公开(公告)号：US09059299B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US14348948

申请日：2012-09-12

申请人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Anita Neumann ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

发明人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Anita Neumann ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  C23C18/12 ,  C23C18/14 ,  H01L29/66 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： The present invention relates to a method for producing a semi-conductor laminate comprising a first and a second metal oxide layer as well as a dielectric layer, wherein the first metal oxide layer is arranged between the second metal oxide layer and the dielectric layer. The first and second metal oxide layers are formed accordingly from a first and a second liquid phase. The present invention also relates to a semi-conductor laminate that can be obtained from such a method, and to electronic components comprising such a semi-conductor laminate.

摘要翻译： 本发明涉及一种包括第一和第二金属氧化物层以及电介质层的半导体层压体的制造方法，其中第一金属氧化物层被布置在第二金属氧化物层和电介质层之间。 第一和第二金属氧化物层相应地由第一和第二液相形成。 本发明还涉及可以从这种方法获得的半导体层压体以及包含这种半导体层压体的电子部件。

公开(公告)号：US09802964B2

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：US14900936

申请日：2014-05-15

申请人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Anita Neumann ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe ,  Dennis Fruehling

发明人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Anita Neumann ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe ,  Dennis Fruehling

IPC分类号： C07F5/00 ,  C23C18/12 ,  H01L21/288 ,  C23C18/14

CPC分类号： C07F5/003 ,  C07F5/00 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/14 ,  H01L21/288

摘要： The present invention relates to indium alkoxide compounds preparable by reacting an indium trihalide InX3 where X=F, Cl, Br, I with a secondary amine of the formula R′2NH where R′=alkyl, in a molar ratio of 8:1 to 20:1 in relation to the indium trihalide, in the presence of an alcohol of the generic formula ROH where R=alkyl, to a process for preparation thereof and to the use thereof for production of indium oxide-containing or (semi)conductive layers.

公开(公告)号：US20150053966A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：US14348948

申请日：2012-09-12

申请人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Anita Neumann ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

发明人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Anita Neumann ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： The present invention relates to a method for producing a semi-conductor laminate comprising a first and a second metal oxide layer as well as a dielectric layer, wherein the first metal oxide layer is arranged between the second metal oxide layer and the dielectric layer. The first and second metal oxide layers are formed accordingly from a first and a second liquid phase. The present invention also relates to a semi-conductor laminate that can be obtained from such a method, and to electronic components comprising such a semi-conductor laminate.

摘要翻译： 本发明涉及一种包括第一和第二金属氧化物层以及电介质层的半导体层压体的制造方法，其中第一金属氧化物层被布置在第二金属氧化物层和电介质层之间。 第一和第二金属氧化物层相应地由第一和第二液相形成。 本发明还涉及可以从这种方法获得的半导体层压体以及包含这种半导体层压体的电子部件。