公开(公告)号：US20130311709A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：US13656446

申请日：2012-10-19

申请人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim ,  Young-Joon Choi ,  Dong-Gi Lee ,  Shea-Yun Lee

发明人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim ,  Young-Joon Choi ,  Dong-Gi Lee ,  Shea-Yun Lee

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7211

摘要： Integrated circuit systems include a non-volatile memory device (e.g, flash EEPROM device) and a memory processing circuit. The memory processing circuit is electrically coupled to the non-volatile memory device. The memory processing circuit is configured to reallocate addressable space within the non-volatile memory device. This reallocation is performed by increasing a number of physical addresses within the non-volatile memory device that are reserved as redundant memory addresses, in response to a capacity adjust command received by the memory processing circuit.

摘要翻译： 集成电路系统包括非易失性存储器件（例如，快闪EEPROM器件）和存储器处理电路。 存储器处理电路电耦合到非易失性存储器件。 存储器处理电路被配置为重新分配非易失性存储器件内的可寻址空间。 响应于由存储器处理电路接收的容量调整命令，通过增加非易失性存储器件中被保留为冗余存储器地址的物理地址的数量来执行该重新分配。

公开(公告)号：US20080098193A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11565811

申请日：2006-12-01

申请人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim ,  Young-Joon Choi ,  Dong-Gi Lee ,  Shea-Yun Lee

发明人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim ,  Young-Joon Choi ,  Dong-Gi Lee ,  Shea-Yun Lee

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7211

摘要： Integrated circuit systems include a non-volatile memory device (e.g, flash EEPROM device) and a memory processing circuit. The memory processing circuit is electrically coupled to the non-volatile memory device. The memory processing circuit is configured to reallocate addressable space within the non-volatile memory device. This reallocation is performed by increasing a number of physical addresses within the non-volatile memory device that are reserved as redundant memory addresses, in response to a capacity adjust command received by the memory processing circuit.

摘要翻译： 集成电路系统包括非易失性存储器件（例如，快闪EEPROM器件）和存储器处理电路。 存储器处理电路电耦合到非易失性存储器件。 存储器处理电路被配置为重新分配非易失性存储器件内的可寻址空间。 响应于由存储器处理电路接收的容量调整命令，通过增加非易失性存储器件中被保留为冗余存储器地址的物理地址的数量来执行该重新分配。

公开(公告)号：US08001356B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US11565811

申请日：2006-12-01

申请人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim ,  Young-Joon Choi ,  Dong-Gi Lee ,  Shea-Yun Lee

发明人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim ,  Young-Joon Choi ,  Dong-Gi Lee ,  Shea-Yun Lee

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7211

摘要： Integrated circuit systems include a non-volatile memory device (e.g, flash EEPROM device) and a memory processing circuit. The memory processing circuit is electrically coupled to the non-volatile memory device. The memory processing circuit is configured to reallocate addressable space within the non-volatile memory device. This reallocation is performed by increasing a number of physical addresses within the non-volatile memory device that are reserved as redundant memory addresses, in response to a capacity adjust command received by the memory processing circuit.

摘要翻译： 集成电路系统包括非易失性存储器件（例如，快闪EEPROM器件）和存储器处理电路。 存储器处理电路电耦合到非易失性存储器件。 存储器处理电路被配置为重新分配非易失性存储器件内的可寻址空间。 响应于由存储器处理电路接收的容量调整命令，通过增加非易失性存储器件中被保留为冗余存储器地址的物理地址的数量来执行该重新分配。

公开(公告)号：US08312248B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US13208804

申请日：2011-08-12

申请人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim ,  Young-Joon Choi ,  Dong-Gi Lee ,  Shea-Yun Lee

发明人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim ,  Young-Joon Choi ,  Dong-Gi Lee ,  Shea-Yun Lee

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7211

摘要： Integrated circuit systems include a non-volatile memory device (e.g, flash EEPROM device) and a memory processing circuit. The memory processing circuit is electrically coupled to the non-volatile memory device. The memory processing circuit is configured to reallocate addressable space within the non-volatile memory device. This reallocation is performed by increasing a number of physical addresses within the non-volatile memory device that are reserved as redundant memory addresses, in response to a capacity adjust command received by the memory processing circuit.

摘要翻译： 集成电路系统包括非易失性存储器件（例如，快闪EEPROM器件）和存储器处理电路。 存储器处理电路电耦合到非易失性存储器件。 存储器处理电路被配置为重新分配非易失性存储器件内的可寻址空间。 响应于由存储器处理电路接收的容量调整命令，通过增加非易失性存储器件中被保留为冗余存储器地址的物理地址的数量来执行该重新分配。

公开(公告)号：US20110302360A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US13208804

申请日：2011-08-12

申请人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim ,  Young-Joon Choi ,  Dong-Gi Lee ,  Shea-Yun Lee

发明人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim ,  Young-Joon Choi ,  Dong-Gi Lee ,  Shea-Yun Lee

IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7211

摘要： Integrated circuit systems include a non-volatile memory device (e.g, flash EEPROM device) and a memory processing circuit. The memory processing circuit is electrically coupled to the non-volatile memory device. The memory processing circuit is configured to reallocate addressable space within the non-volatile memory device. This reallocation is performed by increasing a number of physical addresses within the non-volatile memory device that are reserved as redundant memory addresses, in response to a capacity adjust command received by the memory processing circuit.

摘要翻译： 集成电路系统包括非易失性存储器件（例如，快闪EEPROM器件）和存储器处理电路。 存储器处理电路电耦合到非易失性存储器件。 存储器处理电路被配置为重新分配非易失性存储器件内的可寻址空间。 响应于由存储器处理电路接收的容量调整命令，通过增加非易失性存储器件中被保留为冗余存储器地址的物理地址的数量来执行该重新分配。

公开(公告)号：US07783851B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US11565009

申请日：2006-11-30

申请人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim

发明人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7205

摘要： Methods of operating a non-volatile memory device that includes a first data block that stores first data and a first log block that stores an updated version of at least some of the first data is provided in which valid portions of the first data in the first data block are copied to a free block that has no data to generate a second data block. The updated version of at least some of the first data from the first log block is copied to the second data block. The first log block is designated as a reusable log block without erasing the data therefrom in response to at least one predetermined condition being satisfied.

摘要翻译： 提供了操作包括存储第一数据的第一数据块和存储第一数据中的至少一些的更新版本的第一日志块的非易失性存储器件的方法，其中第一数据的第一数据的有效部分 数据块被复制到没有数据生成第二数据块的空闲块。 来自第一日志块的至少一些第一数据的更新版本被复制到第二数据块。 响应于满足至少一个预定条件，将第一日志块指定为可重用日志块而不擦除其数据。

公开(公告)号：US07836244B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US11933564

申请日：2007-11-01

申请人： Hye-Young Kim ,  Jung-Been Im

发明人： Hye-Young Kim ,  Jung-Been Im

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00 ,  G06F13/28

CPC分类号： G06F12/0246

摘要： A method of providing block state information in a semiconductor memory device including a flash memory comprises storing block state information on at least one bad block of the flash memory and a plurality of reserved blocks which replace the at least one bad block, and providing the stored block state information to a user in response to a command provided by the user.

摘要翻译： 一种在包括闪速存储器的半导体存储器件中提供块状态信息的方法包括将块状态信息存储在闪速存储器的至少一个坏块上，以及多个保留块，其替换该至少一个坏块，并提供所存储的 响应于由用户提供的命令向用户块状态信息。

公开(公告)号：US20080098192A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11565009

申请日：2006-11-30

申请人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim

发明人： Jung-Been Im ,  Hye-Young Kim

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7205

摘要： Methods of operating a non-volatile memory device that includes a first data block that stores first data and a first log block that stores an updated version of at least some of the first data is provided in which valid portions of the first data in the first data block are copied to a free block that has no data to generate a second data block. The updated version of at least some of the first data from the first log block is copied to the second data block. The first log block is designated as a reusable log block without erasing the data therefrom in response to at least one predetermined condition being satisfied.

摘要翻译： 提供了操作包括存储第一数据的第一数据块和存储第一数据中的至少一些的更新版本的第一日志块的非易失性存储器件的方法，其中第一数据的第一数据的有效部分 数据块被复制到没有数据生成第二数据块的空闲块。 来自第一日志块的至少一些第一数据的更新版本被复制到第二数据块。 响应于满足至少一个预定条件，将第一日志块指定为可重用日志块而不擦除其数据。

公开(公告)号：US08909895B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13471888

申请日：2012-05-15

申请人： Jung-Been Im

发明人： Jung-Been Im

IPC分类号： G06F9/26 ,  G06F3/06 ,  G06F12/06

CPC分类号： G06F3/0616 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/0638 ,  G06F2212/7208

摘要： A memory apparatus is provided. The memory apparatus includes a first memory chip, a second memory chip and a control unit configured to manage a first mapping table for the first memory chip and a second mapping table for the second memory chip. If a first physical address of the second memory chip is allocated to a first logical address of the first memory chip, the control unit is configured to update a second logical address of the second memory chip to correspond to the first physical address of the second memory chip in the second mapping table and update the first logical address of the first memory chip to correspond to the second logical address of the second memory chip in the first mapping table.

摘要翻译： 提供了一种存储装置。 存储装置包括：第一存储器芯片，第二存储器芯片和控制单元，被配置为管理第一存储芯片的第一映射表和第二存储芯片的第二映射表。 如果将第二存储器芯片的第一物理地址分配给第一存储器芯片的第一逻辑地址，则控制单元被配置为更新第二存储器芯片的第二逻辑地址以对应于第二存储器的第一物理地址 芯片在第二映射表中，并且更新第一存储器芯片的第一逻辑地址以对应于第一映射表中的第二存储器芯片的第二逻辑地址。

公开(公告)号：US08675406B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13175973

申请日：2011-07-05

申请人： Change-Hee Lee ,  Jang-Hwan Kim ,  Jung-Been Im ,  Dong-Hyun Song

发明人： Change-Hee Lee ,  Jang-Hwan Kim ,  Jung-Been Im ,  Dong-Hyun Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/349

摘要： A memory system including non-volatile memory devices and a corresponding refresh method are disclosed. The method groups memory blocks of the non-volatile memory devices into memory groups, determines a refresh sequence for the memory groups, and refreshes the memory groups in accordance with the refresh sequence.

摘要翻译： 公开了包括非易失性存储器件和对应刷新方法的存储器系统。 该方法将非易失性存储器件的存储块分组成存储器组，确定存储器组的刷新序列，并根据刷新序列刷新存储器组。