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1.发明授权公开(公告)号：US06624127B1
公开(公告)日：2003-09-23
申请号：US10295150
申请日：2002-11-15
IPC分类号： C11D344
CPC分类号： C11D7/3281 , C11D7/36 , C11D11/0047
摘要： Supercritical carbon dioxide may be utilized to remove resistant residues such as those residues left when etching dielectrics in fluorine-based plasma gases. The Supercritical carbon dioxide may include an ionic liquid in one embodiment.
摘要翻译： 可以使用超临界二氧化碳去除耐蚀残留物，例如当在基于氟的等离子体气体中蚀刻电介质时留下的那些残留物。 在一个实施方案中，超临界二氧化碳可以包括离子液体。
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公开(公告)号：US20170005176A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：US15100262
申请日：2013-12-27
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/3065 , H01L29/06 , H01L21/67 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/6681 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L29/0673 , H01L29/42392
摘要： The present disclosure relates to a method of etching sacrificial material. The method includes supplying a semiconductor substrate in a reaction chamber, wherein the substrate includes a channel disposed on the substrate and a sacrificial layer disposed on at least a portion of the channel. The method further includes supplying an interhalogen vapor to the reaction chamber, etching at least a portion of the sacrificial layer with the interhalogen vapor and exposing at least a portion of said channel from under the sacrificial layer.
摘要翻译： 本公开涉及一种蚀刻牺牲材料的方法。 该方法包括在反应室中提供半导体衬底，其中衬底包括设置在衬底上的沟道和设置在沟道的至少一部分上的牺牲层。 所述方法还包括向所述反应室提供卤间蒸气，用所述卤素蒸气蚀刻所述牺牲层的至少一部分并且从所述牺牲层下面暴露所述通道的至少一部分。
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公开(公告)号：US07233068B2
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：US10943634
申请日：2004-09-17
CPC分类号： H01L21/76808
摘要： Suitable particles may be deposited within an extremely small high-aspect ratio via by flowing the particles in a suspension using supercritical carbon dioxide. The particles may be made up of diblock copolymers or silesquioxane-based materials or oligomers of phobic homopolymers or pre-formed silica-based particles stabilized using diblock copolymers and may include chemical initiators to permit in situ polymerization within the via.
摘要翻译： 通过使用超临界二氧化碳使悬浮液中的颗粒流动，可以将非常小的高纵横比通过沉积合适的颗粒。 颗粒可以由二嵌段共聚物或倍半硅氧烷基材料或使用二嵌段共聚物稳定的疏水均聚物或预形成的二氧化硅基颗粒的低聚物组成，并且可以包括化学引发剂以允许通孔内原位聚合。
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公开(公告)号：US07129182B2
公开(公告)日：2006-10-31
申请号：US10704498
申请日：2003-11-06
申请人： Justin K. Brask , Mark L. Doczy , Jack Kavalieros , Uday Shah , Matthew V. Metz , Robert S. Chau , Robert B. Turkot, Jr.
发明人： Justin K. Brask , Mark L. Doczy , Jack Kavalieros , Uday Shah , Matthew V. Metz , Robert S. Chau , Robert B. Turkot, Jr.
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： C23F1/02 , H01L21/32134 , H01L21/823842
摘要： A method for etching a metal layer is described. That method comprises forming a metal layer on a substrate, then exposing part of the metal layer to a wet etch chemistry that comprises an active ingredient with a diameter that exceeds the thickness of the metal layer.
摘要翻译： 描述了蚀刻金属层的方法。 该方法包括在基底上形成金属层，然后将金属层的一部分暴露于包含直径超过金属层厚度的活性成分的湿式蚀刻化学物质。
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公开(公告)号：US06812132B2
公开(公告)日：2004-11-02
申请号：US10393712
申请日：2003-03-21
IPC分类号： H01L214763
CPC分类号： H01L21/76808
摘要： Suitable particles may be deposited within an extremely small high-aspect ratio via by flowing the particles in a suspension using supercritical carbon dioxide. The particles may be made up of diblock copolymers or silesquioxane-based materials or oligomers of phobic homopolymers or pre-formed silica-based particles stabilized using diblock copolymers and may include chemical initiators to permit in situ polymerization within the via.
摘要翻译： 通过使用超临界二氧化碳使悬浮液中的颗粒流动，可以将非常小的高纵横比通过沉积合适的颗粒。 颗粒可以由二嵌段共聚物或倍半硅氧烷基材料或使用二嵌段共聚物稳定的疏水均聚物或预形成的二氧化硅基颗粒的低聚物组成，并且可以包括化学引发剂以允许通孔内原位聚合。
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6.发明申请NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GERMANIUM-BASED ACTIVE REGION WITH RELEASE ETCH-PASSIVATION SURFACE 审中-公开具有释放蚀刻钝化表面的基于锗的活性区域的非平面半导体器件公开(公告)号：US20140091279A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：US13630808
申请日：2012-09-28
IPC分类号： H01L29/775 , H01L21/20 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L29/775 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/78696
摘要： Non-planar semiconductor devices having germanium-based active regions with release etch-passivation surfaces are described. For example, a semiconductor device includes a vertical arrangement of a plurality of germanium-rich nanowires disposed above a substrate. Each nanowire includes a channel region having a sulfur-passivated outer surface. A gate stack is disposed on and completely surrounds the channel region of each of the germanium-rich nanowires. The gate stack includes a gate dielectric layer disposed on and surrounding the sulfur-passivated outer surface and a gate electrode disposed on the gate dielectric layer. Source and drain regions are disposed on either side of the channel regions of the germanium-rich nanowires.
摘要翻译： 描述了具有剥离蚀刻钝化表面的锗基活性区的非平面半导体器件。 例如，半导体器件包括布置在衬底上方的多个富含富锗的纳米线的垂直布置。 每个纳米线包括具有硫钝化外表面的通道区域。 栅堆叠设置在每个富含锗的纳米线的沟道区上并完全包围。 栅极堆叠包括设置在硫钝化的外表面上并围绕其的环境的栅极电介质层和设置在栅极介电层上的栅电极。 源极和漏极区域设置在富锗纳米线的沟道区域的两侧。
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公开(公告)号：US07387927B2
公开(公告)日：2008-06-17
申请号：US10939227
申请日：2004-09-10
申请人： Robert B. Turkot, Jr. , Justin K. Brask , Jack Kavalieros , Mark L. Doczy , Matthew V. Metz , Uday Shah , Suman Datta , Robert S. Chau
发明人： Robert B. Turkot, Jr. , Justin K. Brask , Jack Kavalieros , Mark L. Doczy , Matthew V. Metz , Uday Shah , Suman Datta , Robert S. Chau
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28194 , H01L21/82345 , H01L21/823842 , H01L29/495 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/517
摘要： A metal layer is formed on a dielectric layer, which is formed on a substrate. After forming a masking layer on the metal layer, the exposed sides of the dielectric layer are covered with a polymer diffusion barrier.
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公开(公告)号：US07056780B2
公开(公告)日：2006-06-06
申请号：US10622955
申请日：2003-07-18
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/32134 , H01L29/78
摘要： A metal silicide may be selectively etched by converting the metal silicide to a metal silicate. This may be done using oxidation. The metal silicate may then be removed, for example, by wet etching. A non-destructive low pH wet etchant may be utilized, in some embodiments, with high selectivity by dissolution.
摘要翻译： 可以通过将金属硅化物转化为金属硅酸盐来选择性地蚀刻金属硅化物。 这可以使用氧化来完成。 然后可以例如通过湿蚀刻除去金属硅酸盐。 在一些实施方案中，可以使用非破坏性低pH湿蚀刻剂，通过溶解具有高选择性。
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9.发明授权公开(公告)号：US07022655B2
公开(公告)日：2006-04-04
申请号：US10454109
申请日：2003-06-04
IPC分类号： C11D7/50
CPC分类号： C11D7/3281 , C11D7/36 , C11D11/0047
摘要： Supercritical carbon dioxide may be utilized to remove resistant residues such as those residues left when etching dielectrics in fluorine-based plasma gases. The supercritical carbon dioxide may include an ionic liquid in one embodiment.
摘要翻译： 可以使用超临界二氧化碳去除耐蚀残留物，例如当在基于氟的等离子体气体中蚀刻电介质时留下的那些残留物。 在一个实施方案中，超临界二氧化碳可以包括离子液体。
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10.发明授权公开(公告)号：US06974764B2
公开(公告)日：2005-12-13
申请号：US10704497
申请日：2003-11-06
申请人： Justin K. Brask , Mark L. Doczy , Jack Kavalieros , Uday Shah , Matthew V. Metz , Robert S. Chau , Robert B. Turkot, Jr.
发明人： Justin K. Brask , Mark L. Doczy , Jack Kavalieros , Uday Shah , Matthew V. Metz , Robert S. Chau , Robert B. Turkot, Jr.
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/8238 , H01L29/49 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L29/4958 , H01L21/28079 , H01L21/32134 , H01L21/823842
摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dielectric layer on a substrate, and forming a first metal layer on a first part of the dielectric layer, leaving a second part of the dielectric layer exposed. After a second metal layer is formed on both the first metal layer and the second part of the dielectric layer, a masking layer is formed on the second metal layer.
摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成电介质层，并且在介电层的第一部分上形成第一金属层，留下介电层的第二部分露出。 在第一金属层和电介质层的第二部分上形成第二金属层之后，在第二金属层上形成掩模层。
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