公开(公告)号：US20100129529A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12545747

申请日：2009-08-21

申请人： Jung-Han SHIN ,  Jae-Byung PARK ,  Hae-II PARK ,  Jin-Seob BYUN ,  Hyoung-Joo KIM ,  Sung-Jee KIM ,  Hussain SAHID ,  Ji-Won BANG

发明人： Jung-Han SHIN ,  Jae-Byung PARK ,  Hae-II PARK ,  Jin-Seob BYUN ,  Hyoung-Joo KIM ,  Sung-Jee KIM ,  Hussain SAHID ,  Ji-Won BANG

IPC分类号： B05D5/12 ,  C08G65/02 ,  C08K3/30 ,  C08K3/10 ,  C08K3/32

CPC分类号： C09K11/02 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/007 ,  C01B25/087 ,  C01G3/00 ,  C01G5/00 ,  C01G7/00 ,  C01G9/08 ,  C01G11/02 ,  C01G15/00 ,  C01G55/00 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  C09K11/565 ,  C09K11/703 ,  C09K11/883 ,  H05B33/14

摘要： In a method for manufacturing a nanoparticle, a precursor (e.g., transition metal complex) mixed with polyethylene glycol (PEG) is thermally decomposed. A nanoparticle is formed from the thermal decomposition. PEG is cost effective and less toxic than chemicals that are conventionally used for nanoparticle production, so that costs for manufacturing the nanoparticle may be decreased. Further, PEG may be reused to produce more nanoparticles.

摘要翻译： 在制造纳米颗粒的方法中，与聚乙二醇（PEG）混合的前体（例如过渡金属络合物）被热分解。 由热分解形成纳米颗粒。 PEG比常规用于纳米颗粒生产的化学品具有成本有效和毒性低，因此制造纳米颗粒的成本可能降低。 此外，PEG可以再利用以产生更多的纳米颗粒。

公开(公告)号：US20100187962A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12573744

申请日：2009-10-05

申请人： Jung-Han SHIN ,  Jae-Byung Park ,  Jong-Hyuk Kang ,  Gun-Woo Kim ,  Young-Hwan Kim ,  Eun-Joo Jang ,  Hyoung-Joo Kim ,  Hyo-Sook Jang

发明人： Jung-Han SHIN ,  Jae-Byung Park ,  Jong-Hyuk Kang ,  Gun-Woo Kim ,  Young-Hwan Kim ,  Eun-Joo Jang ,  Hyoung-Joo Kim ,  Hyo-Sook Jang

IPC分类号： H01J1/62 ,  H01J9/00

CPC分类号： H01L33/502 ,  H01L33/56

摘要： A light-emitting unit for emitting light includes a light-emitting element and a light-converting layer. The light-converting layer includes a nanoparticle and an additive having an oxidation speed faster than an oxidation speed of the nanoparticle. The light-converting layer is disposed on the light-emitting element to increase the durability of the light-emitting unit.

摘要翻译： 用于发光的发光单元包括发光元件和光转换层。 光转换层包括具有比纳米颗粒的氧化速度快的氧化速度的纳米颗粒和添加剂。 光转换层设置在发光元件上以增加发光单元的耐久性。

公开(公告)号：US20080038867A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11745722

申请日：2007-05-08

申请人： Jung-Han SHIN ,  Bo-Sung KIM ,  Seong-sik SHIN

发明人： Jung-Han SHIN ,  Bo-Sung KIM ,  Seong-sik SHIN

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0005 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor array panel includes forming a gate electrode, forming a source electrode and a drain electrode opposing each other and separated from each other on the gate electrode, forming a gate insulator on the gate electrode, forming an organic semiconductor on the gate insulator, and forming a passivation member covering the organic semiconductor, wherein the source and drain electrodes contact the organic semiconductor, and an ink-jet printing process is used to form at least two among the gate insulator, the organic semiconductor, and the passivation member, and wherein a mixed solvent including at least two among a gate insulator material, an organic semiconductor material, and a passivation member material is sprayed in the ink-jet printing process.

摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括形成栅电极，形成彼此相对的源电极和漏电极，并在栅电极上彼此分离，在栅电极上形成栅极绝缘体，形成有机半导体 在所述栅极绝缘体上形成覆盖所述有机半导体的钝化部件，其中所述源极和漏极与所述有机半导体接触，并且使用喷墨印刷工艺在所述栅极绝缘体，所述有机半导体和所述有机半导体中形成至少两个 钝化部件，并且其中在喷墨印刷工艺中喷涂包括栅极绝缘体材料，有机半导体材料和钝化部件材料中的至少两个的混合溶剂。

公开(公告)号：US20090250690A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12326650

申请日：2008-12-02

申请人： Jung-Han SHIN ,  Seung-Hwan CHO ,  Seong-Sik SHIN ,  Keun-Kyu SONG ,  Jung-Hun NOH

发明人： Jung-Han SHIN ,  Seung-Hwan CHO ,  Seong-Sik SHIN ,  Keun-Kyu SONG ,  Jung-Hun NOH

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L27/283 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/02 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

摘要： In an organic thin film transistor (TFT) substrate, the organic TFT substrate includes gate lines, data lines, a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, a gate insulating layer, an organic semiconductor layer, and an organic protective layer. The gate and data lines are insulated from each other and cross each other to define pixel areas. The gate electrode is connected to the gate line. The source electrode is connected to the data line. The drain electrode faces the source electrode with the gate electrode disposed therebetween. The gate insulating layer covers the gate electrode and exposes a portion of the source and drain electrodes. The organic semiconductor layer contacts the source and drain electrodes. The organic protective layer is disposed on the organic semiconductor layer to protect the organic semiconductor layer.

摘要翻译： 在有机薄膜晶体管（TFT）基板中，有机TFT基板包括栅极线，数据线，栅电极，源电极，漏电极，栅绝缘层，有机半导体层和有机保护层。 栅极和数据线彼此绝缘并且彼此交叉以限定像素区域。 栅电极连接到栅极线。 源电极连接到数据线。 漏电极面对源电极，栅电极位于其间。 栅极绝缘层覆盖栅极并暴露出源极和漏极的一部分。 有机半导体层接触源极和漏极。 有机保护层设置在有机半导体层上以保护有机半导体层。

公开(公告)号：US20090057658A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12196990

申请日：2008-08-22

申请人： Jung-Han SHIN ,  Seon-Pil JANG ,  Min-Ho YOON ,  Kyu-Young KIM

发明人： Jung-Han SHIN ,  Seon-Pil JANG ,  Min-Ho YOON ,  Kyu-Young KIM

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L51/0545

摘要： An organic thin film transistor substrate includes a substrate, a gate line on a surface of the substrate, a gate insulating layer insulating on the gate line, a data line on the gate insulating layer, an organic thin film transistor connected to the gate line and the data line, the organic thin film transistor including an organic semiconductor layer, a bank-insulating layer positioned at least in part on the data line, the bank-insulating layer including a wall portion which defines a pixel area, and a pixel electrode formed in the pixel area.

摘要翻译： 有机薄膜晶体管基板包括基板，在基板的表面上的栅极线，在栅极线上绝缘的栅极绝缘层，栅极绝缘层上的数据线，连接到栅极线的有机薄膜晶体管，以及 所述数据线，包括有机半导体层的有机薄膜晶体管，至少部分位于所述数据线上的堤绝缘层，所述堤绝缘层包括限定像素区域的壁部分和形成的像素电极 在像素区域。

公开(公告)号：US20090261332A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12352099

申请日：2009-01-12

申请人： Jung-Han SHIN ,  Seon-Pil JANG ,  Min-Ho YOON

发明人： Jung-Han SHIN ,  Seon-Pil JANG ,  Min-Ho YOON

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/78633 ,  H01L27/1292 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

摘要： A thin film transistor array panel includes a substrate, a gate line disposed on the substrate and having a gate electrode, a gate insulating layer disposed on the gate line, a data line disposed on the gate insulating layer and crossing the gate line, a source electrode connected to the data line, a drain electrode spaced apart from the source electrode, a semiconductor layer connected to the source and drain electrodes to form a channel, a light blocking layer disposed on the semiconductor layer to block light incident to the semiconductor layer, and a pixel electrode contacting the drain electrode.

摘要翻译： 薄膜晶体管阵列面板包括衬底，设置在衬底上并具有栅电极的栅极线，设置在栅极线上的栅极绝缘层，设置在栅极绝缘层上并与栅极线交叉的数据线，源极 连接到数据线的电极，与源极间隔开的漏电极，连接到源电极和漏电极以形成沟道的半导体层，设置在半导体层上以阻挡入射到半导体层的光的阻光层， 以及与漏电极接触的像素电极。

公开(公告)号：US20080076204A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11859433

申请日：2007-09-21

申请人： Min-Ho YOON ,  Young-Min KIM ,  Jung-Han SHIN ,  Joon-Hak OH ,  Tae-Young CHOI ,  Seung-Hwan CHO

发明人： Min-Ho YOON ,  Young-Min KIM ,  Jung-Han SHIN ,  Joon-Hak OH ,  Tae-Young CHOI ,  Seung-Hwan CHO

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0028 ,  H01L51/0558

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor (“TFT”) array panel includes forming a gate electrode, forming source and drain electrodes insulated from the gate electrode, forming an organic semiconductor contacting the source and drain electrodes, spraying a solvent on the organic semiconductor, drying the solvent at room temperature, and annealing the organic semiconductor.

摘要翻译： 制造薄膜晶体管（“TFT”）阵列面板的方法包括形成栅电极，形成与栅电极绝缘的源极和漏电极，形成接触源电极和漏电极的有机半导体，在有机半导体上喷涂溶剂 ，在室温下干燥溶剂，并退火有机半导体。