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1.发明授权公开(公告)号：US06624127B1
公开(公告)日：2003-09-23
申请号：US10295150
申请日：2002-11-15
IPC分类号： C11D344
CPC分类号： C11D7/3281 , C11D7/36 , C11D11/0047
摘要： Supercritical carbon dioxide may be utilized to remove resistant residues such as those residues left when etching dielectrics in fluorine-based plasma gases. The Supercritical carbon dioxide may include an ionic liquid in one embodiment.
摘要翻译： 可以使用超临界二氧化碳去除耐蚀残留物，例如当在基于氟的等离子体气体中蚀刻电介质时留下的那些残留物。 在一个实施方案中，超临界二氧化碳可以包括离子液体。
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2.发明授权公开(公告)号：US07022655B2
公开(公告)日：2006-04-04
申请号：US10454109
申请日：2003-06-04
IPC分类号： C11D7/50
CPC分类号： C11D7/3281 , C11D7/36 , C11D11/0047
摘要： Supercritical carbon dioxide may be utilized to remove resistant residues such as those residues left when etching dielectrics in fluorine-based plasma gases. The supercritical carbon dioxide may include an ionic liquid in one embodiment.
摘要翻译： 可以使用超临界二氧化碳去除耐蚀残留物，例如当在基于氟的等离子体气体中蚀刻电介质时留下的那些残留物。 在一个实施方案中，超临界二氧化碳可以包括离子液体。
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公开(公告)号：US07018938B2
公开(公告)日：2006-03-28
申请号：US10294266
申请日：2002-11-14
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L22/26 , H01L21/02052 , H01L21/306 , H01L21/31116 , H01L21/31133
摘要： Radiant energy may be applied to a photochemically susceptible etching or conditioning solution to enable precise control of the removal of material or alteration of the top surface of a wafer during the fabrication of semiconductor integrated circuits. A particular condition may be detected during the course of photoactivated generation of free radicals or molecular activation to control the further generation of said species by controlling the radiant energy exposure of a wafer.
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公开(公告)号：US07129182B2
公开(公告)日：2006-10-31
申请号：US10704498
申请日：2003-11-06
申请人： Justin K. Brask , Mark L. Doczy , Jack Kavalieros , Uday Shah , Matthew V. Metz , Robert S. Chau , Robert B. Turkot, Jr.
发明人： Justin K. Brask , Mark L. Doczy , Jack Kavalieros , Uday Shah , Matthew V. Metz , Robert S. Chau , Robert B. Turkot, Jr.
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： C23F1/02 , H01L21/32134 , H01L21/823842
摘要： A method for etching a metal layer is described. That method comprises forming a metal layer on a substrate, then exposing part of the metal layer to a wet etch chemistry that comprises an active ingredient with a diameter that exceeds the thickness of the metal layer.
摘要翻译： 描述了蚀刻金属层的方法。 该方法包括在基底上形成金属层，然后将金属层的一部分暴露于包含直径超过金属层厚度的活性成分的湿式蚀刻化学物质。
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公开(公告)号：US07387927B2
公开(公告)日：2008-06-17
申请号：US10939227
申请日：2004-09-10
申请人： Robert B. Turkot, Jr. , Justin K. Brask , Jack Kavalieros , Mark L. Doczy , Matthew V. Metz , Uday Shah , Suman Datta , Robert S. Chau
发明人： Robert B. Turkot, Jr. , Justin K. Brask , Jack Kavalieros , Mark L. Doczy , Matthew V. Metz , Uday Shah , Suman Datta , Robert S. Chau
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28194 , H01L21/82345 , H01L21/823842 , H01L29/495 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/517
摘要： A metal layer is formed on a dielectric layer, which is formed on a substrate. After forming a masking layer on the metal layer, the exposed sides of the dielectric layer are covered with a polymer diffusion barrier.
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公开(公告)号：US07056780B2
公开(公告)日：2006-06-06
申请号：US10622955
申请日：2003-07-18
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/32134 , H01L29/78
摘要： A metal silicide may be selectively etched by converting the metal silicide to a metal silicate. This may be done using oxidation. The metal silicate may then be removed, for example, by wet etching. A non-destructive low pH wet etchant may be utilized, in some embodiments, with high selectivity by dissolution.
摘要翻译： 可以通过将金属硅化物转化为金属硅酸盐来选择性地蚀刻金属硅化物。 这可以使用氧化来完成。 然后可以例如通过湿蚀刻除去金属硅酸盐。 在一些实施方案中，可以使用非破坏性低pH湿蚀刻剂，通过溶解具有高选择性。
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7.发明授权公开(公告)号：US06974764B2
公开(公告)日：2005-12-13
申请号：US10704497
申请日：2003-11-06
申请人： Justin K. Brask , Mark L. Doczy , Jack Kavalieros , Uday Shah , Matthew V. Metz , Robert S. Chau , Robert B. Turkot, Jr.
发明人： Justin K. Brask , Mark L. Doczy , Jack Kavalieros , Uday Shah , Matthew V. Metz , Robert S. Chau , Robert B. Turkot, Jr.
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/8238 , H01L29/49 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L29/4958 , H01L21/28079 , H01L21/32134 , H01L21/823842
摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dielectric layer on a substrate, and forming a first metal layer on a first part of the dielectric layer, leaving a second part of the dielectric layer exposed. After a second metal layer is formed on both the first metal layer and the second part of the dielectric layer, a masking layer is formed on the second metal layer.
摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成电介质层，并且在介电层的第一部分上形成第一金属层，留下介电层的第二部分露出。 在第一金属层和电介质层的第二部分上形成第二金属层之后，在第二金属层上形成掩模层。
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8.发明授权Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a conductor that facilitates current flow across a P/N junction 有权制造具有高k栅介质的半导体器件和促进电流流过P / N结的导体的方法公开(公告)号：US07045428B2
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：US10855635
申请日：2004-05-26
申请人： Justin K. Brask , Jack Kavalieros , Mark L. Doczy , Matthew V. Metz , Uday Shah , Chris E. Barns , Suman Datta , Robert B. Turkot, Jr. , Robert S. Chau
发明人： Justin K. Brask , Jack Kavalieros , Mark L. Doczy , Matthew V. Metz , Uday Shah , Chris E. Barns , Suman Datta , Robert B. Turkot, Jr. , Robert S. Chau
IPC分类号： H01L21/8234
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/76895 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L21/823871
摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a first gate dielectric layer that has a first substantially vertical component, then forming a first metal layer on the first gate dielectric layer. After forming on the substrate a second gate dielectric layer that has a second substantially vertical component, a second metal layer is formed on the second gate dielectric layer. In this method, a conductor is formed that contacts both the first metal layer and the second metal layer.
摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成具有第一基本垂直分量的第一栅极电介质层，然后在第一栅极电介质层上形成第一金属层。 在衬底上形成具有第二基本垂直分量的第二栅介质层之后，在第二栅介质层上形成第二金属层。 在该方法中，形成与第一金属层和第二金属层接触的导体。
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9.发明授权Selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric 失效用于制造具有高k栅极电介质的半导体器件的选择性蚀刻工艺公开(公告)号：US07037845B2
公开(公告)日：2006-05-02
申请号：US10652546
申请日：2003-08-28
申请人： Justin K. Brask , Uday Shah , Mark L. Doczy , Jack Kavalieros , Robert S. Chau , Robert B. Turkot, Jr. , Matthew V. Metz
发明人： Justin K. Brask , Uday Shah , Mark L. Doczy , Jack Kavalieros , Robert S. Chau , Robert B. Turkot, Jr. , Matthew V. Metz
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/31111
摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, and modifying a first portion of the high-k gate dielectric layer to ensure that it may be removed selectively to a second portion of the high-k gate dielectric layer.
摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，以及修改高k栅极电介质层的第一部分，以确保其可被选择性地去除到高k栅极电介质层的第二部分。
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10.发明授权公开(公告)号：US06896774B2
公开(公告)日：2005-05-24
申请号：US10382452
申请日：2003-03-06
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , C23C14/34 , B05D3/00 , B06B1/00
CPC分类号： H01L21/2855 , H01L21/76877
摘要： Metal may be deposited into trenches, vias, or other wafer openings using a physical vapor deposition chamber under vacuum. Sonic energy may be applied directly to the wafer having the openings to be filled. As a result, pinching off of the openings may be reduced or eliminated.
摘要翻译： 金属可以在真空下使用物理气相沉积室沉积到沟槽，通孔或其它晶片开口中。 声能可以直接施加到具有要填充的开口的晶片。 结果，可以减少或消除开口的夹紧。
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