martin ,  William R. Imler ,  Robert M. Fletcher ,  Fred A. Kish, Jr. ,  Steven A. Maranowski

发明人： Daniel A. Steigerwald ,  Serge L Rudaz ,  Kyle J. Thomas ,  Steven D. Lester ,  Paul S. Martin ,  William R. Imler ,  Robert M. Fletcher ,  Fred A. Kish, Jr. ,  Steven A. Maranowski

IPC分类号： H01L3300

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/20

摘要： A light emitting device includes a heterojunction having a p-type layer and an n-type layer. The n-electrode is electrically connected to the n-type layer while the p-electrode is electrically connected to the p-type layer. The p and n-electrodes are positioned to form a region having uniform light intensity.

摘要翻译： 发光器件包括具有p型层和n型层的异质结。 n电极与n型层电连接，而p电极与p型层电连接。 p和n电极被定位成形成具有均匀光强度的区域。